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    Semiconductor substrate manufacturing method e.g. for multiple-epitaxy device
    11.
    发明专利
    Semiconductor substrate manufacturing method e.g. for multiple-epitaxy device 未知

    公开(公告)号：DE10018371A1

    公开(公告)日：2001-10-25

    申请号：DE10018371

    申请日：2000-04-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WEBER HANS

    IPC: H01L21/22 ,  H01L21/26 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

    Abstract: A manufacturing method for semiconductor substrate, during which at least one first basic region (2) is produced from a fundamental semiconductor material (6), at least a first dopant material (8) is introduced at least into the fundamental semiconductor material (6) of the first basic region (2), and subsequently the temperature at least in the first basic region (2) is increased at times, in order to effect a change in the distribution at least of the doping material (8) in the first basic region (2). The temperature in each case is increased, as in well-defined heating zones (4) of the respective basic regions (2) a locally limited quantity of heat is introduced, and through this an increase in the temperature is achieved which is largely restricted to the heating zones (4) loaded with the quantity of heat in the respective basic region (2).

    Semiconductor device with compensation structure e.g. vertical FET
    12.
    发明专利
    Semiconductor device with compensation structure e.g. vertical FET 未知

    公开(公告)号：DE10008570A1

    公开(公告)日：2001-09-13

    申请号：DE10008570

    申请日：2000-02-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WEBER HANS

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: The semiconductor device has an anode region (1), at least one cathode region (3), and a third region (5) between the anode and cathode regions for receiving blocking voltages between the anode and cathode regions. The third region includes areas (6,7,8) of a first conductivity type and adjacent areas (9,10,11) of a second conductivity type. When a blocking voltage is applied, the areas mutually clear. The third region includes several planes (13a,13b,13c), each having areas (6,7,8) of the first conductivity type and adjacent areas (9,10,11) of the second conductivity type. Each area of one conductivity type in one plane adjoins areas of the same conductivity type in an adjacent plane.

    Transistorbauteil
    13.
    发明专利
    Transistorbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102023126381A1

    公开(公告)日：2025-03-27

    申请号：DE102023126381

    申请日：2023-09-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HELL MICHAEL ,  AICHINGER THOMAS ,  WEBER HANS ,  BERGNER WOLFGANG ,  TILKE ARMIN ,  ZIEMYS GRAZVYDAS ,  MIKHAYLOV ALEXEY ,  RESCHER GERALD

    IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D62/832 ,  H10D64/27

    Abstract: Ein Transistorbauelement wird offenbart. Das Transistorbauelement enthält einen Halbleiterkörper (100) und mehrere Transistorzellen (1). Jede Transistorzelle enthält ein Drift-Gebiet (11) und ein Source-Gebiet (13) eines ersten Dotierungstyps; ein Body-Gebiet (12) eines zum ersten Dotierungstyp komplementären zweiten Dotierungstyps; ein Feldformungsgebiet (31) vom zweiten Dotierungstyp, das mit dem Source-Knoten (S) verbunden ist; und eine Gate-Elektrode (21), die mit einem Gate-Knoten (G) verbunden ist. Die Gate-Elektrode (21) ist in einem Graben (23) angeordnet, der sich von einer ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, die Gate-Elektrode (21) ist durch ein Gate-Dielektrikum (22) von dem Body-Gebiet (12) dielektrisch isoliert, zumindest Abschnitte der Gate-Elektrode (21) sind durch ein Felddielektrikum (32) von dem Drift-Gebiet (11) dielektrisch isoliert, das Feldformungsgebiet (31) grenzt an den Graben (23) an, und das Felddielektrikum (32) weist ein High-k-Dielektrikum auf.

    TRANSISTORBAUELEMENT
    14.
    发明专利
    TRANSISTORBAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102023117853A1

    公开(公告)日：2025-01-09

    申请号：DE102023117853

    申请日：2023-07-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  WEBER HANS ,  HELL MICHAEL ,  TILKE ARMIN ,  ZIEMYS GRAZVYDAS

    IPC: H10D30/60 ,  H10D62/832 ,  H10D84/83

    Abstract: Ein Transistorbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Transistorbauelements werden offenbart. Das Transistorbauelement enthält einen Halbleiterkörper (100) und mehrere Transistorzellen (1). Jede Transistorzelle enthält: ein Drift-Gebiet (11), ein Body-Gebiet (12) und ein Source-Gebiet (13); eine Gate-Elektrode (21), die mit einem Gate-Knoten (G) verbunden ist; und eine Feldelektrode (31), die mit einem Source-Knoten (S) verbunden ist. Die Gate-Elektrode (21) ist durch ein Gate-Dielektrikum (22) von dem Body-Gebiet (12) dielektrisch isoliert und ist in einem ersten Graben (23), der sich von einer ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) erstreckt, angeordnet. Die Feldelektrode (31) ist durch ein High-k-Dielektrikum (32) von dem Drift-Gebiet (11) dielektrisch isoliert und ist in einem zweiten Graben (33) angeordnet. Der zweite Graben (33) erstreckt sich von der ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) und ist von dem ersten Graben (23) beabstandet, und die Feldelektrode (31) erstreckt sich zumindest so tief ) in den Halbleiterkörper (100) wie der erste Graben (23.

    Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements
    16.
    发明专利
    Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102014019927B3

    公开(公告)日：2019-05-16

    申请号：DE102014019927

    申请日：2014-12-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

    Abstract: Ein Verfahren (200) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Ausführen einer anodischen Oxidation (210) einer Oberflächenregion eines Halbleitersubstrats, um eine Oxidschicht an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Erzeugen eines anziehenden, elektrischen Feldes zwischen dem Halbleitersubstrat und einer externen Elektrode innerhalb eines Elektrolyten zu bilden, um oxidierende Ionen des Elektrolyten anzuziehen, was eine Oxidation der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats verursacht; undStimulieren (220) der anodischen Oxidation unabhängig von dem anziehenden, elektrischen Feld,wobei das Verfahren (200) ferner das Ausführen einer maskierten Schadensimplantation von zumindest einem Teil der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats vor der anodischen Oxidation aufweist, und/oderwobei das Stimulieren der anodischen Oxidation das Anlegen eines Magnetfeldes an die Oberfläche des Halbleitersubstrats aufweist.

    SiC-basierte Supersperrschicht-Halbleitervorrichtung
    17.
    发明专利
    SiC-basierte Supersperrschicht-Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102015202121A1

    公开(公告)日：2016-08-11

    申请号：DE102015202121

    申请日：2015-02-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  RUPP ROLAND ,  WEBER HANS ,  JANTSCHER WOLFGANG

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) wird vorgestellt. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst: einen Halbleiterkörper (11), wobei der Halbleiterkörper (11) ein Halbleiterkörpermaterial umfasst, das einen Dotierstoff-Diffusions-Koeffizienten aufweist, der kleiner als der entsprechende Dotierstoff-Diffusions-Koeffizient von Silizium ist; mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2), wobei die mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) mit Dotierstoffen eines ersten Leitfähigkeitstyps dotiert ist und eine Säulenform aufweist, die sich entlang einer Ausdehnungsrichtung (B) in den Halbleiterkörper (11) hinein erstreckt, wobei eine entsprechende Breite (D) der mindestens einen ersten Halbleiterzone (111-1, 111-2) entlang der Ausdehnungsrichtung (B) kontinuierlich zunimmt; mindestens eine zweite Halbleiterzone (112), die im Halbleiterkörper (11) umfasst ist, wobei die mindestens eine zweite Halbleiterzone (112) angrenzend an die mindestens erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) angeordnet und mit Dotierstoffen eines zweiten Leitfähigkeitstyps dotiert ist, der zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist.

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