公开(公告)号：KR101204640B1

公开(公告)日：2012-11-23

申请号：KR1020097026362

申请日：2008-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야시타데츠야 ,  다다노리토모

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/67742

Abstract: 진공 처리 시스템(1)은, 웨이퍼(W)에 대하여 진공 하에서 CVD 처리를 수행하는 CVD 처리 챔버(12~15)와, 웨이퍼(W)를 반입/반출하는 반입/반출구(31)를 가지며, 반입/반출구(31)를 개폐할 수 있는 게이트 밸브(G)를 통해 CVD 처리 챔버(12~15)가 접속되고, 웨이퍼(W)를, 반입/반출구(31)를 통해 CVD 처리 챔버(12~15)에 대하여 반입/반출하는 반송 기구(16)를 포함하며, 그 내부가 진공 상태로 유지되는 반송실(11)과, 반입/반출구(31) 근방에 설치되며, 게이트 밸브(G)를 개방하여 반송실(11)과 어느 하나의 CVD 처리 챔버가 연통된 상태에서 반입/반출구(31)를 경유해 그 CVD 처리 챔버로 퍼지 가스를 토출하는 퍼지 가스 토출 부재(51)를 포함한다.

Abstract translation: 真空处理系统1具有用于在真空下对晶片W进行CVD处理的CVD处理室12至15以及用于装载/卸载晶片W的装载/卸载端口31， CVD处理室12至15经由能够打开和关闭装载/卸载端口31的闸阀G连接，并且晶片W被传送至CVD处理室 传送室11，其中传送室11的内部保持在真空状态;以及设置在装载/卸载端口31附近的门阀G（未示出） 并且，净化气体排出部件51在一个CVD处理室与运送室11连通的状态下经由运入搬出口31向CVD处理室排出净化气体 的。

公开(公告)号：KR1020110130481A

公开(公告)日：2011-12-05

申请号：KR1020117024195

申请日：2010-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  미야시타데츠야 ,  기무라노부키

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831

Abstract: 정전척 위로부터 피처리체를 이탈시키는 피처리체의 이탈 방법을 개시한다. 이 이탈 방법은, 처리실을 배기하는 배기 기구에 전열 가스 공급 유로를, 전열 가스 배기 유로를 거쳐서 접속하여, 정전척의 표면과 피처리체의 이면과의 사이에서, 전열 가스 공급 유로 및 전열 가스 배기 유로를 거쳐서 전열 가스를 배기하는 공정과, 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 공정을 포함한다. 그리고, 정전척의 표면과 피처리체의 이면과의 사이의 압력이, 처리실 내의 압력 이하로 된 상태에서 피처리체의 정전 흡착을 해제하여, 피처리체를 정전척 위로부터 이탈시킨다.

公开(公告)号：KR1020100055358A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：KR1020097026362

申请日：2008-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야시타데츠야 ,  다다노리토모

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/67742

Abstract: A vacuum processing system is provided with CVD processing chambers (12-15), a transfer chamber (11) and a purge gas discharging member (51). In each of the CVD processing chambers, CVD processing is performed to a wafer (W) under a vacuum state. The transfer chamber has a carry in/out port (31) for carrying in/out the wafer (W), and the CVD processing chambers (12-15) are connected to the transfer chamber through a gate valve (G) which can open/close the carry in/out port (31). The transfer chamber is provided with a transfer mechanism (16) for carrying in/out the wafer (W) to/from the CVD processing chambers (12-15) through the carry in/out port (31), and inside of the transfer chamber is kept in a vacuum state. The purge gas discharging member is arranged at the vicinity of the carry in/out port (31) for discharging a purge gas into the CVD processing chamber through the carry in/out port (31), in a state where the gate valve (G) is opened and the transfer chamber (11) is communicated with one of the CVD processing chambers.

Abstract translation: 真空处理系统设置有CVD处理室（12-15），传送室（11）和吹扫气体排出构件（51）。 在每个CVD处理室中，在真空状态下对晶片（W）进行CVD处理。 传送室具有用于进出晶片（W）的输入/输出端口（31），并且CVD处理室（12-15）通过可以打开的闸阀（G）连接到传送室 /关闭进/出口（31）。 传送室设置有传送机构（16），用于通过进/出端口（31）将晶圆（W）送入/离开CVD处理室（12-15），并且传送内部 室保持在真空状态。 吹扫气体排出构件设置在进出口（31）附近，用于通过输入/输出口（31）将清洗气体排放到CVD处理室中，其中闸阀（G ）打开，并且传送室（11）与CVD处理室中的一个连通。

公开(公告)号：KR100723078B1

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：KR1020077001030

申请日：2004-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카마사유키 ,  가이고우조 ,  무라카미세이시 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은, 원료 가스와 반응성 가스를 이용하여, 피 처리체(예를 들면 반도체 웨이퍼)에 대하여 성막 처리 등을 실행하기 위한 처리 장치에 관한 것이다. 이 장치는, 내부에 피 처리체(W)를 수용하는 처리 용기(22), 처리 용기내로 원료 가스 및 반응성 가스를 각각 선택적으로 공급하는 원료 가스 공급계(50) 및 반응성 가스 공급계(52), 그리고 처리 용기내의 분위기를 진공 배기하기 위한, 진공 펌프(44,46)를 갖는 진공 배기계(36)를 구비한다. 이 장치는 또한, 원료 가스 및 반응성 가스를, 각각의 가스 공급계로부터 각각의 처리 용기를 우회하여 진공 배기계에 선택적으로 유동시키는 원료 가스 바이패스계(62) 및 반응성 가스 바이패스계(66)를 구비한다. 각각의 바이패스계(62,66)에는, 각각 닫힌 상태에서, 진공 배기계로의 원료 가스 및 반응성 가스의 유출을 방지하는 원료 가스 유출 방지 밸브(X1) 및 반응성 가스 유출 방지 밸브(Y1)가 설치된다.

Abstract translation: 本发明中，通过使用原料气体和反应性气体，在处理装置用于执行膜形成过程中，如相对于所述目标对象（例如，半导体晶片）。 用于接收所述处理容器22中，每个选择原料气体的供给系统50和用于供给源气体和反应性气体流入所述处理容器内的反应性气体供给系统52内的目标对象（W）的装置 以及具有真空泵44和46的真空排气系统36，用于排空处理容器中的气氛。 该装置还包括一个源气体和反应性气体，任选地流动的原料气体旁路系统62和反应性气体旁路系统（66）连接到真空抽吸系统，以从各气体供给系统的绕过每一个处理容器的 和。 每个旁路系统（62,66）的每一个均处于关闭状态，从而防止材料用于防止气体的泄漏和反应气体到真空排气系统中的原料气体的出口阀（X1）和反应气体流出防止阀（Y1）被安装， 是的。

公开(公告)号：KR101685753B1

公开(公告)日：2016-12-12

申请号：KR1020137024499

申请日：2012-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토가오루 ,  하라마사미치 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/16 ,  C23C14/56 ,  F16K51/02 ,  F16K3/02 ,  F16K3/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  B65G49/00 ,  C23C16/54

CPC classification number: F16K3/30 ,  B65G49/00 ,  C23C14/566 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4401 ,  F16K3/0227 ,  F16K3/182 ,  F16K51/02 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/76841

Abstract: 온도가상온보다도높아지는측벽과, 상기측벽에마련된제 1 기판반입·반출구를가지는감압가능한핫 월챔버와, 상기핫 월챔버에대하여기판을반입·반출하는반송아암기구와, 제 2 기판반입·반출구를가지는감압가능한트랜스퍼챔버와, 상기핫 월챔버와상기트랜스퍼챔버의사이에마련되는게이트밸브장치를구비한기판처리장치. 상기게이트밸브장치는연통구멍과, 제 1 하우징체기판반입·반출구와, 제 2 하우징체기판반입·반출구가마련된측벽을가지는하우징체와, 상기하우징체의내부를자유롭게승강할수 있는밸브체와, 제 1 시일부재와상기제 1 시일부재의외측에마련된제 2 시일부재를가지는 2중시일구조를구비하고, 상기연통구멍은, 상기제 1 시일부재와상기제 2 시일부재와의사이의극간을상기하우징체의내부공간과연통한다.

Abstract translation: 基板处理装置包括具有侧壁的可降压热壁室，其温度变得高于室温，以及设置在侧壁中的第一基板输送口，具有转移臂机构和第二基板输送口的可降压输送室，以及 设置在所述热壁室和所述传送室之间的闸阀单元。 闸阀单元包括：壳体，其具有设置有连通孔的侧壁，第一壳体基板传送端口和第二壳体基板传送端口; 可在壳体内升降的阀体; 以及具有第一密封构件和设置在第一密封构件的外侧的第二密封构件的双重密封结构。 连通孔与第一密封构件和第二密封构件之间的间隙与壳体的内部空间连通。

公开(公告)号：KR1020150034143A

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：KR1020147037041

申请日：2013-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  후루카와신지 ,  마에다고지 ,  하라마사미치 ,  스즈키나오유키 ,  미키히로시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/568 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67745 ,  H01L43/12

Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다.

公开(公告)号：KR1020140021566A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020137024499

申请日：2012-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토가오루 ,  하라마사미치 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/16 ,  C23C14/56 ,  F16K51/02 ,  F16K3/02 ,  F16K3/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  B65G49/00 ,  C23C16/54

CPC classification number: F16K3/30 ,  B65G49/00 ,  C23C14/566 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4401 ,  F16K3/0227 ,  F16K3/182 ,  F16K51/02 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/76841 ,  C23C16/54

Abstract: 온도가 상온보다도 높아지는 측벽과, 상기 측벽에 마련된 제 1 기판 반출입구를 가지는 감압 가능한 핫 월 챔버와, 상기 핫 월 챔버에 대하여 기판을 반출입하는 반송 아암 기구와, 제 2 기판 반출입구를 가지는 감압 가능한 트랜스퍼 챔버와, 상기 핫 월 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버의 사이에 마련되는 게이트 밸브 장치를 구비한 기판 처리 장치. 상기 게이트 밸브 장치는 연통 구멍과, 제 1 하우징체 기판 반출입구와, 제 2 하우징체 기판 반출입구가 마련된 측벽을 가지는 하우징체와, 상기 하우징체의 내부를 자유롭게 승강할 수 있는 밸브체와, 제 1 시일 부재와 상기 제 1 시일 부재의 외측에 마련된 제 2 시일 부재를 가지는 2중 시일 구조를 구비하고, 상기 연통 구멍은, 상기 제 1 시일 부재와 상기 제 2 시일 부재와의 사이의 극간을 상기 하우징체의 내부 공간과 연통한다.

Abstract translation: 基板处理装置包括具有侧壁的可降压热壁室，其温度变得高于室温，以及设置在侧壁中的第一基板输送口，具有转移臂机构和第二基板输送口的可降压输送室，以及 设置在所述热壁室和所述传送室之间的闸阀单元。 闸阀单元包括：壳体，其具有设置有连通孔的侧壁，第一壳体基板传送端口和第二壳体基板传送端口; 可在壳体内升降的阀体; 以及具有第一密封构件和设置在第一密封构件的外侧的第二密封构件的双重密封结构。 连通孔与第一密封构件和第二密封构件之间的间隙与壳体的内部空间连通。

公开(公告)号：KR1020100065127A

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：KR1020097027030

申请日：2008-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야시타데츠야 ,  히라타도시하루 ,  하라마사미치

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/67184 ,  C23C14/566 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6723

Abstract: A vacuum processing system is provided with a first processing section (2) wherein PVC processing chambers (12-15) are connected to a first transfer chamber (11) to which a wafer is to be transferred; a second processing section (3) wherein CVD processing chambers are connected to a second processing chamber (21) to which the wafer is to be transferred; a buffer chamber (5a), which is arranged between the first transfer chamber (11) and the second transfer chamber (12) through a gate valve (G), stores the wafer, and is capable of adjusting pressure therein; and a control section (110) for controlling opening/closing of a gate valve (G) and pressure in the buffer chamber (5a) so that the buffer chamber (5a) is selectively communicated with either the first transfer chamber (11) or the second transfer chamber (12) and that pressure inside matches with pressure inside the communicating transfer chamber.

Abstract translation: 真空处理系统设置有第一处理部分（2），其中PVC处理室（12-15）连接到待传送晶片的第一传送室（11）; 第二处理部（3），其中CVD处理室与要转印晶片的第二处理室（21）连接; 通过闸阀（G）布置在第一传送室（11）和第二传送室（12）之间的缓冲室（5a）存储晶片，并且能够调节其中的压力; 以及用于控制闸阀（G）的打开/关闭和缓冲室（5a）中的压力的​​控制部分（110），使得缓冲室（5a）选择性地与第一传送室（11）或 第二传送室（12），并且内部压力与连通传送室内的压力匹配。

公开(公告)号：KR1020070012574A

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020077001030

申请日：2004-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카마사유키 ,  가이고우조 ,  무라카미세이시 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562

Abstract: A treating device for applying film- formation treatment to a body to be treated (for example, semiconductor wafer) by using raw material gas and reactive gas, comprising a treatment container (22) storing the body to be treated (W) therein, a raw material gas supply system (50) and a reactive gas supply system (52) selectively supplying the raw material gas and the reactive gas into the treatment container, and an evacuating system (36) having vacuum pumps (44) and (46) for evacuating atmosphere in the treatment container. The device further comprises a raw material gas bypassing system (62) and a reactive gas bypassing system (66) selectively flowing the raw material gas and the reactive gas from the gas supply systems to the evacuating system while bypassing the treatment container. A raw material gas outflow prevention valve (X1) and a reactive gas outflow prevention valve (Y1) for preventing, in closed states, the raw material gas and the reactive gas from flowing out to the evacuation system are installed in the bypass systems (62) and (66). ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 一种处理装置，其通过使用原料气体和反应性气体，将待处理体（例如半导体晶片）进行成膜处理，包括：将待处理体（W）存储在其中的处理容器（22） 原料气体供给系统（50）和选择性地将原料气体和反应性气体供给到处理容器中的反应气体供给系统（52）以及具有真空泵（44）和（46）的排气系统（36），用于 在处理容器中抽真空。 该设备还包括原料气旁通系统（62）和反应气体旁通系统（66），其选择性地将原料气体和反应性气体从气体供应系统流动到排气系统，同时绕过处理容器。 旁路系统（62）中安装有原料气体流出防止阀（X1）和反应气体流出防止阀（Y1），用于防止原料气体和反应气体在关闭状态下流出到排气系统 ）和（66）。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR102139872B1

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：KR1020180154318

申请日：2018-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에다고지 ,  요코하라히로유키 ,  소네히로시 ,  미야시타데츠야

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C14/34 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687