公开(公告)号：KR100870608B1

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：KR1020040067671

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  스즈끼게이스께 ,  하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: 본 발명의 과제는 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 열처리 방법 및 열처리 장치를 제공하는 것이다.
열처리 장치(1)의 제어부(100)는 복수매의 반도체 웨이퍼(W)를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 웨이퍼 보트(11)를 반응관(2) 내에 반입한다. 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 웨이퍼 보트(11)를 반응관(2) 내에 반입하면 반응관(2) 내를 반도체 웨이퍼(W) 또는 웨이퍼 보트(11)의 치핑이 반응관(2) 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 치핑을 반응관(2) 밖으로 배출 가능한 압력으로 유지한 상태에서 반응관(2) 내를 소정의 온도로 승온한다.
열처리 장치, 웨이퍼 보트, 반응관, 반도체 웨이퍼

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够抑制粒子附着于被处理物的热处理方法及热处理装置。

公开(公告)号：KR100779823B1

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：KR1020047018897

申请日：2004-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4404

Abstract: 본 발명은 피처리체를 수용하는 반응실 내에 처리 가스를 공급하여 상기 피처리체에 박막을 형성하는 박막 형성 장치를 세정하는 방법이며, 상기 반응실 내에 질소를 포함하는 활성화 가능한 질소계 가스를 공급하여 상기 반응실 내를 퍼지하는 퍼지 공정을 구비한다. 상기 퍼지 공정은 상기 질소계 가스를 활성화시켜 상기 반응실 내의 부재의 표면을 질화시키는 공정을 구비한다.
박막 형성 장치, 질소계 가스, 퍼지 공정, 열처리 장치

公开(公告)号：KR1020060065513A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020050119270

申请日：2005-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4408

Abstract: 예를 들어 질화실리콘막을 형성할 때, 성막 처리 후에 상기 성막 처리에 대응한 퍼지 레시피에 의해 반응 용기 내의 퍼지 처리를 행하여 반응 용기 내에 부착된 가스나 파티클의 원인이 되는 막의 표층부를 제거하여 가스나 파티클의 발생을 저감시키는 것이다.
다수매의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(25)에 보유 지지시켜 반응 용기(2) 내에 반입하고, 예를 들어 Si
2 Cl
2 가스와 NH
3 가스를 성막 가스로서 이용한 성막 레시피(1)의 성막 처리를 행한다. 계속해서 이 성막 처리에 대응하는 퍼지 레시피(1)를 자동적으로 선택하고, 상기 퍼지 레시피(1)에 따라서 반응 용기(2)의 퍼지 처리를 행한다. 성막 처리의 종별마다 퍼지 레시피를 준비하여 각 성막 처리에 대응하는 퍼지 레시피를 자동적으로 선택하여 퍼지 처리를 행함으로써 불필요한 퍼지 시간의 발생을 억제한 상태에서 각 성막 처리에 대응한 적절한 퍼지 처리를 행할 수 있다.
성막 레시피, 퍼지 레시피, 반응 용기, 웨이퍼 보트, 플랜지, 인젝터

公开(公告)号：KR1020060048790A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050068174

申请日：2005-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  초우파오화 ,  김채호 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/507

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 도핑 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 CVD에 의해 불순물을 함유하는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물의 막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1 공정에서는 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행한다. 제2 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정에서는 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정은 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비한다. 제4 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 가스 노즐, 승강 기구

公开(公告)号：KR1020050021338A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020040067670

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  고쯔가이히로미찌

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905

Abstract: PURPOSE: A method for cleaning an apparatus for forming a thin film is provided to remove an adhesion material in a thin film forming apparatus while planarizing the inside of the thin film forming apparatus by performing a cleaning process and a planarization process. CONSTITUTION: Cleaning gas is supplied to the inside of a reaction chamber heated to a predetermined temperature so as to be activated. The adhesion material is eliminated by the activated cleaning gas to clean the inside of a thin film forming apparatus. The inside of the reaction chamber cleaned by the cleaning process is maintained at a predetermined temperature. Gas including hydrogen fluoride gas is supplied to the inside of the reaction chamber maintained at the predetermined temperature to planarize the inside of the thin film forming apparatus.

Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁用于形成薄膜的装置的方法，以通过执行清洁处理和平坦化处理来平坦化薄膜形成装置的内部，从而去除薄膜形成装置中的粘附材料。 构成：将清洁气体供给到加热到预定温度的反应室内部以便被激活。 通过活化的清洁气体去除粘合材料以清洁薄膜形成装置的内部。 通过清洁处理清洁的反应室内部保持在预定温度。 将包含氟化氢气体的气体供给到保持在规定温度的反应室内部，使薄膜形成装置的内部平坦化。

公开(公告)号：KR101133341B1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020070099213

申请日：2007-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  미즈나가사또시 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은, 상기 성막 장치의 반응실의 내면으로부터 부생성물막을 제1 클리닝 가스에 의해 제거하는 제1 클리닝 처리를 포함한다. 여기서, 상기 반응실 내에 상기 제1 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 제1 클리닝 가스가 활성화하는 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 상기 사용 방법은 또한, 상기 반응실의 상기 내면으로부터 오염 물질을 제2 클리닝 가스에 의해 제거하는 제2 클리닝 처리를 포함한다. 여기서, 상기 반응실 내에 상기 제2 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 제2 클리닝 가스가 활성화하는 제2 온도 및 제2 압력으로 설정한다. 상기 제2 클리닝 가스는 염소 함유 가스를 포함한다.
열처리 장치, 덮개 부재, 히터, 웨이퍼 보트, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR101046523B1

公开(公告)日：2011-07-04

申请号：KR1020057016676

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 자연 산화막이나 케미컬 산화막 등의 실리콘 산화막을, 실온보다도 상당히 높은 온도 하에서 효율적으로 제거하는 것이 가능한 실리콘 산화막의 제거 방법을 제공한다.
진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(18) 내에서, 피처리체(W)의 표면에 형성되어 있는 실리콘 산화막을 제거하기 위한 제거 방법에 있어서, HF 가스와 NH
3 가스의 혼합 가스를 이용하여 상기 실리콘 산화막을 제거한다. 이와 같이 HF 가스와 NH
3 가스의 혼합 가스를 이용함으로써, 피처리체의 표면에 형성되어 있는 실리콘 산화막을 효율적으로 제거하는 것이 가능해진다.
처리 용기, 피처리체, 케미컬 산화막, 실리콘 산화막, 열산화막

Abstract translation: 一种氧化硅膜去除方法，其能够在远高于室温的温度下有效地去除诸如天然氧化物膜或化学氧化物膜的氧化硅膜。

公开(公告)号：KR1020090037821A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：KR1020080099372

申请日：2008-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  미야하라다까히로 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667

Abstract: A method for forming a poly-silicon film is provided to perform a process of growing a film by using a diameter control gas including an element promoting a poly-silicon film fine. A wafer boat(20) is heated by a heater(4), and a wafer boat is received from a down opening of a reaction tube(10) inside a platform(16). The forming gas supply source(25) supplies a forming gas to an inner tube(12) through a gas pipe line(26). A doping gas source(29) supplies the doping gas to the inner tube through the gas pipe line(30). The diameter control gas source(33) supplies the gas to the inner tube through the gas pipe line(34). An amorphous silicon film is accumulated by performing processes of growing a film with it, and a purge gas is supplied to a reaction tube from the gas pipe line. The amorphous silicon film is transformed to the polysilicon layer through an annealing process.

Abstract translation: 提供一种形成多晶硅膜的方法，以通过使用包括促进多晶硅膜的元素的直径控制气体来进行膜生长的工艺。 晶片舟（20）由加热器（4）加热，晶片舟从平台（16）内的反应管（10）的向下开口接收。 成形气体供给源（25）通过气体管线（26）向内管（12）供给成形气体。 掺杂气体源（29）通过气体管线（30）将掺杂气体供应到内管。 直径控制气体源（33）通过气体管线（34）将气体供给到内管。 通过利用其生长膜的过程来积累非晶硅膜，并且从气体管线向反应管供给净化气体。 通过退火工艺将非晶硅膜转变成多晶硅层。

公开(公告)号：KR100890684B1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：KR1020050068174

申请日：2005-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  초우파오화 ,  김채호 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/507

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 도핑 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 CVD에 의해 불순물을 함유하는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물의 막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1 공정에서는 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행한다. 제2 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정에서는 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정은 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비한다. 제4 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 가스 노즐, 승강 기구

公开(公告)号：KR1020080033102A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：KR1020070102328

申请日：2007-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까오겐 ,  가또오히또시 ,  오까베쯔네유끼 ,  오까다미쯔히로 ,  혼마마나부 ,  하네이시도모끼

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/00 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23C16/455

Abstract: A gas supply apparatus, a gas supply method, a cleaning method of a thin-film forming apparatus, a thin-film forming method and a thin-film forming apparatus are provided to clean a heat treatment apparatus stably by preventing damage of components near a nozzle of a hydrogen inlet. A thin-film forming apparatus(1) comprises a reaction chamber(2) and an exhaust tube(5). A fluorine inlet and a hydrogen inlet are connected with the reaction chamber, so as to supply a cleaning gas containing the fluorine and hydrogen into the reaction chamber or exhaust tube. The hydrogen inlet comprises an internal flow channel and an external flow channel which covers the internal flow channel. The hydrogen is supplied through the internal flow channel, and the nitrogen is supplied from the external flow channel. Thus, the hydrogen supplied from the internal flow channel is supplied from the hydrogen inlet, in a state that the hydrogen is surrounded with the nitrogen.

Abstract translation: 提供气体供给装置，气体供给方法，薄膜形成装置的清洁方法，薄膜形成方法和薄膜形成装置，以通过防止在附近的部件的损坏来稳定地清洁热处理装置 喷嘴的氢气入口。 薄膜形成装置（1）包括反应室（2）和排气管（5）。 氟入口和氢气入口与反应室连接，以将含氟和氢气的清洁气体供应到反应室或排气管中。 氢气入口包括内部流动通道和覆盖内部流动通道的外部流动通道。 通过内部流路供给氢，从外部流路供给氮。 因此，在氢被氮气包围的状态下，从氢气入口供给从内部流路供给的氢。