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公开(公告)号:KR1020160068668A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:KR1020150170395
申请日:2015-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/762
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/24 , C23C14/54 , C23C16/52 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L23/528 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 텅스텐을사용한배선에접촉하는 Cu 배선을형성하는프로세스에있어서, 비아저항의상승을억제하기위한 Cu 배선의형성방법을제공한다. 텅스텐배선(M0)에접촉해서배치되는기판 F에형성된오목부(트렌치)(203) 내에 Cu를매립해서 Cu 배선을형성하는 Cu 배선의형성방법이며, 텅스텐배선(M0)의표면에형성된텅스텐산화물을제거하는공정과, 오목부(203) 내의적어도텅스텐배선(M0)의표면에, 질화방지막(204)을성막하는공정과, 질화방지막(204) 위로부터, 오목부(203) 내의표면에, Cu의확산을방지하는배리어막(205)을성막하는공정과, 배리어막(205)의위에라이너막(206)을성막하는공정과, 라이너막(206) 위에 Cu 막(207)을매립하는공정을갖는다.
Abstract translation: 在形成Cu线的方法中,形成Cu线的方法抑制了使用钨接触线的Cu线的过程中的通孔电阻的增加。 形成Cu线的方法通过在形成在与钨线(M0)接触的基板F中的凹部(沟槽)203中填充Cu形成Cu线。 该方法包括以下步骤:消除钨线(M0)表面上形成的氧化钨; 在凹部(203)中至少在钨线(M0)的表面上生长抗氮化膜(204); 生长阻挡膜(205),用于防止Cu从凹部(203)内的表面从抗蚀剂膜(204)的上部扩散; 在阻挡膜(205)上生长衬垫膜(206); 以及在所述衬里线(206)上填充Cu膜(207)。
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公开(公告)号:KR101481924B1
公开(公告)日:2015-01-12
申请号:KR1020137010785
申请日:2011-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 이시자카다다히로 , 사쿠마다카시 , 하타노다츠오 , 요코야마오사무 , 고미아츠시 , 야스무로치아키 , 후쿠시마도시히코 , 도시마히로유키 , 가와마타마사야 , 미즈사와야스시 , 가토다카라
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/768 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/541 , C23C14/542 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882
Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.
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公开(公告)号:KR1020140029289A
公开(公告)日:2014-03-10
申请号:KR1020130103099
申请日:2013-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/02041 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32862 , H01L21/02065
Abstract: The present invention relates to a plasma processing device comprising a processing vessel, a mounting tray, a remote plasma unit, a diffusion part, and an ion filter. The mounting tray is formed in the processing vessel. Excitation gas is generated by controlling the remote plasma unit to excite hydrogen containing gas. The exit of the excitation gas is formed at the remote plasma unit. The diffusion part is formed at the exit of the remote plasma unit and receives the excitation gas flowing from the exit for diffusing the active species of hydrogen with reduced amount of hydrogen ion. The ion filter is positioned between the diffusion part and the mounting tray and separated from the diffusion part. The ion filter traps hydrogen ion included in the active species of the hydrogen diffused by the diffusion part for passing the active species of the hydrogen with additionally reduced amount of the hydrogen ions. [Reference numerals] (26) Exhaustion device; (30) Direct current power circuit; (32) Heater power; (36) Cooler
Abstract translation: 等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种等离子体处理装置,其包括处理容器,安装托盘,远程等离子体装置,扩散部件和离子过滤器。 安装托盘形成在处理容器中。 通过控制远程等离子体单元来激发含氢气体产生激发气体。 在远程等离子体单元处形成激发气体的出口。 扩散部分形成在远程等离子体单元的出口处,并接收从出口流出的激发气体,用于以减少量的氢离子扩散活性物质的氢。 离子过滤器位于扩散部分和安装托盘之间,并与扩散部分分离。 离子过滤器捕获由扩散部分扩散的氢的活性物质中包含的氢离子,用于使氢的活性物质进一步减少氢离子的量。 (附图标记)(26)耗尽装置; (30)直流电源电路; (32)加热器功率; (36)冷却器
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公开(公告)号:KR101291821B1
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:KR1020117021177
申请日:2010-02-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , H01L21/3205 , C23C16/18
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 유기 금속 화합물을 포함하는 성막 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ru막을 성막하는 공정과, 상기 Ru막이 성막된 기판에 대해, 수소함유 분위기에서의 아닐을 실시하는 공정에 의해 CVD-Ru막을 형성한다.
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公开(公告)号:KR1020110124304A
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:KR1020117021177
申请日:2010-02-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , H01L21/3205 , C23C16/18
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 유기 금속 화합물을 포함하는 성막 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ru막을 성막하는 공정과, 상기 Ru막이 성막된 기판에 대해, 수소함유 분위기에서의 아닐을 실시하는 공정에 의해 CVD-Ru막을 형성한다.
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公开(公告)号:KR101396624B1
公开(公告)日:2014-05-16
申请号:KR1020097026131
申请日:2008-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C14/18 , C23C16/045 , C23C16/06 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 오목부(6)를 갖는 절연층(4)이 표면에 형성된 피처리체 W에 대하여 박막을 형성하는 성막 방법이 개시된다. 오목부 내의 표면을 포함하는 피처리체의 표면에 Ti 함유 배리어층(12)을 형성하는 배리어층 형성 공정과, 배리어층상에 Ru 함유 시드층(16)을 CVD에 의해 형성하는 시드층 형성 공정과, 시드층상에 Cu 함유 보조 시드층(164)을 스퍼터링에 의해 형성하는 보조 시드층 형성 공정을 순차적으로 실행한다. 이에 따라, 피처리체 전면에 걸쳐, 선폭 또는 홀 직경이 작은 오목부 혹은 어스펙트비가 높은 오목부에 대하여 충분한 패딩을 행하는 것이 가능해진다.
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公开(公告)号:KR1020140043877A
公开(公告)日:2014-04-11
申请号:KR1020130117804
申请日:2013-10-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05F3/00 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C16/50 , H01J37/32568 , H01J37/34 , H01L21/6833
Abstract: Provided is a plasma processing method capable of obtaining sufficient repulsion force (adhesion) when processing plasma, and suppressing the generation of particles by reducing residual charges. In this method, plasma processing is performed on a subject in a state that the subject is adsorbed onto an electrostatic chuck on the top of a tray. The methods comprises: a plasma processing process of performing plasma processing in a state that heat conduction gas is supplied between a subject and the electrostatic chuck while adsorbing the subject by applying a first voltage to the electrostatic chuck as an application voltage; an application voltage reduction process of reducing the application voltage while exhausting the heat conduction gas remaining between the subject and the electrostatic chuck by stopping supplying the heat conduction gas at the termination of the plasma processing process; and a separation process of separating the subject from the electrostatic chuck by making the application voltage to the electrostatic chuck become zero after the application voltage reduction process. [Reference numerals] (AA) Voltage of an electrostatic chuck; (BB) Pressure of heat conduction gas; (CC) High frequency power for plasma; (DD,EE) First voltage; (FF) (opening and closing switch → close); (GG) Separate a wafer by a lifter pin; (HH) Plasma processing method of the present invention
Abstract translation: 提供一种等离子体处理方法,其能够在处理等离子体时获得足够的排斥力(粘附),并通过减少残余电荷来抑制颗粒的产生。 在该方法中,在被检体吸附在托盘顶部的静电卡盘上的状态下,对被检体进行等离子体处理。 所述方法包括:等离子体处理过程,其在通过向所述静电卡盘施加第一电压作为施加电压而吸附被检体之间,在被检体和所述静电卡盘之间供给导热气体的状态下进行等离子体处理; 施加电压降低处理,其通过在等离子体处理过程的终止时停止供给导热气体而排出残留在被检体和静电卡盘之间的导热气体,同时降低施加电压; 以及通过使静电卡盘的施加电压在施加电压降低处理之后变为零而将被摄体与静电卡盘分离的分离处理。 (附图标记)(AA)静电卡盘的电压; (BB)导热气压力; (CC)等离子体的高频功率; (DD,EE)第一电压; (FF)(开关→关闭); (GG)通过升降器引脚分离晶片; (HH)本发明的等离子体处理方法
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公开(公告)号:KR1020130095283A
公开(公告)日:2013-08-27
申请号:KR1020137010785
申请日:2011-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 이시자카다다히로 , 사쿠마다카시 , 하타노다츠오 , 요코야마오사무 , 고미아츠시 , 야스무로치아키 , 후쿠시마도시히코 , 도시마히로유키 , 가와마타마사야 , 미즈사와야스시 , 가토다카라
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/768 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/541 , C23C14/542 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882
Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.
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公开(公告)号:KR101291917B1
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:KR1020087002231
申请日:2006-06-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/203 , C23C14/34 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3471 , H01J37/321 , H01L21/2855 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76844
Abstract: 본 발명은 처리 용기 내의 탑재대 상에, 표면에 오목부가 형성된 피처리체를 탑재하는 공정과, 처리 용기 내를 진공화하는 공정과, 진공화된 처리 용기내에서, 불활성 가스를 플라즈마화하여 형성된 플라즈마에 의해서, 금속 타겟을 이온화시켜 금속 이온을 포함하는 금속 입자를 발생시키는 공정과, 상기 탑재대 상에 탑재된 상기 피처리체에 바이어스 전력을 인가하여, 상기 플라즈마 및 상기 금속 입자를 그 피처리체에 인입함으로써, 상기 오목부의 바닥부를 깎아서 깎여진 오목부를 형성함과 아울러, 상기 오목부 및 상기 깎여진 오목부 내의 표면을 포함하는 상기 피처리체의 표면 전체에 금속막 성막하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 금속막의 성장 방법이다.
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公开(公告)号:KR101062586B1
公开(公告)日:2011-09-06
申请号:KR1020087024696
申请日:2008-02-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/28562 , H01L21/76873
Abstract: 피처리 기판 표면에 금속 카보닐 원료의 기상 분자를 공급하여 상기 피처리 기판 표면 근방에서 분해시킴으로써 상기 피처리 기판 표면에 금속막을 퇴적하는 성막 방법에 있어서, 상기 피처리 기판 표면에 금속층을 퇴적할 때에, 상기 피처리 기판의 외주부에 인접하는 영역에서 상기 금속 카보닐 원료를 우선적으로 분해시키는 공정을 마련하여, 상기 피처리 기판 외주부 근방에서 분위기 중의 CO 농도를 국소적으로 증대시켜, 상기 외주부로의 금속막의 퇴적을 억제한다.
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