公开(公告)号：DE102004011175A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：DE102004011175

申请日：2004-03-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HILLE FRANK ,  RUPP THOMAS

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/331

Abstract: The method involves placing a doping material with certain dosage in an area near an outer surface of a semiconductor. The semiconductor is subjected to a specified temperature during curing treatment, where the temperature should not exceed 550 degree Celsius. The material and its dosage are selected and introduced into the semiconductor in such a way that the material makes the semiconductor amorphous in the area.

公开(公告)号：DE10349582A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：DE10349582

申请日：2003-10-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON DR-ING ,  HILLE FRANK ,  VYTLA RAJEEV KRISHNA ,  FALCK ELMAR ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861

公开(公告)号：DE102014223315B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102014223315

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  HILLE FRANK ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement (1), umfassend eine Diffusionsbarrierenschicht (11), eine erste Halbleiterregion (12) mit ersten Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine eine Driftregion ausbildende zweite Halbleiterregion (13) mit zweiten Ladungsträgern; wobei die erste Halbleiterregion (12) beinhaltet:- eine Übergangsregion (123), die in Kontakt steht mit der zweiten Halbleiterregion (13), wobei die Übergangsregion (123) eine erste Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist;- eine Kontaktregion (121), die in Kontakt steht mit der Diffusionsbarrierenschicht (11), wobei die Kontaktregion (121) eine zweite Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist, die größer ist als die erste Konzentration;- eine Schädigungsregion (122), die zwischen der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123) angeordnet ist, wobei die Schädigungsregion (122) ausgebildet ist zum Reduzieren der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Schädigungsregion (122) im Vergleich zu der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123), und wobei sich die Schädigungsregion (122) entlang einer Richtung eines Flusses eines von dem Halbleiterbauelement (1) geführten Laststroms tiefer in die erste Halbleiterregion (12) erstreckt als die Kontaktregion (121), und wobei sich die Übergangsregion (123) tiefer in die erste Halbleiterregion (12) erstreckt als die Schädigungsregion (122).

公开(公告)号：DE102016109349A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016109349

申请日：2016-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL ,  KANERT WERNER ,  RUEHLE BRIGITTE ,  GATTERBAUER JOHANN ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  VELLEI ANTONIO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  HILLE FRANK

IPC: H01L23/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: Bei diversen Ausführungsformen wird ein Chipgehäuse bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann einen Chip, eine Metallkontaktstruktur, die ein Nicht-Edelmetall aufweist und den Chip elektrisch kontaktiert, ein Packagingmaterial und eine Schutzschicht, die einen Abschnitt, der an einer Schnittstelle zwischen einem Abschnitt der Metallkontaktstruktur und dem Packagingmaterial gebildet ist, aufweist oder im Wesentlichen aus ihm besteht, aufweisen, wobei die Schutzschicht ein Edelmetall aufweisen kann, wobei der Abschnitt der Schutzschicht eine Mehrzahl von Bereichen aufweisen kann, die frei von dem Edelmetall sind, und wobei die Bereiche, die frei von dem Edelmetall sind, eine Schnittstelle zwischen dem Packagingmaterial und dem Nicht-Edelmetall der Metallkontaktstruktur bereitstellen können.

公开(公告)号：DE102016101801A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：DE102016101801

申请日：2016-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROTH ROMAN ,  HILLE FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleiterbauelement (1), das Folgendes umfasst: eine erste Lastanschlussstruktur (11) und eine zweite Lastanschlussstruktur (12), die getrennt von der ersten Lastanschlussstruktur (11) angeordnet ist; eine Halbleiterstruktur (10), die elektrisch mit sowohl der ersten Lastanschlussstruktur (11) als auch der zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist und die dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zu führen, wobei die erste Lastanschlussstruktur (11) Folgendes umfasst: eine leitfähige Schicht (111), die sich in Kontakt mit der Halbleiterstruktur (10) befindet; einen Bonding-Block (112), der dazu konfiguriert ist, von einem Ende (31) eines wenigstens einen Bonddrahtes (3) kontaktiert zu werden und wenigstens einen Teil des Laststroms von dem wenigstens einen Bonddraht (3) und/oder der leitfähigen Schicht (111) zu empfangen; einen Verstärkungsblock (113), der eine Härte aufweist, die größer als sowohl die Härte der leitfähigen Schicht (111) als auch des Bonding-Blocks (112) ist, wobei der Bonding-Block (112) mittels des Verstärkungsblocks (113) auf der leitfähigen Schicht (111) montiert ist.

公开(公告)号：DE102014223315A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014223315

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  HILLE FRANK ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (1) wird vorgeschlagen. Das Halbleiterbauelement umfasst eine Diffusionsbarrierenschicht (11), eine erste Halbleiterregion (12) mit ersten Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterregion (13) mit zweiten Ladungsträgern. Die erste Halbleiterregion (12) beinhaltet eine Übergangsregion (123), die in Kontakt steht mit der zweiten Halbleiterregion (13), wobei die Übergangsregion (123) eine erste Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist; eine Kontaktregion (121), die in Kontakt steht mit der Diffusionsbarrierenschicht (11), wobei die Kontaktregion (121) eine zweite Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist, die größer ist als die erste Konzentration; eine Schädigungsregion (122), die zwischen der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123) angeordnet ist, wobei die Schädigungsregion (122) ausgebildet ist zum Reduzieren der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Schädigungsregion (122) im Vergleich zu der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123).