公开(公告)号：DE102011056157B4

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102011056157

申请日：2011-12-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUBER HERMANN ,  HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS PETER ,  ROTHLEITNER HUBERT

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (100) mit einer ersten Oberfläche (101) und einer der ersten Oberfläche (101) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (102);- Ausbilden eines Isolationsgrabens (103, 103) von der ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100), sodass der Isolationsgraben (103, 103) entweder eine geschlossene Schleife bildet oder mit einer Kante des Halbleiterkörpers (100) oder einer Ritzlinie, die auf dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, eine geschlossene Schleife bildet;- Ausbilden einer ersten Isolationsschicht (21) zumindest auf einer oder mehreren Seitenwänden des Isolationsgrabens;- Entfernen von Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers (100) von der zweiten Oberfläche (102), um untere Abschnitte der ersten Isolationsschicht (21) freizulegen und eine hintere Oberfläche (102') auszubilden;- Abscheiden einer zweiten Isolationsschicht (31) auf der hinteren Oberfläche (102'), so dass mindestens zwei Halbleitermesas (100a, 100b, 100c) ausgebildet werden, die durch die erste Isolationsschicht (21) und die zweite Isolationsschicht (31) voneinander isoliert sind;- Füllen des Isolationsgrabens (103, 103) mit einem elektrisch leitfähigen Material (22) vor dem Abscheiden der zweiten Isolationsschicht (31);- teilweises Entfernen der zweiten Isolationsschicht (31), um mindestens eine der mindestens zwei Halbleitermesas (100a, 100b, 100c) auf der hinteren Oberfläche (102') freizulegen; und- Ausbilden einer Metallisierung (56) auf der hinteren Oberfläche (102') in ohmschem Kontakt mit der mindestens einen der mindestens zwei Halbleitermesas (100a, 100b, 100c).

公开(公告)号：DE102018109950A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102018109950

申请日：2018-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BACH KARL-HEINZ ,  BRANDL PETER ,  HIRLER FRANZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Beschrieben wird ein Transistorbauelement mit wenigstens einer Transistorzelle (10), die aufweist: ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12), ein Bodygebiet (13) und ein Draingebiet (14) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist; eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist; und eine Feldelektrode (31), die benachbart zu dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet (11) isoliert ist. Das Feldelektrodendielektrikum (22) weist eine Dicke auf, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, und das Driftgebiet (11) weist in einem Mesagebiet (11) benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration auf, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt.

公开(公告)号：DE102014019927B3

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：DE102014019927

申请日：2014-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren (200) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Ausführen einer anodischen Oxidation (210) einer Oberflächenregion eines Halbleitersubstrats, um eine Oxidschicht an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Erzeugen eines anziehenden, elektrischen Feldes zwischen dem Halbleitersubstrat und einer externen Elektrode innerhalb eines Elektrolyten zu bilden, um oxidierende Ionen des Elektrolyten anzuziehen, was eine Oxidation der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats verursacht; undStimulieren (220) der anodischen Oxidation unabhängig von dem anziehenden, elektrischen Feld,wobei das Verfahren (200) ferner das Ausführen einer maskierten Schadensimplantation von zumindest einem Teil der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats vor der anodischen Oxidation aufweist, und/oderwobei das Stimulieren der anodischen Oxidation das Anlegen eines Magnetfeldes an die Oberfläche des Halbleitersubstrats aufweist.

公开(公告)号：DE102012111910B4

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102012111910

申请日：2012-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  GLASER ULRICH ,  LENZHOFER CHRISTIAN

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100), aufweisend:ein erstes Halbleiterelement (101), das einen ersten pn-Übergang zwischen einem ersten Anschluss (102) und einem zweiten Anschluss (103) aufweist;ein zweites Halbleiterelement (104), das einen zweiten pn-Übergang zwischen einem dritten Anschluss (105) und einem vierten Anschluss (106) aufweist;einen Halbleiterkörper (110), der das erste Halbleiterelement (101) und das zweite Halbleiterelement (104) monolithisch integriert aufweist; und wobeider erste und der dritte Anschluss (102, 105) elektrisch mit einem ersten Vorrichtungsanschluss (107) gekoppelt sind;der zweite und der vierte Anschluss (103, 106) elektrisch mit einem zweiten Vorrichtungsanschluss (108) gekoppelt sind; undein Temperaturkoeffizient αeiner Durchbruchsspannung Vdes ersten pn-Übergangs und ein Temperaturkoeffizient αeiner Durchbruchsspannung Vdes zweiten pn-Übergangs dasselbe Vorzeichen haben und 0,6 × α

公开(公告)号：DE102016110645A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：DE102016110645

申请日：2016-06-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  HIRLER FRANZ ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst einen Transistor (10) in einem Halbleitersubstrat (100). Der Transistor (10) umfasst eine Driftzone (259) eines ersten Leitfähigkeitstyps benachbart zu einem Draingebiet (205), eine erste Feldplatte (250) und eine zweite Feldplatte (252) benachbart zu der Driftzone (259). Die zweite Feldplatte (252) ist zwischen der ersten Feldplatte (250) und dem Draingebiet (205) angeordnet. Die zweite Feldplatte ist elektrisch mit einem Kontaktbereich (263) verbunden, der in der Driftzone (259) angeordnet ist. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin einen Zwischenbereich (261) des ersten Leitfähigkeitstyps mit einer niedrigeren Dotierungskonzentration als die Driftzone (259) zwischen dem Kontaktbereich (263) und dem Draingebiet (205).

公开(公告)号：DE102016103587A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102016103587

申请日：2016-02-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst eine Vielzahl von Trenches (1051, 1052), die sich in einen Halbleiterkörper (102) von einer ersten Oberfläche (104) des Halbleiterkörpers (102) erstrecken. Jeder der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) umfasst wenigstens zwei Elektroden (1111, 1112; 1121, 1122) und eine zwischen den wenigstens zwei Elektroden (1111, 1112; 1121, 1122) angeordnete elektrisch isolierende Struktur (106). Jeder Trench (1051) einer ersten Gruppe der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) umfasst eine erste Elektrode (1111) und eine zweite Elektrode (1112), und die erste Elektrode (1111) ist elektrisch verbunden mit einem Steuerelektrodenpin (G). Jeder Trench (1052) einer zweiten Gruppe der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) umfasst eine erste Elektrode (1121) und eine zweite Elektrode (1122). Wenigstens eine Elektrode aus der zweiten Elektrode (1112) des Trenches (1051) der ersten Gruppe und den ersten und zweiten Elektroden (1121, 1122) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe ist elektrisch verbunden mit einem ersten Hilfselektrodenpin (AE1), und wenigstens eine andere Elektrode aus dem Trench (1051) der ersten Gruppe und den ersten und zweiten Elektroden des Trenches (1052) der zweiten Gruppe ist elektrisch verbunden mit einem zweiten Hilfselektrodenpin (AE2).

公开(公告)号：DE102015215024A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：DE102015215024

申请日：2015-08-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  KÜCK DANIEL

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (1) wird vorgestellt. Das Halbleiterbauelement umfasst einen ersten Lastanschluss (11), einen zweiten Lastanschluss (12), einen Steueranschluss (13) und einen Halbleiterkörper (10) mit einer Driftzone (101), wobei der Halbleiterkörper (10) durch ein Halbleitermaterial mit einer Bandlücke, die größer als die Bandlücke von Silizium ist, ausgebildet ist und dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten. Das Halbleiterbauelement (1) beinhaltet eine Sourcezone (102), die in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist; eine Bodyzone (103-1) und eine Abschirmzone (103-2), die beide in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet sind und eine zusammenhängende Zone (103) ausbilden, die die Sourcezone (102) von der Driftzone (101) isoliert, wobei die Abschirmzone (103-2) mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist; einen Graben (14), der sich in den Halbleiterkörper (10) entlang einer vertikalen Richtung (Z) erstreckt und einen Isolator (141) umfasst, der mit der zusammenhängenden Zone (103) in Kontakt steht; eine erste Elektrode (131), die innerhalb des Grabens (14) angeordnet und von dem Halbleiterkörper (10) durch den Isolator (141) isoliert ist, wobei die erste Elektrode (131) mit dem Steueranschluss (13) elektrisch verbunden ist; und einen Mesaabschnitt (101-1), der in der Driftzone (101) unter der Bodyzone (103-1) angeordnet ist und die Abschirmzone (103-2) von dem Graben (14) entlang einer ersten seitlichen Richtung (X) trennt, wobei eine erste Kapazität pro Flächeneinheit (C1/A), die durch einen in dem Mesaabschnitt (101-1) enthaltenen Bereich und durch einen in der Abschirmzone (103-2) enthaltenen Bereich ausgebildet ist, größer als eine zweite Kapazität pro Flächeneinheit (C2/A) ist, die durch den in dem Mesaabschnitt (101-1) enthaltenen Bereich und einen in der ersten Elektrode (131) enthaltenen Bereich ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102015109545A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102015109545

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  BACH KARL HEINZ ,  SIEMIENIEC RALF ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung offenbart. Eine Ausgestaltung des Halbleiterbauelements weist zumindest eine Transistorzelle auf, wobei die zumindest eine Transistorzelle aufweist: in dem Halbleiterkörper ein Driftgebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Sourcegebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Bodygebiet von einem zweiten Dotierungstyp, und ein Draingebiet vom ersten Dotierungstyp, wobei das Bodygebiet zwischen dem Sourcegebiet und dem Driftgebiet angeordnet ist, und wobei das Driftgebiet zwischen dem Bodygebiet und dem Draingebiet angeordnet ist; eine Gateelektrode, die zu dem Bodygebiet benachbart und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert ist; eine Feldelektrode, die durch ein Feldelektrodendielektrikum gegenüber dem Driftgebiet dielektrisch isoliert ist; wobei das Driftgebiet ein Lawinengebiet aufweist, wobei das Lawinengebiet eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als zu dem Lawinengebiet benachbarte Abschnitte des Driftgebiets und von dem Feldelektrodendielektrikum in einer Richtung senkrecht zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements beabstandet ist, wobei die Feldelektrode in einem Graben angeordnet ist, der in einer Bodenebene des Halbleiterkörpers einen Boden aufweist, und wobei das Lawinengebiet zumindest einen Abschnitt aufweist, der sich näher an der Bodenebene befindet als an einer durch das Sourcegebiet definierten Oberfläche des Halbleiterkörpers.

公开(公告)号：DE102008051259B4

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE102008051259

申请日：2008-10-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: Leistungshalbleiterbauelement, umfassend Zellen (701, 702, 801, 802), die als IGBT-Zellen ausgebildet sind und die innerhalb eines ersten Bereichs und eines zweiten Bereichs des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet sind, wobei mindestens ein Parameter der Zellen (701, 702, 801, 802) für eine oder mehrere der Zellen im zweiten Bereich bezüglich einer oder mehrerer der Zellen im ersten Bereich variiert ist, sodass die Ladungsträgerdichte im zweiten Bereich bezüglich des ersten Bereichs während eines Abschaltens reduziert ist, und wobei der zweite Bereich ein Übergangsbereich ist, der sich von der einen oder den mehreren Zellen im ersten Bereich zu einer oder mehreren eines Abschlußbereichs, eines Gate-Pad (1100) oder eines Gate-Runner (1000) erstreckt.

公开(公告)号：DE102014118227A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102014118227

申请日：2014-12-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/473 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772

Abstract: Es wird ein Verfahren (4000) zur Herstellung einer Halbleiterstruktur bereitgestellt, das aufweisen kann: Ausbilden einer p-dotierten Region angrenzend an eine n-dotierte Region in einem Substrat (4010); und Ausführen einer anodischen Oxidation, um eine Oxidschicht auf einer Oberfläche des Substrats auszubilden, wobei die Oxidschicht in einem ersten Abschnitt der Oberfläche, der sich entlang der n-dotierten Region erstreckt, eine größere Dicke aufweist als die Oxidschicht in einem zweiten Abschnitt der Oberfläche, der sich entlang der p-dotierten Region erstreckt (4020).