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公开(公告)号：KR1020140127678A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046342
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钨前体。钨前体是含硫的前体，改善热稳定性和挥发性，并且在薄膜制造期间不需要添加额外的硫，从而能够形成高质量的钨 硫化物薄膜。 （式中，R_1为C1-C4的直链或支链烷基，R_2和R_3分别为C1-C10的直链或支链烷基，R_4和R_5分别为C1- C10或C1-C10的直链或支链氟烷基，n为1-3的整数。
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公开(公告)号：KR1020150096016A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020140016779
申请日：2014-02-13
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C12M23/20 , C12N5/0602
Abstract: 본 발명은 원자층 증착방식(atomic layer deposition, ALD)에 의해 형성된 산화아연(ZnO) 박막을 구비한 세포 배양 기재; 상기 세포 배양 기재를 이용한 액틴 발현을 향상시키는 세포 배양방법; 상기 세포 배양 기재 상에서 세포를 배양하는 단계를 포함하는, 세포의 액틴 재배열을 조절하는 방법 및 세포 형태 변화를 유도하는 방법; 및 상기 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재를 포함한 이식체 또는 피부부착용 패치에 관한 것이다.
본 발명의 세포 배양 기재에 구비된 산화아연(ZnO) 박막은 원자층 증착방식(ALD)에 의해 제조된 것으로서, 나노미터 단위로 미세하게 조절할 수 있다. 또한, 상기 ZnO 박막의 표면 상에서 세포를 배양함으로써 인위적으로 세포 증식 속도를 조절할 수 있으므로, 증식이 필요한 세포의 증식 증가와 증식이 불필요한 세포의 증식 억제를 통한 치료적 활용이 가능하다.Abstract translation: 本发明涉及具有通过原子层沉积（ALD）形成的氧化锌（ZnO）薄膜的细胞培养基板; 能够通过使用细胞培养基来改善肌动蛋白的表达的细胞培养方法; 一种控制细胞肌动蛋白重排的方法; 以及诱导细胞形态变化的方法，其包括在细胞培养基质上培养细胞的步骤; 以及包含具有ZnO薄膜的细胞培养基板的皮肤贴剂或植入物。 设置在细胞培养基板中的ZnO薄膜由能够通过纳米微调的ALD制造。 此外，通过在ZnO薄膜的表面上培养细胞，可以人工地控制细胞增殖率，通过增加必需的细胞并抑制不必要的细胞，可以获得治疗优势。
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公开(公告)号：KR101485522B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130046352
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及可以形成在钼前体是热稳定的和波动是高的，并且使用的由式（I）表示的钼前体的优点，这种品质硫化钼薄膜或（II） 。
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公开(公告)号：KR101485521B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130046351
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR1020140136601A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130056770
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/196 , H01L29/1606 , H01L29/66015
Abstract: 본 발명은 정전기적인 힘을 이용한 그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀 소자에 관한 것으로서, 구체적으로는 유기용매를 사용하여 한쪽 면에 그래핀 층이 형성되어 있는 그래핀 지지층을 제거하는 단계와 그래핀 지지층이 제거된 그래핀 층 상에 상호작용이 가능한 거리에 클리닝 부재를 위치시켜서 상기 클리닝 부재를 그래핀 층 상에서 이동시킴으로써 그래핀 지지층 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 클리닝 방법 및 상기 방법에 의해 클리닝 처리된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 추가적인 공정이나 비용없이 대면적으로 그래핀의 성능을 균일하게 향상시킬 수 있으며, 본 발명으로 만들어진 클리닝된 그래핀 소자는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가진다.Abstract translation: 本发明涉及使用静电力的石墨烯清洗工艺和由其处理的石墨烯元件。 更具体地，本发明提供了石墨烯清洗方法，其包括通过使用有机溶剂在一个表面上去除包括石墨烯层的石墨烯支撑层的步骤，以及通过将清洁部件定位在石墨烯层上去除剩余的石墨烯支撑层的步骤 其中石墨烯支撑层在可能相互作用的距离内被去除，并且将清洁构件移动到石墨烯层上，并且包括通过该方法清洁的石墨烯的元素。 本发明可以均匀地提高大面积石墨烯的性能，而无需额外的工艺和费用。 此外，由于本发明，清洁的石墨烯元件获得优异的电气，机械和光学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140127686A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046351
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钼前体，其中允许包含硫的钼前体改善热稳定性和挥发性，并且在制造薄膜时不需要加入额外的硫，因此用于制造钼的质量 硫化物薄膜。 在化学式1中，R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3独立地是C1-C10的直链或支链烷基，R4和R5独立地是C1-C10的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟代烷基和n选自1至3的整数。
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公开(公告)号：KR1020140108885A
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020130022728
申请日：2013-03-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B13/14
Abstract: A pressure vessel for single crystal growth using shrink fitting of the present invention comprises: a pressure vessel body manufactured by a heat-resistant alloy; a liner manufactured with a material having corrosion resistance and inserted into the pressure vessel body; and a lower part supporter inserted through the lower part of the pressure vessel body and supporting the lower part of the liner, wherein the liner is inserted into the pressure vessel body after the pressure vessel body is heated with a heating furnace.
Abstract translation: 本发明的收缩配合用于单晶生长的压力容器包括：由耐热合金制成的压力容器主体; 由具有耐腐蚀性的材料制成的衬套插入到压力容器主体中; 以及通过压力容器本体的下部插入并支撑衬套的下部的下部支撑件，其中在用加热炉加压压力容器主体之后，将衬套插入压力容器主体。
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公开(公告)号：KR101991456B1
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：KR1020160037008
申请日：2016-03-28
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L27/108 , H01L29/786
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公开(公告)号：KR1020160133727A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150066622
申请日：2015-05-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 본발명은금속칼코게나이드필름의제조방법에관한것으로, 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD) 또는원자층증착법(atomic layer deposition, ALD)을이용하여높은광흡수계수를가지고있어태양전지의광흡수층으로이용가능한금속칼코게나이드필름의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160005946A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020140085100
申请日：2014-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/46 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/45525 , C23C16/45534 , C23C16/45553 , C23C16/46 , H01L21/205
Abstract: 본발명은동일주석전구체로부터 HO의존재하에신규의 SnO 상태의 p형주석산화물박막을증착하는단계를포함하는주석산화물박막제조및 제어방법과이를이용한트랜지스터제조방법을제공하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造和控制氧化锡薄膜的方法及其制造方法，包括以下步骤：从H_2O存在下沉积新的SnO态的p型氧化锡薄膜 相等的锡前体。 本发明的方法使用原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD）。 本发明的目的是提供一种用于制造诸如包括p沟道和n沟道的晶体管的逻辑器件的方法，以及具有堆叠（或替代地堆叠）结构的二极管。
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