公开(公告)号：DE102004005775A1

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：DE102004005775

申请日：2004-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FALCK ELMAR ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHMIDT GERHARD ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: The semi conductor device has a pair of connection zones [2,3] with a semiconductor zone [4] with a formed drift zone [5] in between. The drift zone has a compensating structure and has field electrodes [6] in direct contact. The field electrodes are of hydrogen impregnated carbon or polycrystalline silicon.

公开(公告)号：DE10047152A1

公开(公告)日：2002-04-25

申请号：DE10047152

申请日：2000-09-22

Applicant: EUPEC GMBH & CO KG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHMIDT GERHARD ,  BARTHELMES REINER

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

公开(公告)号：DE102018110240A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102018110240

申请日：2018-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUMBEL OLIVER ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KAHN MARKUS ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  LEITL BERNHARD ,  MAIER CHRISTIAN ,  SCHMIDT GERHARD ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  KOPROWSKI ANGELIKA

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Hochspannungshalbleitervorrichtung umfasst ein Aussetzen eines Halbleitersubstrats gegenüber einem Plasma, um eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat auszubilden. Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat.

公开(公告)号：DE102014108986B4

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102014108986

申请日：2014-06-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MÜLLER MATTHIAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleiterbauelement, das Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (90) mit einer aktiven Zone (55) und einer Peripheriezone (50) seitlich beieinander, wobei die Peripheriezone die aktive Zone seitlich umgibt,- eine Metallisierungsschicht (26) auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterkörpers (90), mit der aktiven Zone (55) verbunden,- eine erste Barrierenschicht (24), umfassend ein hochschmelzendes Metall oder eine hochschmelzende Legierung, zwischen der aktiven Zone (55) und der Metallisierungsschicht (26) angeordnet,- eine zweite Barrierenschicht (25), die mindestens einen Teil der Peripheriezone (50) bedeckt, wobei die zweite Barrierenschicht ein amorphes halbisolierendes Material umfasst,- wobei die erste Barrierenschicht (24) und die zweite Barrierenschicht (25) teilweise überlappen und eine Überlappungszone (52) bilden, wobei sich die Überlappungszone über einen ganzen Umfang der aktiven Zone (55) erstreckt, und wobei die erste Barrierenschicht (24) und die zweite Barrierenschicht (25) eine kontinuierliche Barriere bilden.

公开(公告)号：DE102016102861B3

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：DE102016102861

申请日：2016-02-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  LERCHER ERWIN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Einbringen von Dotierstoffen eines ersten Leitfähigkeitstyps in einen Body-Region-nahegelegenen Abschnitt eines Halbleitersubstrats, der eine Basisdotierung des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist. Das Einbringen der Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps wird durch eine Maskenstruktur an zumindest einem Teil einer Randregion des Halbleitersubstrats maskiert. Das Verfahren umfasst ferner ein Bilden einer Body-Region einer Transistorstruktur eines zweiten Leitfähigkeitstyps in dem Halbleitersubstrat. Der Body-Region-nahegelegene Abschnitt des Halbleitersubstrats befindet sich benachbart zu der Body-Region der Transistorstruktur.

公开(公告)号：DE102014119088A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102014119088

申请日：2014-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Einbringen von Chalkogen-Dotierstoffatomen in einen Halbleiter-Dotierungsbereich eines Halbleitersubstrats eines Halbleiterbauelements. Das Verfahren umfasst ferner ein Einbringen von Schwermetallatomen in den Halbleiter-Dotierungsbereich.

公开(公告)号：DE102014108986A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：DE102014108986

申请日：2014-06-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MÜLLER MATTHIAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement enthält einen Halbleiterkörper (90) mit einer aktiven Zone (55) und einer Hochspannungsperipheriezone (50) seitlich beieinander, wobei die Hochspannungsperipheriezone (50) die aktive Zone (55) seitlich umgibt, eine Metallisierungsschicht (26) auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterkörpers (90), mit der aktiven Zone (55) verbunden, eine erste Barrierenschicht (24), umfassend ein hochschmelzendes Metall oder eine hochschmelzende Legierung, zwischen der aktiven Zone (55) und der Metallisierungsschicht (26) angeordnet, eine zweite Barrierenschicht (25), die mindestens einen Teil der Peripheriezone (50) bedeckt, wobei die zweite Barrierenschicht (25) ein amorphes halbisolierendes Material umfasst, wobei die erste Barrierenschicht (24) und die zweite Barrierenschicht (25) teilweise überlappen und eine Überlappungszone (52) bilden, wobei sich die Überlappungszone über einen ganzen Umfang der aktiven Zone (55) erstreckt. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Leistungshalbleiterbauelements bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102012102341A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：DE102012102341

申请日：2012-03-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOLBESEN BERND

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/334 ,  H01L29/06

Abstract: Ein undotiertes Halbleitersubstrat (100) wird dotiert, indem eine Spannung auf eine Seite (102) des undotierten Halbleitersubstrats (100) ausgeübt wird, um Eigenzwischengitteratome in dem Substrat (100) freizusetzen, und Chalkogenatome (108) in die Seite des Substrats (100) implantiert werden. Das Substrat (100) wird ausgeheilt, um ein erstes Halbleitergebiet (112) auszubilden, das die Chalkogenatome (108) enthält, und ein zweites Halbleitergebiet (114), das keine Chalkogenatome aufweist. Das erste Halbleitergebiet (112) weist eine Dotierkonzentration auf, die höher ist als die Dotierkonzentration des zweiten Halbleitergebiets (114). Das Eindiffundieren von Chalkogenatomen (108) in ein Halbleitermaterial in Anwesenheit von Eigenzwischengitteratomen kann auch zum Ausbilden von Feldstoppgebieten in Leistungshalbleiterbauelementen verwendet werden.

公开(公告)号：DE102004002908B4

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：DE102004002908

申请日：2004-01-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  ZELSACHER RUDOLF ,  BAER MICHAEL ,  WERNER WOLFGANG ,  WINKLER BERNHARD

IPC: H01L23/29 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/58 ,  H01L29/84

Abstract: A semiconductor component ( 1 ) includes a substrate, an active area ( 2 ), formed in/on the substrate, and a passivation layer ( 5 ) which is provided at least above part of the active area ( 2 ). The passivation layer ( 5 ) at least partially comprises amorphous, hydrogen-doped carbon. The provision of a passivation layer of this type allows the semiconductor component ( 1 ) to be effectively protected against environmental influences.

公开(公告)号：DE102004037153A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：DE102004037153

申请日：2004-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  RUEB MICHAEL

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: Power semiconductor component (1) is formed using semiconductor material (20) with central region (20Z), edge region (20R) and surface region. In central region is formed basic semiconductor circuit (10). In edge region is formed electric terminal region (30) with trench structure (40) for semiconductor circuit.Trench structure is formed to extend from surface region of semiconductor material vertically into semiconductor material. Method requires only single photo structure using step and single mask.