公开(公告)号：DE102006034599A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：DE102006034599

申请日：2006-07-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEIS BENNO ,  PETERS DETHARD ,  WOELZ MARTIN

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/60

Abstract: The method involves preparing a wafer (10), which is rotated around a rotation axis (R) during manufacturing or processing and has many unscattered semiconductor chips and successively arranging many grouping zones (21 to 24) in radial direction to which each section of the wafer is assigned. Each semiconductor chip of the wafer is partly assigned in the grouping areas, where two semiconductor chips, which are assigned to grouping zones, are connected. An independent claim is also included for a method for interconnecting semiconductor chips, which are manufactured on a common wafer.

公开(公告)号：DE102015121566B4

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE102015121566

申请日：2015-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  KONRATH JENS ,  BERGNER WOLFGANG ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/80

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 120, 130, 140, 150, 160, 210, 220, 230, 240, 250, 260, 270), umfassend:eine Mehrzahl von Drift-Regionen (101) einer Mehrzahl von Feldeffekttransistorstrukturen, die in einem Siliziumcarbidsubstrat (102) angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Drift-Regionen (101) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;eine Mehrzahl von Kompensationsregionen (103), die in dem Siliziumcarbidsubstrat (102) angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Kompensationsregionen (103) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei jede Drift-Region (101) aus der Mehrzahl von Drift-Regionen (101) benachbart zu zumindest einer Kompensationsregion (103) aus der Mehrzahl von Kompensationsregionen (103) angeordnet ist; undzumindest eine Schottky-Diodenstruktur oder gategesteuerte Metall-Isolation-Halbleiter-Diodenstruktur (104), die an dem Siliziumcarbidsubstrat (102) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015103070B4

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：DE102015103070

申请日：2015-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Hauptkristallrichtung (401) parallel zu einer horizontalen Ebene,Trenchgatestrukturen (150) mit einer Längserstreckung größer als eine Breite in der horizontalen Ebene, wobei Längsachsen (159) der Trenchgatestrukturen (150), zu der ersten Hauptkristallrichtung (401) um einen Neigungswinkel (φ) von wenigstens 2 Grad und höchstens 30 Grad in der horizontalen Ebene geneigt sind, undMesateilen (170) zwischen benachbarten Trenchgatestrukturen (150), wobei erste Seitenwandabschnitte (104a) von ersten Mesaseitenwänden (104) Hauptkristallebenen parallel zu der ersten Hauptkristallrichtung (401) sind und zweite Seitenwandabschnitte (104b), die zu den ersten Seitenwandabschnitten (104a) geneigt sind, die ersten Seitenwandabschnitte (104a) verbinden.

公开(公告)号：DE102015103072B4

公开(公告)日：2021-08-12

申请号：DE102015103072

申请日：2015-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD ,  RUPP ROLAND ,  SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/739

Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:Grabenstrukturen (350), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterkörper (100) erstrecken, und jeweils eine Gatestruktur (150) und eine sich durch die Gatestruktur (150) erstreckende Kontaktstruktur (315) aufweisen;Transistormesas (170) zwischen den Grabenstrukturen (350), wobei jede Transistormesa (170) eine Bodyzone (115) aufweist, die einen ersten pn-Übergang (pn1) mit einer Driftstruktur (120) und einen zweiten pn-Übergang (pn2) mit einer Sourcezone (110) ausbildet;Diodengebiete (116), die jeweils direkt an eine der Kontaktstrukturen (315) angrenzen wobeidie Driftstruktur (120) eine Driftzone (121) und Stromspreizzonen (122) aufweist, wobei die Stromspreizzonen (122) die ersten pn-Übergänge (pn1) bilden und eine mittlere Dotierstoffkonzentration in den Stromspreizzonen (122) wenigstens doppelt so groß ist wie eine mittlere Dotierstoffkonzentration in der Driftzone (121), und wobeidie Driftstruktur (120) eine Driftzone (121) und eine Avalanche-Steuerungszone (123) aufweist, eines der Diodengebiete (116) und die Avalanche-Steuerungszone (123) einen dritten pn-Übergang (pn3) bilden und eine mittlere Dotierstoffkonzentration in der Avalanche-Steuerungszone (123) wenigstens doppelt so hoch ist wie eine mittlere Dotierstoffkonzentration in der Driftzone (121).

公开(公告)号：DE102019115583A1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102019115583

申请日：2019-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  HILSENBECK JOCHEN ,  GRUBER MARTIN ,  SCHOLZ WOLFGANG ,  BASLER THOMAS ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  PETERS DETHARD ,  RUPP ROLAND ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L23/485 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Siliziumkarbid-Bauelement umfasst ein Siliziumkarbid-Substrat, eine Kontaktschicht, die Nickel, Silizium und Aluminium umfasst, eine Barriereschichtstruktur, die Titan und Wolfram umfasst, eine Metallisierungsschicht, die Kupfer umfasst. Die Kontaktschicht befindet sich auf dem Siliziumkarbid-Substrat. Die Kontaktschicht befindet sich zwischen dem Siliziumkarbid-Substrat und zumindest einem Teil der Barriereschichtstruktur. Die Barriereschichtstruktur befindet sich zwischen dem Siliziumkarbid-Substrat und der Metallisierungsschicht.

公开(公告)号：DE102015117286A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：DE102015117286

申请日：2015-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  KUECK DANIEL ,  RUPP ROLAND ,  PETERS DETHARD ,  BERGNER WOLFGANG ,  POENARIU VICTORINA ,  UNEGG GERALD ,  REINWALD GERALD

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/263 ,  H01L21/322 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Graben (190) wird ausgebildet, der sich von einer Hauptoberfläche (101a) in eine kristalline Siliziumcarbid-Halbleiterschicht (100a) erstreckt. Eine Maske (400) wird ausgebildet, die eine Maskenöffnung (401) umfasst, die den Graben (190) und eine Randsektion (105) der Hauptoberfläche (101a) um den Graben (190) freilegt. Durch Bestrahlung mit einem Teilchenstrahl (990) werden ein erster Abschnitt (181) der Halbleiterschicht (100a), der durch die Maskenöffnung (401) freigelegt ist, und ein zweiter Abschnitt (182) amorphisiert, der außerhalb der vertikalen Projektion der Maskenöffnung (401) liegt und direkt an den ersten Abschnitt (181) angrenzt. Eine vertikale Ausdehnung des amorphisierten zweiten Abschnitts (182) nimmt mit zunehmender Distanz zum ersten Abschnitt (181) allmählich ab. Die amorphisierten ersten und zweiten Abschnitte (181, 182) werden entfernt.

公开(公告)号：DE102014117780A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102014117780

申请日：2014-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper und wenigstens eine Bauelementzelle (101, 102), die in dem Halbleiterkörper integriert sind, aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle aufweist: ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12) und ein Bodygebiet (13), das zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist; ein Diodengebiet (30) und einen pn-Übergang zwischen dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11); einen Graben mit einer ersten Seitenwand (1101), einer zweiten Seitenwand (1102) gegenüber der ersten Seitenwand (1101) und einen Boden (1103), wobei das Bodygebiet (13) an die erste Seitenwand angrenzt, das Diodengebiet (30) an die zweite Seitenwand (1102) angrenzt und der pn-Übergang an den Boden (1103) des Grabens (110) angrenzt; eine Gateelektrode (21), die in dem Graben angeordnet ist und die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber Sourcegebiet (12), dem Bodygebiet (13), dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11) isoliert ist; einen weiteren Graben, der sich von einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) in den Halbleiterkörper (100) erstreckt; eine Sourceelektrode (41), die in dem weiteren Graben angeordnet ist und in dem weiteren Graben an das Sourcegebiet (12) und das Diodengebiet (30) angrenzt; wobei das Diodengebiet (30) ein unteres Diodengebiet, das unterhalb des Bodens (1103) des Grabens angeordnet ist, aufweist; und wobei das untere Diodengebiet ein Maximum der Dotierungskonzentration beabstandet zu dem Boden des Grabens aufweist.

公开(公告)号：DE102014119465B3

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：DE102014119465

申请日：2014-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  SIEMIENIEC RALF ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend: streifenförmige Trenchgatestrukturen (150), die sich in einem auf einem Halbleitermaterial mit einem hexagonalen Kristallgitter beruhenden Halbleiterkörper (100) längs einer ersten horizontalen Richtung erstrecken, wobei Seitenwände der Trenchgatestrukturen (150) (-1100)- und (1-100)-Kristallebenen sind; Transistormesas (170) zwischen benachbarten Trenchgatestrukturen (150), wobei die Transistormesas (170) Bodybereiche (115) aufweisen, die erste pn-Übergänge (pn1) mit einer Driftstruktur (120) und zweite pn-Übergänge (pn2) mit Sourcezonen (110) bilden.

公开(公告)号：DE102014107325A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102014107325

申请日：2014-05-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  PETERS DETHARD ,  ESTEVE ROMAIN ,  BERGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/861

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper und wenigstens eine Bauelementzelle (101, 102), die in dem Halbleiterkörper integriert sind, aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle aufweist: ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12) und ein Bodygebiet (13), das zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist; ein Diodengebiet (30) und einen pn-Übergang zwischen dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11); einen Graben mit einer ersten Seitenwand (1101), einer zweiten Seitenwand (1102) gegenüber der ersten Seitenwand (1101) und einen Boden (1103), wobei das Bodygebiet (13) an die erste Seitenwand angrenzt, das Diodengebiet (30) an die zweite Seitenwand (1102) angrenzt und der pn-Übergang an den Boden (1103) des Grabens (110) angrenzt; eine Gateelektrode (21), die in dem Graben angeordnet ist und die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (13), dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11) isoliert ist; wobei das Diodengebiet (30) ein unteres Diodengebiet, das unterhalb des Bodens (1103) des Grabens angeordnet ist, aufweist; und wobei das untere Diodengebiet ein Maximum der Dotierungskonzentration beabstandet zu dem Boden des Grabens aufweist.

公开(公告)号：DE102013214196A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：DE102013214196

申请日：2013-07-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRIEDRICHS PETER ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst: einen Halbleiterkörper (100); in dem Halbleiterkörper (100): ein Sourcegebiet (13), ein Bodygebiet (14) und ein Driftgebiet (11) mit einem ersten Driftgebiet (111) und einem zweiten Driftgebiet (112), wobei das Sourcegebiet (13) und das Driftgebiet (11) in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind, wobei das Bodygebiet (14) zwischen dem Sourcegebiet (13) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und wobei der zweite Driftgebietabschnitt (112) in der vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers an den ersten Driftgebietabschnitt (111) angrenzt; eine zu dem Bodygebiet (14) benachbarte und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch von dem Bodygebiet (14) isolierte Gateelektrode; ein Diodengebiet (15) eines zu dem Halbleitertyp des Driftgebiets (11) komplementären Halbleitertyps, wobei das Driftgebiet (15) in dem Driftgebiet (11) und in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zu der Gateelektrode (21) angeordnet ist; eine Sourceelektrode (30), die elektrisch an das Sourcegebiet (13), das Bodygebiet (14) und das Diodengebiet (15) angeschlossen ist, wobei wenigstens ein erster Abschnitt der Sourceelektrode in einem Graben angeordnet ist, der sich benachbart zu dem Sourcegebiet (13), dem Bodygebiet (14) und einem ersten Abschnitt (111) des Driftgebiets (11) an das Diodengebiet (15) erstreckt.