公开(公告)号：DE102012214072B3

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102012214072

申请日：2012-08-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HOENTSCHEL JAN ,  BEYER SVEN ,  KALLENSEE OLIVER ,  FLACHOWSKY STEFAN

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung mit erhöhten Source- und Drainbereichen durch Bilden einer Gateelektrodenstruktur auf einem Halbleitersubstrat, Bilden einer ersten Abstandshalterstruktur seitlich an die Gateelektrodenstruktur, Bilden einer zweiten Halbleiterschicht über einer freiliegenden Oberfläche des Halbleitersubstrats an beiden Seiten der Gateelektrodenstruktur, so dass ein Schichtbereich gebildet wird, der hinsichtlich der freiliegenden Oberfläche des Halbleitersubstrats zu der Gateelektrode hin geneigt ist, und ein Bilden einer zweiten Abstandhalterstruktur über der ersten Abstandhalterstruktur bereitgestellt, wobei die zweite Abstandhalterstruktur wenigstens einen Bereich des geneigten Schichtbereichs bedeckt.

公开(公告)号：DE102009035436B4

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102009035436

申请日：2009-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  LENSKI MARKUS ,  RICHTER RALF

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Molekularschicht selektiv auf einem ersten Bereich (112A) einer ersten Kontaktanschlussfläche (112), die in einem ersten dielektrischen Material (111) vorgesehen ist, das über einem ersten Substrat (101A) eines Halbleiterbauelements (100) ausgebildet ist, wobei die Molekularschicht erste funktionale Moleküle (120A) mit einer funktionalen Gruppe enthält, um an dem zumindest einen Bereich (112A) der ersten Kontaktanschlussfläche (112) zu haften, wobei die ersten funktionalen Moleküle (120A) ausgebildet sind, zumindest zeitweilig eine elektrische Leitfähigkeit zu entfalten; Bilden einer weiteren Molekularschicht selektiv auf einen zweiten Bereich (112B), der vom ersten Bereich (112A) unterschiedlich ist, der ersten Kontaktanschlussfläche (112), wobei die weitere Molekularschicht zweite funktionale Moleküle (120B), die von den ersten funktionalen Molekülen (120A) verschieden sind, mit einer funktionalen Gruppe, um an dem zweiten Bereich (112B) der ersten Kontaktanschlussfläche (112) zu haften; und Kontaktieren der Molekularschicht mit mindestens einem Bereich einer zweiten Kontaktanschlussfläche (132A) und Kontaktieren der weiteren Molekularschicht mit einem weiteren Bereich einer weiteren zweiten Kontaktanschlussfläche (132B) die jeweils in einem zweiten dielektrischen Material (131) vorgesehen sind, das über einem zweiten Substrat (101B) gebildet ist.

公开(公告)号：DE102012205298A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE102012205298

申请日：2012-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PRINDLE CHRISTOPHER ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das dielektrische Material für das laterale Einschließen der Gateelektrodenstrukturen in Form eines ersten dielektrischen Zwischenschichtmaterials mit guten Spaltfülleigenschaften und in Form eines zweiten dielektrischen Zwischenschichtmaterials bereitgestellt, das für einen hohen Ätzwiderstand und eine hohe Robustheit während eines Einebnungsprozesses sorgt. Auf diese Weise kann eine unerwünschte Materialerosion beim Ersetzen des Platzhaltermaterials vermieden werden, woraus sich ein reduzierter Ausbeuteverlust und eine bessere Bauteilgleichmäßigkeit ergeben.

公开(公告)号：DE102012219376A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012219376

申请日：2012-10-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RASHED MAHBUB ,  SOSS STEVEN ,  KYE JONGWOOK ,  LIN IRENE Y ,  GULLETTE JAMES BENJAMIN ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  TARABBIA MARC ,  MA YUANSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AUGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUAN ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGERI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, um wenigstens ein Logikelement zu implementieren. Die Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind. Jeder Transistor umfasst ein Source, ein Drain und ein Gate. Eine CA-Schicht ist mit Source und/oder Drain des ersten Transistors elektrisch verbunden. Eine CB-Schicht ist mit wenigstens einem Gate der Transistoren und/oder der CA-Schicht elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102012219375A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012219375

申请日：2012-10-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RASHED MAHBUB ,  LIN IRENE Y ,  SOSS STEVEN ,  KIM JEFF ,  NGUYEN CHINH ,  TARABBIA MARC ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGERI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/11

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung zur Implementierung von wenigstens einem Logikelement bereit gestellt. Die Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind. Jeder Transistor umfasst ein Source, ein Drain und ein Gate. Eine Grabensilizidschicht verbindet Source oder Drain des ersten Transistors mit Source oder Drain des zweiten Transistors.

公开(公告)号：DE102004031715B4

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：DE102004031715

申请日：2004-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KUNJAN THOMAS ,  WINKLER JOERG ,  BARTH FRANK

IPC: G06F13/14

Abstract: Ein integrierter Schaltkreischip, insbesondere eine Southbridge, wird bereitgestellt, der eine erste und eine zweite Schaltungseinheit hat. Jede Schaltungseinheit kann Anforderungen an die andere senden und eine Antwort zurücksenden, wenn sie eine Anforderung empfängt, die eine Antwort erfordert. Die erste Schaltungseinheit ist mit der zweiten Schaltungseinheit verbunden, um an die zweite Schaltungseinheit Anforderungsdaten, die eine durch die erste Schaltungseinheit zu sendende Anforderung betreffen, und Antwortdaten, die eine durch die erste Schaltungseinheit zu sendende Antwort betreffen, über eine gemeinsame Signallinie zu senden.

公开(公告)号：DE102011079833B4

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE102011079833

申请日：2011-07-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： OSTERMAY INA ,  KRONHOLZ STEPHAN ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/04

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente werden verformungsinduzierende Halbleitermaterialien in die aktiven Gebiete auf der Grundlage von Aussparungen eingebaut, die mittels kristallographisch anisotroper Ätzverfahren hergestellt werden. Um die gewünschte Gleichmäßigkeit für den epitaktischen Aufwachsvorgang und der Transistoreigenschaften zu erreichen, wird eine vergrabene Ätzstoppschicht in den aktiven Gebieten vorgesehen. Beispielsweise kann die vergrabene Ätzstoppschicht unter Anwendung eines Implantationsprozesses eingebaut werden.

公开(公告)号：DE102011090166B3

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102011090166

申请日：2011-12-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： NAUMANN RONALD ,  GRIMM VOLKER ,  ZAKHAROV ANDREY

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

Abstract: Bei der Herstellung von verformungsinduzierenden dielektrischen Materialschichten über Transistoren unterschiedlicher Leitfähigkeitsart wird die Strukturierung mindestens einer verformungsinduzierenden dielektrischen Materialschicht auf der Grundlage einer Prozesssequenz bewerkstelligt, in der ein negativer Einfluss einer Fluorsorte in einem Sauerstoffplasma beim Entfernen der Lackmaske vermieden oder deutlich unterdrückt wird. Beispielsweise wird ein im Wesentlichen sauerstofffreier Plasmaprozess zum Entfernen des Lackmaterials angewendet.

公开(公告)号：DE102010038745B4

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102010038745

申请日：2010-07-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHUMAKOV DMYTRO ,  UTESS DIRK

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleiterbauelement mit einer ersten Verbindungskettenstruktur, die in einer ersten Bauteilebene und einer zweiten Bauteilebene ausgebildet ist, wobei die erste Verbindungskettenstruktur mehrere erste untere leitende Gebiete, die in der ersten Bauteilebene ausgebildet sind, und mehrere erste obere leitende Gebiete, die in der zweiten Bauteilebene ausgebildet sind, und mehrere erste Zwischenebenenverbindungen, die die mehreren ersten unteren leitenden Gebiete mit den mehreren ersten oberen leitenden Gebiete verbinden, aufweist; einer zweiten Verbindungskettenstruktur, die in der ersten und der zweiten Bauteilebene ausgebildet ist und mehrere zweite untere leitende Gebiete, die in der ersten Bauteilebene ausgebildet sind, mehrere zweite obere leitende Gebiete, die in der zweiten Bauteilebene ausgebildet sind, und mehrere Zwischenebenenverbindungen, die die mehreren zweiten unteren leitenden Gebiete mit den mehreren zweiten oberen leitenden Gebiete verbinden, aufweist; und einer leitenden Kammstruktur, die zwischen der ersten und der zweiten Bauteilebene ausgebildet ist und die mehrere Leitungen aufweist, die die erste und die zweite...

公开(公告)号：DE102009021490B4

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102009021490

申请日：2009-05-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LENSKI MARKUS ,  RUTTLOFF KERSTIN ,  JASCHKE VOLKER ,  SELIGER FRANK

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/283 ,  H01L27/088

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen werden Abstandshalterelemente auf der Grundlage einer Mehrschrittabscheidetechnik hergestellt, wobei ein gewisser Grad an Variabilität in den diversen Teilschichten der Abstandshaltermaterialien hinsichtlich einer unterschiedliche Dicke in verschiedenen Bereichen einer Teilschicht angewendet wird, um die Ätzbedingungen während des nachfolgenden anisotropen Ätzprozesses zu verbessern. Daher führen die Abstandshalterelemente mit der besseren Form zu günstigeren Abscheidebedingungen, wenn ein verspannungsinduzierendes dielektrisches Material verwendet wird. Folglich können Ausbeuteverluste auf Grund von Kontaktausfällen in dicht gepackten Bauteilbereichen, etwa statischen RAM-Bereichen, verringert werden.