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    Halbleitervorrichtung mit Tiefdiffusionsregion
    11.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung mit Tiefdiffusionsregion 未知

    公开(公告)号：DE102015118315A1

    公开(公告)日：2017-04-27

    申请号：DE102015118315

    申请日：2015-10-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WÜBBEN THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Verfahren (2) zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung (1), umfassend: Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10), welcher Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; Ausbilden (21) zumindest eines Grabens (11a), der sich entlang einer vertikalen Richtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt, wobei der Graben (11a) seitlich von zwei Graben-Seitenwänden (113a) begrenzt wird und vertikal von einem Grabenboden (114a) begrenzt wird; Auftragen (26) einer Substanz (31) auf zumindest einen Abschnitt (111a) einer Grabenoberfläche, welche von einer aus den Graben-Seitenwänden (113a) und/oder dem Grabenboden (114a) des zumindest einen Grabens (11a) ausgebildet wird, wobei das Auftragen (26) der Substanz (31) umfasst, zu verhindern, dass die Substanz auf die andere der Graben-Seitenwände (113a) aufgetragen wird; sowie Diffundieren (28) der aufgetragenen Substanz (31) von dem Abschnitt (111a) in den Halbleiterkörper (10), wodurch im Halbleiterkörper (10) eine Halbleiterregion (12a) erzeugt wird, welche Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist und an den Abschnitt (111a) angrenzend angeordnet ist.

    Halbleitervorrichtung, integrierte Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
    15.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung, integrierte Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE112013005770B4

    公开(公告)日：2022-12-01

    申请号：DE112013005770

    申请日：2013-12-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEISER ANDREAS ,  WEIS ROLF ,  HIRLER FRANZ ,  VIELEMEYER MARTIN ,  ZUNDEL MARKUS ,  IRSIGLER PETER

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417

    Abstract: Halbleitervorrichtung, die einen ersten Transistor (200, 3002) in einem Halbleiterkörper (100) umfasst, der eine erste Hauptoberfläche (110) hat, wobei der erste Transistor (200, 3002) aufweist:einen benachbart zur ersten Hauptoberfläche (110) angeordneten Sourcebereich (201, 301, 501),einen benachbart zur ersten Hauptoberfläche (110) angeordneten Drainbereich (205, 305, 505),einen Kanalbereich (220, 320, 520),eine Driftzone (260, 360, 560),einen elektrisch mit dem Sourcebereich (201, 301, 501) verbundenen Sourcekontakt (267, 3672, 502),einen elektrisch mit dem Drainbereich (205, 305, 505) verbundenen Drainkontakt (277, 3772, 506),eine Gateelektrode (210, 310, 510) an dem Kanalbereich (220, 320, 520), wobei der Kanalbereich (220, 320, 520) und die Driftzone (260, 360, 560) längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201, 301, 501) und dem Drainbereich (205, 305, 505) angeordnet sind, die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) ist und der Kanalbereich (220, 320, 520) eine Gestalt eines ersten Kammes hat, der sich längs der ersten Richtung erstreckt,wobei der Sourcekontakt (267, 3672, 502) benachbart zu der ersten Hauptoberfläche (110) ist und der Drainkontakt (277, 3772, 506) benachbart zu einer zweiten Hauptoberfläche (120) ist, die entgegengesetzt zu der ersten Hauptoberfläche (110) ist.

    Optoelektronischer Sensor
    16.
    发明专利
    Optoelektronischer Sensor 未知

    公开(公告)号：DE112013004299B4

    公开(公告)日：2021-12-30

    申请号：DE112013004299

    申请日：2013-08-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JAKOBY BERNHARD ,  LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  HEDENIG URSULA ,  OSTERMANN THOMAS

    IPC: G01N21/55 ,  G01N21/17 ,  G02B6/12 ,  H01L31/0232

    Abstract: Optoelektronischer Infrarot (IR)-Sensor, der aufweist:ein Halbleitersubstrat (202), das einen Silizium-Wellenleiter (110, 204) aufweist, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal (104), der zur Einkopplung von Strahlung in den Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, und einem Strahlungsauslasskanal (108), der zur Auskopplung von Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, erstreckt,eine Pufferschicht (120), die an eine Unterseite des Silizium-Wellenleiters (110, 204) zwischen dem Strahlungseinlasskanal (104) und dem Strahlungsauslasskanal (108) grenzt,wobei der Silizium-Wellenleiter (110, 204) geeignet ist, die Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal (104) zum Strahlungsauslasskanal (108) in einer einzelnen Mode zu übertragen, so dass ein abklingendes Feld ausgebildet wird, das sich vom Silizium-Wellenleiter (110, 204) nach außen erstreckt zur Wechselwirkung mit einer Probe (112), und wobei der Optoelektronische Infrarot (IR)-Sensor zudem aufweist:eine Kopplungsstruktur (302) zur Kopplung von Strahlung einer Strahlungsquelle (104a, 206) in den Silizium-Wellenleiter (110, 204), wobei die Kopplungsstruktur (302) eine Mehrzahl einzelner Schichten (302a, 302b, 302c) mit unterschiedlichen Materialien aufweist, die sich von einer Oberseite des Silizium-Wellenleiters (104, 204) zur Pufferschicht (120) vertikal erstrecken und in einer entlang einer Länge des Silizium-Wellenleiters (104, 204) verlaufenden horizontalen Richtung gestapelt sind.

    Transistorbauelement
    18.
    发明专利
    Transistorbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102019009217A1

    公开(公告)日：2021-04-29

    申请号：DE102019009217

    申请日：2019-10-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MELZNER HANNO ,  DANKERL MARKUS ,  IRSIGLER PETER ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

    Abstract: Ein Transistorbauelement wird beschrieben. Das Transistorbauelement umfasst: einen Halbleiterkörper (100); mehrere Zellengebiete (1), die jeweils mehrere Transistorzellen (10) aufweisen, die wenigstens teilweise in dem Halbleiterkörper (100) integriert sind und die jeweils eine jeweilige Gateelektrode (16) aufweisen; ein Gatepad (31), das oberhalb einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist; und mehrere Gaterunner (2), wobei jeder Gaterunner (2) eine Kapazität, einen Widerstand und eine Laufzeitverzögerung hat, wobei die Laufzeitverzögerung durch Einstellen wenigstens eines von der Kapazität und dem Widerstand einstellbar ist, wobei jeder Gaterunner (2) der mehreren Gaterunner (2) die Gateelektroden (16) eines der mehreren Zellengebiete (1) an das Gatepad (31) koppelt.

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