-
公开(公告)号：KR1020150047827A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020130127787
申请日：2013-10-25
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H04N5/33 , H04N5/232 , H04N5/2351 , H04N7/18
Abstract: 본발명은적외선컬러영상획득시스템및 방법에관한것으로서, 적외선컬러영상획득시스템은둘 이상의적외선파장을피사체에조사하는적외선조사장치; 및상기적외선조사장치에의해조사되고상기피사체에의해반사된상기둘 이상의적외선파장을감지하고, 감지된상기둘 이상의적외선파장을미리결정된기준에따라변환및 조합하여컬러영상으로변환하는컬러영상획득장치를포함하고, 상기컬러영상획득장치는반사된상기둘 이상의적외선파장을감지하는촬상소자를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用红外线获得彩色图像的系统和方法，包括：红外辐射装置，其向被摄体照射两个以上的红外波; 以及彩色图像获取装置，其感测由红外线照射装置照射并被对象反射的红外波，并且根据建立的标准通过转换和组合将感测的红外波转换成彩色图像。 彩色图像获取装置包括感测反射的红外波的成像装置。
-
公开(公告)号：KR1020140087549A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020120157977
申请日：2012-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L21/26513 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L29/45
Abstract: The present invention relates to a method of repairing a defect in a junction region of a semiconductor device. A p-Ge layer grows on a substrate, and an n+ Ge region is formed on the p-Ge layer through ion implantation or in-situ doping is performed on the upper portion of the p-Ge layer to form the n+ Ge region or an oxide layer is deposited on the p-Ge layer, pattered, etched, and in-situ doped to form the n+ Ge region. After an oxide layer for capping is formed, heat treatment is performed thereon at a temperature of 600-700°C for 1 to 3 hours to deposit an electrode. A leakage current is minimized to improve characteristics of a semiconductor device by relatively reducing deep junction through the heat treatment. The method has advantages in that high integration and refinement of the semiconductor device are realized.
Abstract translation: 本发明涉及修复半导体器件的接合区域中的缺陷的方法。 p-Ge层在衬底上生长，并且通过离子注入在p-Ge层上形成n + Ge区，或者在p-Ge层的上部进行原位掺杂以形成n + Ge区或 氧化物层沉积在p-Ge层上，图案化，蚀刻和原位掺杂以形成n + Ge区域。 在形成用于封盖的氧化物层之后，在600-700℃的温度下对其进行1至3小时的热处理以沉积电极。 通过相对减少通过热处理的深度接合，使漏电流最小化以改善半导体器件的特性。 该方法具有实现半导体器件的高集成度和精细化的优点。
-
公开(公告)号：KR1020110128527A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020100048025
申请日：2010-05-24
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/042 , H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/054
Abstract: PURPOSE: A side exposure type solar battery is provided to increase efficiency by differently forming a part in which sunlight is income and a part in which an electrode is formed and to reduce series resistance of a solar battery. CONSTITUTION: A solar battery comprises a solar battery cell, a first electrode(220), and a second electrode(230). A light receiving part(211) in which external light is income is formed on a first side of the solar battery cell. The solar battery generates current from the light which is income through the light receiving part. The first electrode is formed on a second side of the solar cell. The second electrode is formed on a third side which is faced with the second side of the solar cell. The first side of the solar cell is different with the second side and the third side of the solar cell.
Abstract translation: 目的：提供侧曝式太阳能电池，以通过不同地形成阳光收入的部分和形成电极的部分来提高效率，并降低太阳能电池的串联电阻。 构成：太阳能电池包括太阳能电池单元，第一电极（220）和第二电极（230）。 在太阳能电池单元的第一侧上形成有外部光收入的受光部（211）。 太阳能电池从通过光接收部分收入的光产生电流。 第一电极形成在太阳能电池的第二侧上。 第二电极形成在面对太阳能电池的第二面的第三面上。 太阳能电池的第一面与太阳能电池的第二面和第三面不同。
-
公开(公告)号：KR101068173B1
公开(公告)日：2011-09-27
申请号：KR1020100001528
申请日：2010-01-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/04 , H01L21/306
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 윈도우층의 산화를 방지하고, 캡층 제조시 윈도우층이 식각되지 않는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 기판 상에 형성되며 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, 광전 변환셀 상에 형성되며 알루미늄을 포함한 화합물 반도체로 이루어진 제1 윈도우층(window layer)과, 제1 윈도우층 상에 형성되며 내산화성을 갖는 물질로 이루어진 제2 윈도우층과, 제2 윈도우층 상에 형성되는 캡층(cap layer)과, 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과 캡층 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다. 그리고 제2 윈도우층은 캡층과 서로 다른 식각 선택비(etch selectivity)를 갖는 물질로 이루어진다.
Abstract translation: 本发明涉及防止窗层氧化并且在盖层制造期间不蚀刻窗口层的太阳能电池。 根据本发明的太阳能电池包括：光电转换单元，形成在基板上并将光信号转换为电信号;第一窗口层，形成在光电转换单元上并由含有铝的化合物半导体制成; 第二窗口层，其形成在第一窗口层上并由具有抗氧化性的材料制成;盖层，其形成在第二窗口层上;下部电极，其形成在衬底的下部上; 设置有电极。 并且第二窗口层由与盖层具有不同蚀刻选择性的材料制成。
-
公开(公告)号：KR101925565B1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：KR1020160184217
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하기 위한 것으로서, 반도체 기판으로부터 이종 물질의 에피층을 분리하는 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 에피층의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 제1단계와, 상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 에피층을 성장시키는 제2단계와, 상기 패턴에 대응하여 상기 에피층에 갈라짐 배열을 형성시키는 제3단계 및 상기 에피층의 갈라짐 배열에 식각 용액을 침투시켜 상기 갈라짐 배열을 따라 상기 에피층에 상기 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 상기 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 반도체 기판 상에 갈라짐 패턴을 형성함에 따라 에피층에 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 반도체 기판으로부터 에피층을 신속히 분리할 수 있는 이점이 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101888585B1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：KR1020150188851
申请日：2015-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
CPC classification number: Y02P80/30
Abstract: 본발명은 III-V족화합물활용층형성용기판및 III-V족화합물활용층제조방법에관한것으로, 본발명에따르면실리콘기판의상측면상에 III-V족화합물로완충층을형성시키는 A단계; 상기 A단계에서형성된상기 III-V족화합물완충층의상측면에희생층을형성시키는 B단계; 상기 B단계에서형성된상기희생층의상측에 III-V족화합물로활용층을형성시키는 C단계; 및상기 B단계에서형성된상기희생층을제거하여상기 C단계에서형성시킨상기활용층을분리해내는 D단계; 를포함하므로내부결함의발생이억제된고품질의 III-V족화합물활용층을대면적으로제조할수 있으며, 자원을절약하고, 제조비용을감축시킬수 있는기술이개시된다.
-
公开(公告)号：KR1020180079600A
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020160184217
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/78 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 본발명은반도체기판으로부터에피층을분리하기위한것으로서, 반도체기판으로부터이종물질의에피층을분리하는방법에있어서, 상기반도체기판상에상기에피층의갈라짐배열(crack array)을결정짓는패턴을형성하는제1단계와, 상기패턴이형성된반도체기판상에에피층을성장시키는제2단계와, 상기패턴에대응하여상기에피층에갈라짐배열을형성시키는제3단계및 상기에피층의갈라짐배열에식각용액을침투시켜상기갈라짐배열을따라상기에피층에상기식각용액이침투할수 있는활로를제공하는유체채널을형성하여상기반도체기판으로부터에피층을분리하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는갈라짐패턴을이용한에피층분리방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은반도체기판상에갈라짐패턴을형성함에따라에피층에식각용액이침투할수 있는활로를제공하는유체채널을형성하여반도체기판으로부터에피층을신속히분리할수 있는이점이있다.
-
公开(公告)号：KR101875416B1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR1020160184216
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/50 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033
Abstract: 본발명은 SOI 기판상에반도체소자를형성하기위한것으로서, SOI(실리콘(111)층/절연물/실리콘(001)층) 기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, 패터닝공정을통해 GaAs의성장이필요한영역의실리콘(111)층을제거하는제1단계와, 상기실리콘(111)층을제거하고그 상층에절연막을증착하는제2단계와, 패터닝공정을통해 GaN의성장이필요한영역의상기절연막을제거하여실리콘(111)층을노출시키는제3단계와, 상기노출된실리콘(111)층상에 GaN버퍼층을성장시키는제4단계와, 상기 GaN버퍼층을성장시킨후 절연막을증착하고, 청색LED에피층영역의패터닝에의해상기청색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제5단계와, 상기청색LED에피층영역의노출된 GaN버퍼층상에청색LED에피층을성장시키는제6단계와, 상기청색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 녹색LED에피층영역의패터닝에의해상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제7단계와, 상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층상에녹색LED에피층을성장시키는제8단계와, 상기녹색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 적색LED에피층영역의패터닝에의해실리콘(001)층을노출시키는제9단계와, 상기노출된실리콘(001)층에 GaAs버퍼층을형성하고적색LED에피층을성장시키는제10단계및 상기청색LED에피층및 녹색LED에피층상부에남은절연막을제거하는제11단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는 Si(111)/(001) SOI 기판상에 GaN 및 GaAs 에피층의연속성장방법및 그에의해제조된반도체발광소자모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은결정구조가서로다른반도체재료를동일한공정기판상에서연속공정에의해에피성장을구현함으로써, 공정단계의획기적인감소로공정비용및 시간을절감할수 있으며, 연속공정상에서이루어지게되어소자간 품질의차이를최소화시키면서, 청색, 녹색, 적색반도체발광소자의공정재현성이우수하여고품위의반도체발광소자를제공하는이점이있다.
-
19.发明公开플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈 有权一种柔性太阳能电池的制造方法，由此制造的柔性太阳能电池以及使用该柔性太阳能电池的柔性太阳能电池模块
公开(公告)号：KR1020170113797A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020160036143
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0445 , H01L31/0682 , H01L31/186 , H01L31/1892
Abstract: 본발명은플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에경화성수지층을형성하는제2단계와, 상기경화성수지층을패터닝하고경화하여, 홀패턴이구비된플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기홀패턴내부에후면전극을형성시키는제4단계와, 상기벌크기판을제거하는제5단계와, 상기반도체층하부에전면전극을형성하는제6단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지그리고이를이용한플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은홀패턴이구비된플렉시블기판을적용하여플렉시블기판사용시문제되는전기적및 열적특성을향상시켜태양전지의성능을개선시킬수 있도록하였으며, 이러한홀패턴이구비된플렉시블기판을사용한플렉시블태양전지는직렬로연결하여모듈형태로사용할시에후면전극연결문제를해결하고, 무게를획기적으로줄일수 있는초경량플렉시블태양전지또는초경량플렉시블태양전지모듈을제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种生产由此制造方法的柔性太阳能电池和所述柔性太阳能电池，在形成体衬底上的半导体层的第一步骤，以及形成在半导体层上的可固化树脂层的第二步骤，上 ，图案化的第五步骤和固化该可固化树脂层，以及第三步骤，以形成具有孔图案的柔性基片，以及形成在孔图案的内部的背面电极的第四步骤中，去除所述体衬底 并且，包含该步骤6和使用该太阳能电池的柔性柔性太阳能电池模块，所述柔性太阳能电池的第一制造方法和它产生由此形成下面的技术要旨的半导体层中的前电极。 这种做发明是应用具有孔图案的柔性基板，所述柔性基板以改进电性能和热性能使用时的问题是这样可提高太阳能电池的性能，采用设置有这种孔图案的柔性基板的柔性太阳能电池 具有串联连接时要使用的模块化的，可以提供灵活的重量轻的太阳能电池或挠性重量轻的太阳能电池模块，其能够显着减轻重量能够更正背面电极连接问题的问题。
-
公开(公告)号：KR101769749B1
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020150185329
申请日：2015-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은수평방향으로굴절률이제어된양면패턴의제조방법및 그에의해제조된양면패턴에관한것으로서, 고분자기판상에미세구조체패턴및 얼라인키(align key)가형성된제1스탬프를위치시켜열간성형하여상기고분자기판에상기제1스탬프의미세구조체패턴과역상인제1패턴을각인시키고, 얼라인키를표시하는제1단계와, 상기제1패턴이각인된고분자기판에서상기제1스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에제1패턴을성형하는제2단계와, 상기제1패턴이형성된고분자기판상에유동성재료를도포하여, 상기제1패턴과역상인하측패턴을상기유동성재료하측면에형성하는제3단계와, 상기도포된유동성재료상에미세구조체패턴및 얼라인키(align key)가형성된제2스탬프를위치시켜가압하고, 경화공정을수행하여상기유동성재료상측면에상기제2스탬프의미세구조체패턴과역상인상측패턴을각인시키는제4단계및 상기상측패턴이각인된유동성재료에서상기제2스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에유동성재료로이루어진양면패턴을성형하는제5단계를포함하여이루어지되, 상기제4단계는, 상기고분자기판에표시된얼라인키와상기제2스탬프의얼라인키를정렬한후 상기유동성재료상에상기제2스탬프를위치시켜상기유동성재료의수평방향으로가해지는상기제2스탬프의가압력을제어하는것을특징으로하는수평방향으로굴절률이제어된수평방향으로굴절률이제어된양면패턴의제조방법및 이에의해제조된양면패턴을그 기술적요지로한다. 이에의해본 발명은간단한공정에의해양면패턴을동시에성형할수 있고, 특히열간성형및 임프린트공정시 얼라인키를이용함으로써, 수평방향으로의굴절률이제어된양면패턴을제공할수 있으며, 이후이종의기판또는박막에용이하게전사할수 있어다양한분야에의활용이가능한이점이있다.
Abstract translation: 制造双面图案化折射率的发明方法被控制在水平方向上，从而为在由图案精细结构的聚合物衬底上产生的图案的两侧，并对准inki（对准键）是热模压通过将形成的第一压模 到聚合物基材和雕刻微结构图案和反相摄取第一压模中的一个模式，所述第一压模中显示对齐inki的第一步骤中分离，聚合物衬底，所述第一图案被雕刻， 形成聚合物衬底上形成第一图案，所述第一液体涂覆到聚合物基材1的第二步骤中，形成在材料中的图案，形成底部表面，其中所述可流动的材料在所述第一图案和所述反相切口侧图案 第三步骤和细到所施加的流体jaeryosang结构图案和对准inki（对准键）通过将所述第二时间戳的时间戳第二到流动性jaeryosang侧压力机的精细结构图案被形成，通过进行固化处理 gwayeok 以及将第二印模与其中印有上部图案的流体材料分离以在聚合物基底上形成流体材料的双面图案的第五步骤， 第四步骤中，并随后被显示在聚合物基板对准的对准inki和对准的第二印模inki置于用于第二印模的流动性jaeryosang第二印模变成流体材料的水平方向 和用于产生在水平方向上的折射率的水平方向上的折射率的方法进行控制模式控制双方，其特征在于，用于控制所述压力，并因此通过作为技术基础制造的双面图案。 此完成本发明可以在同一时间通过时对准inki使用热成形和压印工艺形成通过简单的工艺成双面图案，特别是，能提供一个双面图案在控制的水平方向上的折射率，异质衬底或后 它可以很容易地转移到薄膜上，因此可以用于各种领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
86
records
(took 0.025 seconds)
