Abstract:
A cleaning process using a cleaning liquid nozzle and a rinse process using a side rinse nozzle are performed to a wafer, and then a drying process is performed. In the drying process, the wafer is rotated, pure water starts to be supplied to a center point of the wafer from the pure water nozzle, and substantially at the same time, nitrogen gas starts to jet from a gas nozzle, at the wafer center part, to a point at a suitable distance from the wafer center. Then, while permitting the pure water nozzle to scan the wafer toward the wafer circumference, the gas nozzle is permitted to scan the wafer toward the wafer circumference in an area inner than the pure water nozzle position, after passing the wafer center.
Abstract:
PURPOSE: A substrate liquid processing apparatus, a substrate liquid processing method, and a storage medium having substrate liquid processing program stored therein are provided to prevent the electrostatic destruction by discharging the electric charges charged on a substrate through a chuck for maintaining the substrate. CONSTITUTION: A first processing liquid discharge unit discharges the processing liquid to the circuit-forming surface of a substrate(2). A second processing solution discharge unit(25) discharges the processing liquid to the opposite side of the circuit-forming surface of the substrate. A control unit(26) controls the substrate maintaining unit and the first and the second processing solution discharge unit.
Abstract:
A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recoding medium are provided to reduce an amount of the low humidity gas by supplying the low humidity gas by arranging a gas discharging head in a proximal position when drying the substrate. A chamber(1) accommodates a substrate(W). A substrate maintaining unit horizontally maintains the substrate in the chamber. The rotating device rotates the substrate maintaining unit. A gas discharging head(7) discharges one of the low humidity gas and the clean air to the lower part. The gas supply unit supplies one of the low humidity gas and the clean air to the gas discharging head. A shaft(12) is rotated by a rotation motor(11). A nozzle head(14) moves on the wafer by rotating a nozzle arm(13).
Abstract:
본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판(W)을 유지하여 이를 회전시키는 스핀척(3)을 구비한다. 스핀척에 의해 회전되는 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급 시스템(11,…)이 마련된다. 또한, 기판에 대하여, 처리액보다도 휘발성이 높은 건조용 유체를 공급하는 유체 노즐(12)과, 기판에 대하여 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 노즐(13)이 마련된다. 불활성 가스 노즐이 유체 노즐보다도 기판의 회전 중심(P o )에 가까워지도록 유지하면서, 이들의 노즐(12, 13)을 기판의 회전 중심에 대하여 반경 방향 외측으로 향해 이동시키는 노즐 이동 기구(15, 52,…)가 마련된다.
Abstract:
본 발명은 가스와 액체를 내부에서 혼합하고, 액적을 가스와 함께 분사하여 기판을 세정하는 기판 세정용 2 유체 노즐에서, 액적의 입자 지름과 속도를 균일화시키는 것을 목적으로 한다. 기판 세정용 2 유체 노즐에서, 가스를 공급하는 가스 공급로와, 액체를 공급하는 액체 공급로와, 내부에서 형성한 액적을 도출하는 도출로를 구비하고, 상기 도출로의 선단에 액적을 외부에 분사하기 위한 분사구를 형성하며, 상기 분사구의 단면적(Sb)을 상기 도출로의 단면적(Sa)보다 작게 형성하면서, 상기 가스 공급로의 출구의 단면적(Sc)을 상기 도출로의 단면적(Sa)보다 작게 형성하였다.
Abstract:
본 발명의 기판세정장치는, 실질적으로 수평으로 유지된 기판에 대하여 상대이동접촉되는 액투과성의 막스크럽부재와, 이 막스크럽부재를 지지하는 지지부와, 막스크럽부재를 통해서 기판에 세정액을 공급하기 위한 공급관과, 이 공급관에 세정액을 공급하는 세정액공급원과, 세정액의 공급에 의해 부풀려진 막스크럽부재를 기판에 밀어붙이는 실린더기구와, 세정액의 공급에 의해 부풀려진 막스크럽부와 기판을 상대적으로 수평이동시키는 스핀척을 구비한다.
Abstract:
PURPOSE: A method for cleaning substrates, an apparatus for cleaning the substrates, and a computer-readable storage media are provided to clean the substrates by colliding cleaning particles in dry air or flowing inert gas to the substrates. CONSTITUTION: An external chamber(2) receives substrates. A cleaning nozzle-arm housing houses a cleaning nozzle-arm(31). A rinse liquid nozzle-arm housing houses a rinse liquid nozzle-arm(32) for supplying rinse liquid. A spin chuck(12) is loaded in an inner cup(11) for supporting substrates. An under plate(13) upwardly and downwardly moves in order to correspond to the substrates which are supported by the spin chuck.