公开(公告)号：KR1020090088796A

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：KR1020090008501

申请日：2009-02-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70466

Abstract: A method for forming a pattern, a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device are provided to reduce a manufacturing cost of a semiconductor device and to simplify a process by forming a fine pattern without use of a hard mask. In a process(201) for forming a first pattern, a first pattern is formed by coating, exposing, and developing a chemically amplified resist including an acid generating agent. In a process(202) for giving solvent tolerance and developing solution tolerance, the first pattern has solvent tolerance and developing solution tolerance by contacting an alkaline solution or an alkaline gas in the first pattern. In a process(203) for forming a second pattern, a second pattern is formed by coating, exposing, and developing a chemically amplified resist including an acid generating agent. The process for giving the solvent tolerance and the developing solution tolerance includes a process for irradiating an ultraviolet ray. The alkaline solution or the alkaline gas includes an amine-based material. A heating process(202b) is included between the process for giving the solvent tolerance and the developing solution tolerance and the process for forming the second pattern.

Abstract translation: 提供一种用于形成图案的方法，用于制造半导体器件的方法和装置，以减少半导体器件的制造成本，并且通过在不使用硬掩模的情况下形成精细图案来简化工艺。 在用于形成第一图案的工艺（201）中，通过涂覆，曝光和显影包含酸产生剂的化学放大型抗蚀剂形成第一图案。 在用于赋予耐溶剂性和显影溶液耐受性的方法（202）中，第一图案通过使第一图案中的碱性溶液或碱性气体接触而具有耐溶剂性和显影溶液耐受性。 在用于形成第二图案的工艺（203）中，通过涂覆，曝光和显影包含酸生成剂的化学放大型抗蚀剂形成第二图案。 赋予溶剂耐受性和显影溶液耐受性的方法包括用于照射紫外线的方法。 碱性溶液或碱性气体包括胺类材料。 在提供耐溶剂性和显影液耐受性的方法和形成第二图案的工艺之间包括加热工艺（202b）。

公开(公告)号：KR1020070019774A

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020067027903

申请日：2005-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시무라사토루 ,  구보타가즈히로 ,  아사코류이치 ,  다카야마세이이치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법에서는, 피처리체 상에 배치된 피에칭막(74) 상에 소정의 개구 패턴을 갖는 에칭 마스크(75b)를 형성한다. 다음에, 제 1 처리실 내에 있어서, 에칭 마스크(75b)의 개구 패턴을 통해 피에칭막(74)에 에칭 처리를 실시하는 것에 의해, 피에칭막에 홈 또는 구멍(78a)을 형성한다. 다음에, 에칭 처리 후의 피처리체를, 진공 분위기 하에서 제 1 처리실로부터 제 2 처리실로 반송한다. 다음에, 제 2 처리실 내에 있어서, 피에칭막(74)의 노출부인 홈 또는 구멍(78a)의 측면부에 실릴화 처리를 실시한다.

Abstract translation: 在根据本发明的制造半导体器件的方法中，具有预定开口图案的蚀刻掩模75b形成在设置在待处理对象上的蚀刻膜74上。 接下来，通过在第一处理室中通过蚀刻掩模75b的开口图案对蚀刻膜74执行蚀刻处理，在蚀刻膜中形成凹槽或孔78a。 接着，在真空环境下将被蚀刻物从第一处理室搬运到第二处理室。 接下来，在第二处理室中，在作为蚀刻膜74的暴露部分的凹槽或孔78a的侧表面上执行甲硅烷基化处理。

公开(公告)号：KR1020060127239A

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020067020163

申请日：2005-03-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아시가키시게오 ,  가토요시히로 ,  히로타요시히로 ,  무라키유스케 ,  가와사키데쓰 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/42 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67051 ,  H01J2237/3342

Abstract: Disclosed is a method for processing a substrate comprising a step for sequentially forming an Si-C film and a resist film on an object film to be etched which is formed on a substrate, a first etching step for etching the Si-C film using the resist film as a mask, and a second etching step for etching the object film using the resist film and the Si-C film as a mask. This method further comprises a separation step at a desired timing wherein the resist film is separated. The separation step has a preparation sub-step for preparing an organic solvent as a remover, and an application sub-step for applying the organic solvent to the resist film.

Abstract translation: 公开了一种用于处理衬底的方法，包括在形成在衬底上的被蚀刻对象膜上依次形成Si-C膜和抗蚀剂膜的步骤，用于使用该蚀刻步骤蚀刻Si-C膜的第一蚀刻步骤 抗蚀剂膜作为掩模，以及第二蚀刻步骤，用于使用抗蚀剂膜和Si-C膜作为掩模来蚀刻物体膜。 该方法还包括分离步骤，其中所述抗蚀剂膜被分离。 分离步骤具有制备作为除去剂的有机溶剂的制备子步骤和将有机溶剂施加到抗蚀剂膜的应用子步骤。

公开(公告)号：KR102049431B1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：KR1020190044219

申请日：2019-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  시무라사토루 ,  야마시타마사미 ,  칸노이타루

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101788908B1

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：KR1020140023473

申请日：2014-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405

Abstract: 본발명의과제는기판상에레지스트패턴을적절하고또한효율적으로형성하는것이다. 웨이퍼(W)에포토리소그래피처리를행하여, 당해웨이퍼(W) 상에제1 레지스트패턴(402)을형성한다[도 8의 (a)]. 제1 레지스트패턴(402)의측면의중간노광영역(403)에알코올을진입시키고, 또한중간노광영역(403)에알코올을통해금속을침윤시킨다[도 8의 (b)]. 제1 레지스트패턴(402)에있어서중간노광영역(403)의내측이며, 금속이침윤하고있지않은미노광영역(404)을제거하고, 웨이퍼(W) 상에제2 레지스트패턴(406)을형성한다[도 8의 (c)]. 제2 레지스트패턴(406)을마스크로하여피처리막(400)을에칭처리하고, 당해피처리막(400)에소정의패턴(408)을형성한다[도 8의 (d)].

Abstract translation: 本发明要解决的问题是适当且高效地在基板上形成抗蚀剂图案。 对晶片W进行光刻工艺以在晶片W上形成第一抗蚀剂图案402（图8A）。 醇进入第一抗蚀剂图案402的侧表面上的中间曝光区域403，并且金属通过中间曝光区域403中的醇渗透（图8（b））。 首先形成在中间曝光区域403中，金属渗透的内侧，并除去未曝光的区域404都没有，而在抗蚀剂图案402的晶片（W）（406）在所述第二抗蚀剂图案 （图8（c））。 使用第二抗蚀剂图案406作为掩模来蚀刻目标膜400，以在牺牲膜400上形成预定图案408（图8（d））。

公开(公告)号：KR101716926B1

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：KR1020130091310

申请日：2013-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루 ,  요시하라고오스케

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02104 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 본발명의과제는기판의주연부로의하드마스크의부착을방지하고, 하드마스크의도포를쉽게행할수 있도록한 도포처리방법및 도포처리장치를제공하는것이다. 웨이퍼(W)의표면에하드마스크액(H)을도포하여하드마스크막(HM)을형성하는도포처리에있어서, 연직축주위로회전하는웨이퍼의표면주연부에마스킹노즐(54)로부터마스킹액(PR)을공급하여웨이퍼주연부에마스킹막(M)을형성한후, 웨이퍼의표면에하드마스크노즐(50)로부터하드마스크액(H)을공급하여웨이퍼표면에하드마스크막(HM)을형성하고, 그후, 하드마스크막제거노즐로부터웨이퍼의주연부에형성되어있는하드마스크막에하드마스크막제거액을공급하여웨이퍼의주연부의하드마스크막을제거하고, 그후, 마스킹막제거노즐(55)로부터마스킹막제거액(D)을공급하여웨이퍼주연부의마스킹막을제거한다.

Abstract translation: 在本发明中，将掩模溶液供给到在垂直轴上旋转的基板的前表面的边缘部分，以在基板的边缘部分形成掩模膜，将硬掩模溶液供给到 在基板的正面上形成硬掩模膜的基板，将硬膜掩模膜溶解的硬掩模膜去除溶液供给到形成在基板的边缘部分的硬掩模膜，以除去形成在该基板上的硬掩模膜 将基板的边缘部分和溶解掩模膜的掩模膜去除溶液供应到掩模膜以去除基板边缘部分处的掩模膜。

公开(公告)号：KR1020160102184A

公开(公告)日：2016-08-29

申请号：KR1020167016020

申请日：2014-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오사카 유니버시티

Inventor： 나가하라세이지 ,  시라이시고우스케 ,  시무라사토루 ,  요시하라코우스케 ,  카와카미신이치로 ,  토모노마사루 ,  타가와세이이치 ,  오시마아키히로

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/2004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67225 ,  G03F7/70991

Abstract: 기판을처리하는기판처리시스템은기판을처리하는복수의처리장치가마련된처리스테이션과, 기판처리시스템의외부에마련되어기판상의레지스트막에패턴의노광을행하는노광장치와기판처리시스템과의사이에서직접적또는간접적으로기판을전달하는인터페이스스테이션과, 패턴의노광이행해진후의기판상의레지스트막에대하여 UV광에의한포스트노광을행하는광 조사장치와, 광조사장치를수용하고, 감압또는불활성가스분위기로조정가능한포스트노광스테이션을가지고, 포스트노광스테이션은노광장치와직접적, 또는감압또는불활성가스분위기로조정가능한공간을개재하여간접적으로접속되어있다.

Abstract translation: 一种用于处理基板的基板处理系统，包括：设置有多个处理基板的处理装置的处理台; 接口站，其在设置在基板处理系统外部的曝光装置之间直接或间接地传送基板，并且在基板上的抗蚀剂膜上进行图案的曝光;以及基板处理系统; 执行曝光图案之后，使用UV光对基板上的抗蚀剂膜进行后曝光的光照射装置; 以及容纳光照射装置并且可以减压或惰性气体气氛调节的后曝光站，其中后曝光站通过可调节到减压的空间直接或间接连接到曝光装置，或 惰性气体气氛。

公开(公告)号：KR1020140018129A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：KR1020130091310

申请日：2013-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미코 ,  시무라사토루 ,  요시하라고오스케

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02104 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/302

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a coating treatment method and a coating treatment device, capable of preventing a hard mask from being attached to the edge of a substrate and allowing a user to easily coat the hard mask. A hard mask liquid (H) is coated on the surface of a wafer (W), and a hard mask film (HM) is formed in a coating treatment. A masking liquid (PR) is supplied from a masking nozzle (54) to the edge on the surface of the wafer rotating around a vertical axis, and the masking film (M) is formed on the edge of the wafer. The hard masking liquid (H) is supplied from a hard mask nozzle (50) on the surface of the wafer so that the hard mask film (HM) is formed on the surface of the wafer. After then, a hard mask film removal liquid is supplied from the hard mask film removal nozzle to the hard mask film formed on the edge of the wafer so that the hard mask film on the edge of the wafer is removed. A masking film removing liquid (D) is supplied from a masking film removing nozzle (55) so that the masking film on the edge of the wafer is removed.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种涂层处理方法和涂覆处理装置，其能够防止将硬掩模附着到基板的边缘并允许使用者容易地涂覆硬掩模。 在晶片（W）的表面上涂覆硬掩模液（H），在涂布处理中形成硬掩模膜（HM）。 掩模液（PR）从掩模喷嘴（54）供给到围绕垂直轴旋转的晶片表面上的边缘，并且掩模膜（M）形成在晶片的边缘上。 硬掩模液体（H）由晶片表面上的硬掩模喷嘴（50）提供，从而在晶片的表面上形成硬掩模膜（HM）。 然后，将硬掩模膜去除液从硬掩模膜去除喷嘴供给到形成在晶片边缘上的硬掩模膜，从而去除晶片边缘上的硬掩模膜。 从掩模去膜喷嘴（55）供给掩模去膜液（D），从而去除晶片边缘上的掩模膜。

公开(公告)号：KR101032225B1

公开(公告)日：2011-05-02

申请号：KR1020060081611

申请日：2006-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토타로 ,  쿄우다히데하루 ,  카와사키테츠 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 본 발명은 기판세정장치 및 기판세정방법에 관한 것으로서 세정액노즐로부터의 세정액의 공급 위치를 기판의 중앙부로부터 주변으로 향해 이동시킴과 동시에 공급 위치에서 기판의 회전 방향에 있어서의 하류측 영역에 대해서 기판의 외측으로 향해 가스를 불어낸다. 이것에 의해 세정액이 기판의 표면을 조금 흘러 액막을이룬 상태로 기류에 의한 외측으로 향한 힘이 작용하므로 주방향으로 흐르는 액흐름이 외측으로 이동한다. 또 세정액노즐로부터 토출된 세정액을 토출구와 같은 높이나 그것보다 낮은 위치에 형성된 액누름면부에 의해 구속함으로써 액의 응집이 생기므로 저회전에서도 원심력이 커져 그 액의 응집이 밖으로 향하는 작용이 커진다. 기판의 표면을 스핀 세정하는 것에 있어 기판상에 잔존하는 물방울을 저감하고 예를 들면 노광 후의 가열 처리시에 있어서의 물방울 혹은 워터마크에 의한 가열 얼룩을 억제하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101000947B1

公开(公告)日：2010-12-13

申请号：KR1020090011979

申请日：2009-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: A semiconductor device manufacturing apparatus includes: a first pattern forming unit for forming a first pattern by patterning a first mask material layer; a boundary layer forming unit for forming a boundary layer at sidewall portions and top portions of the first pattern; a second mask material layer forming unit for forming a second mask material layer so as to cover a surface of the boundary layer; a second mask material removing unit for removing a part of the second mask material layer to expose top portions of the boundary layer; a boundary layer etching unit for forming a second pattern by etching and removing the boundary layer and forming a void between the sidewall portions of the first pattern and the second mask material layer; and a trimming unit for reducing a width of the first pattern and a width of the second pattern to predetermined widths.

Abstract translation: 一种半导体器件制造设备包括：第一图案形成单元，用于通过图案化第一掩模材料层形成第一图案; 边界层形成单元，用于在所述第一图案的侧壁部分和顶部形成边界层; 第二掩模材料层形成单元，用于形成第二掩模材料层以覆盖边界层的表面; 第二掩模材料去除单元，用于去除第二掩模材料层的一部分以暴露边界层的顶部; 边界层蚀刻单元，用于通过蚀刻并去除边界层并在第一图案和第二掩模材料层的侧壁部分之间形成空隙来形成第二图案; 以及修剪单元，用于将第一图案的宽度和第二图案的宽度减小到预定宽度。