公开(公告)号：KR101080445B1

公开(公告)日：2011-11-04

申请号：KR1020060118280

申请日：2006-11-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  나까무라쥰지 ,  다께구찌히로후미 ,  야마모또다로오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67253

Abstract: 노광패턴을현상처리한후의기판을린스처리하는린스처리방법은, 미리기판의표면상태에따라서린스처리의조건을설정하는공정(단계 1)과, 기판의표면상태를측정하는공정(단계 2)과, 측정된기판의표면상태로부터대응하는린스처리의조건을선택하는공정(단계 3)과, 선택된조건에서린스처리를행하는공정(단계 4)을갖는다.

公开(公告)号：KR1020110113135A

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020110026639

申请日：2011-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  이찌노가쯔노리

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2041

Abstract: 본 발명의 과제는, 스핀 도포법을 사용하여 도포액을 기판에 도포하는 경우에 있어서, 도포액의 도포량을 소량으로 하면서, 도포액을 기판면 내에 균일하게 도포하는 것이다.
도포 처리 방법은, 웨이퍼를 가속 회전시킨 상태에서, 그 웨이퍼의 중심부에 노즐로부터 레지스트액을 토출하여, 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하는 도포 공정 S3과, 그 후, 웨이퍼의 회전을 감속하여, 웨이퍼 상의 레지스트액을 평탄화하는 평탄화 공정 S4와, 그 후, 웨이퍼의 회전을 가속하여, 웨이퍼 상의 레지스트액을 건조시키는 건조 공정 S5를 갖는다. 도포 공정 S3에서는, 웨이퍼의 회전의 가속도를 제1 가속도, 상기 제1 가속도보다도 큰 제2 가속도, 상기 제2 가속도보다도 작은 제3 가속도의 순으로 변화시켜, 당해 웨이퍼를 항상 가속 회전시킨다.

公开(公告)号：KR1020070093844A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：KR1020070024364

申请日：2007-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모또다로오 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/6708 ,  B05C11/10 ,  G03F7/70533

Abstract: A protective film removal apparatus and a collective method for chemical solution, and storage medium are provided to collect a chemical solution with a collective ratio and to recycle an expensive removing solution by using an anti-volatilization solution. A collective line communicates with atmosphere around a substrate in order to collect a mixed chemical solution including a removing solution and a chemical solution containing the removing solution and a solution of a protective layer dissolved in the removing solution. An intermediate tank(80) is connected to an end of an outlet of the collective line. A first supply unit supplies an anti-volatilization solution having specific gravity smaller than specific gravity of the mixed chemical solution to the intermediate tank. A transfer line(85) has an end of an inlet which is connected to the intermediate tank. The transfer line includes a valve. A collective tank(90) is connected to an end of an outlet of the transfer line. A solution amount monitoring unit monitors the amount of a solution contained in the intermediate tank. A control unit(9) supplies the solution of the intermediate tank to the collective tank by opening the valve of the transfer line when deciding the amount of the solution of the intermediate tank as the predetermined amount on the basis of a monitored result. A second supply unit supplies the volatilization preventing solution to a removing solution supply nozzle.

Abstract translation: 提供保护膜去除装置和化学溶液和存储介质的集合方法以收集具有集中比率的化学溶液，并通过使用抗挥发溶液回收昂贵的去除溶液。 集合线与基底周围的气氛通信，以收集包含去除溶液和含有去除溶液的化学溶液和溶解在除去溶液中的保护层的溶液的混合化学溶液。 中间罐（80）连接到集线的出口的一端。 第一供应单元将比重小于混合化学溶液的比重的抗挥发溶液供应到中间罐。 输送管线（85）具有连接到中间罐的入口的端部。 传输线包括阀。 集体箱（90）连接到传送线的出口的一端。 溶液量监测单元监测包含在中间罐中的溶液的量。 控制单元（9）基于监视结果确定中间罐的溶液量为预定量时，通过打开输送管线的阀，将中间罐的溶液供应到集油箱。 第二供应单元将防挥溶液提供给去除溶液供应喷嘴。

公开(公告)号：KR101776964B1

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：KR1020110074464

申请日：2011-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시신이찌 ,  도오끼유이찌 ,  미야따아끼라 ,  야마모또유우이찌 ,  요시하라고오스께 ,  마쯔오까노부아끼 ,  에노끼다스구루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67745

Abstract: 본발명의과제는도포, 현상장치의처리량의저하를억제하는동시에, 장치의설치면적을억제할수 있는기술을제공하는것이다. 처리블록은캐리어블록측의가열계의블록과, 액처리계의단위블록군과, 인터페이스블록측의가열블록을캐리어블록측으로부터인터페이스블록측으로이 순서로배치하고, 상기액 처리계의단위블록군은반사방지막용의단위블록과, 레지스트막용의단위블록과, 상층막용의단위블록을이 순서로상측에적층한도포막용의단위블록군과, 이도포막용의단위블록군에대하여서로상하로적층된현상용의단위블록으로구성되고, 액처리계의각 단위블록에서액 처리모듈은기판의반송로의좌우양측에배치되도록장치를구성한다.

Abstract translation: 本发明要解决的问题是提供一种技术，该技术能够抑制涂布和显影设备的生产量的降低并且抑制设备的安装面积。 处理块从载体块侧向接口块侧依次包括载体块侧的加热块，液体处理系统上的单元块组和接口块侧的加热块， 在上侧依次层叠抗反射膜用单位块，抗蚀剂膜用单位块，上位膜用单位块，上位层用单位块组， 并且液体处理系统的每个单元块中的液体处理模块布置在基板的传送路径的右侧和左侧。

公开(公告)号：KR101676066B1

公开(公告)日：2016-11-14

申请号：KR1020120043163

申请日：2012-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  다까야나기고오지 ,  하따께야마신이찌 ,  가와까미고오헤이

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  B05C11/023 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  G06F19/00 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/6715 ,  H01L51/0003 ,  H01L2224/03418

Abstract: 본발명의과제는, 도포액을스핀도포법에의해도포하여막을형성할때에, 기판면내의임의의위치의막 두께를제어할수 있는동시에, 기판면내의막 두께편차를저감할수 있는도포처리장치를제공하는것이다. 회전하는기판의표면에도포액을공급하고, 공급한도포액을기판의외주측으로확산시킴으로써기판의표면에도포액을도포하는도포처리장치(23)에있어서, 기판을보유지지하는기판보유지지부(31)와, 기판보유지지부(31)에보유지지된기판을회전시키는회전부(32)와, 기판보유지지부(31)에보유지지된기판의표면에도포액을공급하는공급부(43)와, 기판보유지지부(31)에보유지지된기판의상방의소정위치에설치되어있고, 회전부(32)에의해회전하는기판의상방의기류를임의의위치에서국소적으로변화시키는기류제어판(63)을갖는다.

公开(公告)号：KR101612574B1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：KR1020110058788

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  하따께야마신이찌

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: 본발명의과제는, 기판상에도포액을도포할때에, 도포액의공급량을소량으로억제하면서, 기판면내에서균일하게도포액을도포하는것이다. 회전중인웨이퍼상에용제를공급하고, 웨이퍼를제6 회전수로회전시켜용제를확산시킨다(공정 S1). 웨이퍼의회전을제1 회전수까지가속시켜, 제1 회전수로웨이퍼를회전시킨다(공정 S2). 웨이퍼의회전을제2 회전수까지감속시켜, 웨이퍼(W)를제2 회전수로회전시킨다(공정 S3). 웨이퍼의회전을제3 회전수까지다시가속시켜, 제3 회전수로웨이퍼를회전시킨다(공정 S4). 웨이퍼의회전을제4 회전수인 0rpm 초과 500rpm 이하까지감속시켜, 제4 회전수로 1 내지 10초간웨이퍼를회전시킨다(공정 S5). 웨이퍼의회전을제5 회전수까지가속시켜, 제5 회전수로웨이퍼를회전시킨다(공정 S6). 공정 S2로부터공정 S3의도중까지, 혹은공정 S2 동안웨이퍼의중심에레지스트액을연속적으로공급한다.

公开(公告)号：KR101597848B1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：KR1020110026639

申请日：2011-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  이찌노가쯔노리

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162

Abstract: 본발명의과제는, 스핀도포법을사용하여도포액을기판에도포하는경우에있어서, 도포액의도포량을소량으로하면서, 도포액을기판면내에균일하게도포하는것이다. 도포처리방법은, 웨이퍼를가속회전시킨상태에서, 그웨이퍼의중심부에노즐로부터레지스트액을토출하여, 웨이퍼상에레지스트액을도포하는도포공정 S3과, 그후, 웨이퍼의회전을감속하여, 웨이퍼상의레지스트액을평탄화하는평탄화공정 S4와, 그후, 웨이퍼의회전을가속하여, 웨이퍼상의레지스트액을건조시키는건조공정 S5를갖는다. 도포공정 S3에서는, 웨이퍼의회전의가속도를제1 가속도, 상기제1 가속도보다도큰 제2 가속도, 상기제2 가속도보다도작은제3 가속도의순으로변화시켜, 당해웨이퍼를항상가속회전시킨다.

公开(公告)号：KR101522437B1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：KR1020100022148

申请日：2010-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시다유우이찌 ,  아리마히로시 ,  야마모또다로오 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67748 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6715

Abstract: 본발명의과제는현상결함을억제하여, 수율의저하를억제할수 있고, 또한후단의장치에있어서의처리의수고를경감시킬수 있는, 노광된후의기판을가열하는기판처리장치를제공하는것이다. 표면에레지스트가도포되고, 또한노광된후의기판을가열하는가열판과, 상기레지스트에공급하는현상액의상기기판으로의습윤성을높이기위한표면처리액을무화하는표면처리액무화수단과, 상기가열판에의해가열된기판을냉각하기위한냉각수단과, 상기가열판에의한가열이개시된후 상기냉각수단에의한냉각이종료될때까지, 무화된상기표면처리액을기판에공급하는표면처리액공급수단을구비하도록기판처리장치를구성한다.

公开(公告)号：KR101443945B1

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：KR1020100013300

申请日：2010-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까야나기고오지 ,  이세끼도모히로 ,  이찌노가쯔노리 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027 ,  B05C5/00

CPC classification number: B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

Abstract: 본 발명의 과제는 보다 적은 공급량으로, 레지스트액 등의 도포액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있어, 레지스트액 등의 도포액의 소비량을 삭감할 수 있는 도포 처리 방법을 제공하는 것이다.
제1 회전수(V1)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 회전하는 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 도포액을 공급하는 제1 공정(S1)과, 제1 공정(S1) 후에, 제1 회전수(V1)보다도 낮은 제2 회전수(V2)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제2 공정(S2)과, 제2 공정(S2) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제3 공정(S3)과, 제3 공정(S3) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높고 제3 회전수(V3)보다도 낮은 제4 회전수(V4)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제4 공정(S4)을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020070079916A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：KR1020070010441

申请日：2007-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 교오다히데하루 ,  요시하라고오스께 ,  야마모또다로오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70925 ,  H01L21/67051

Abstract: A coating and developing method, a coating and developing apparatus and a recording medium are provided to restrain the generation of defects in a developing process and to improve the controllability of CD(Critical Dimension) of a pattern by forming sequentially a protective layer and a liquid layer on a substrate with a resist layer. A resist layer(R) is formed on a substrate(W). A protective layer(D) is formed on the resultant structure in order to protect the resist layer during an exposure process. The protective layer contains a predetermined material with water repellency. A liquid layer(E) is formed on the resist layer. The protective layer is removed from the resultant structure after the exposure process. A heat treatment is performed on the resultant structure. A developing process is then performed thereon.

Abstract translation: 提供涂布和显影方法，涂覆和显影装置和记录介质以限制显影过程中的缺陷的产生并且通过依次形成保护层和液体来提高图案的CD（临界尺寸）的可控性 在具有抗蚀剂层的基板上。 在基板（W）上形成抗蚀剂层（R）。 在所得结构上形成保护层（D），以便在曝光过程中保护抗蚀剂层。 保护层含有防水性的预定材料。 在抗蚀剂层上形成液体层（E）。 在曝光处理之后，从所得到的结构中除去保护层。 对所得结构进行热处理。 然后在其上进行显影处理。