公开(公告)号：DE112012001920A5

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE112012001920

申请日：2012-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LOEFFLER ANDREAS ,  LEIRER CHRISTIAN ,  PETER MATTHIAS ,  BUTENDEICH RAINER ,  MEYER TOBIAS

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14

公开(公告)号：DE10329079A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：DE10329079

申请日：2003-06-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINDER NORBERT ,  PIETZONKA INES ,  BUTENDEICH RAINER ,  MAYER BERND

IPC: H01L33/02 ,  H01S5/30 ,  H01L33/00

Abstract: The component has n- and p-doped confinement layers (14,22) and n active, photon emitting layer (18) between them. The n-doped confinement layer is doped with a first n-doping material to produce high active doping and/or a sharp doping profile and the active layer is doped with a second different doping material to improve the layer quality of the active layer.

公开(公告)号：DE112017000834A5

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：DE112017000834

申请日：2017-02-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  ILLEK STEFAN

IPC: H05B44/00 ,  H01L27/32

公开(公告)号：DE102014117892A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102014117892

申请日：2014-12-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  STOLL ION ,  MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/18

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend – einen Halbleiterchip (12), der im Betrieb ein blau-grünes Licht (4) emittiert und zumindest eine Lichtdurchtrittsfläche (12a) aufweist, durch die das im Betrieb emittierte blau-grüne Licht (4) tritt, und – ein Konversionselement (3), das Leuchtstoffpartikel (31), insbesondere nur einer Art, umfasst und zumindest stellenweise auf der Lichtdurchtrittsfläche (12a) angeordnet ist, wobei – die Leuchtstoffpartikel (31) das blau-grüne Licht (4) zumindest teilweise in ein rotes Licht (5) konvertieren und – das optoelektronische Bauelement ein weißes Mischlicht (6), das nicht-konvertierte Teile des blau-grünen Lichts (4) und Teile des roten Lichts (5) enthält, emittiert.

公开(公告)号：DE102008016100A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：DE102008016100

申请日：2008-03-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WIRTH RALPH ,  BUTENDEICH RAINER

IPC: H01L27/14 ,  G01J1/42 ,  H01L31/0216 ,  H04N5/335

公开(公告)号：DE102005047152A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：DE102005047152

申请日：2005-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS ,  KRAEUTER GERTRUD ,  BUTENDEICH RAINER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12

Abstract: The substrate has a sacrificial layer (32) attached on a wafer substrate, where a band gap of the sacrificial layer is smaller than a band gap of a gallium arsenide. An epitaxial layer (33) has a band gap that is larger than the band gap of the sacrificial layer. The sacrificial layer contains germanium, gallium arsenide nitride, gallium arsenide antimonide and indium gallium arsenide. The sacrificial layer has a super lattice structure, which is arranged at a lattice structure of wafers. A lattice adjustment layer (35b) is located between the sacrificial layer and epitaxial layer. Independent claims are also included for the following: (1) an LED-thin film chip, which is manufactured by an epitaxial substrate; (2) a method for manufacturing an epitaxial substrate; and (3) a method for manufacturing a light emitting diode thin film chip.

公开(公告)号：DE102018101428A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102018101428

申请日：2018-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  BAUMGARTNER ALEXANDER

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/55 ,  C09K11/79 ,  C09K11/80

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend: einen Halbleiterchip (4), der zur Emission von Primärstrahlung aus dem blauen Spektralbereich befähigt ist, ein Konversionselement (10), das mindestens drei Leuchtstoffe aufweist, die jeweils zur Konversion der Primärstrahlung in Sekundärstrahlung befähigt sind, wobei der erste Leuchtstoff (1) zur Emission von Sekundärstrahlung aus dem grünen Spektralbereich befähigt ist, wobei der zweite Leuchtstoff (2) zur Emission von Sekundärstrahlung aus dem roten Spektralbereich befähigt ist, wobei der dritte Leuchtstoff (3) ein Kalium-Silizium-Fluorid-Leuchtstoff ist und zur Emission von Sekundärstrahlung aus dem roten Spektralbereich befähigt ist, wobei das Bauelement (100) einen Ra-Wert von mindestens 80 und einen R9-Wert von mindestens 75 aufweist, wobei das Bauelement (100) zur Emission von weißer Mischstrahlung befähigt ist.

公开(公告)号：DE102017130136A1

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102017130136

申请日：2017-12-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN DAVID ,  GÖÖTZ BRITTA ,  BUTENDEICH RAINER

IPC: F21K9/64 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfassend einen Halbleiterchip mit einem aktiven Bereich, der in einem eingeschalteten Zustand elektromagnetische Strahlung mit einem ersten Spektrum emittiert und ein Wellenlängenkonversionselement, das dem Halbleiterchip im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung mit dem ersten Spektrum nachgeordnet ist und zumindest teilweise elektromagnetische Strahlung mit dem ersten Spektrum in elektromagnetische Strahlung mit einem zweiten Spektrum konvertiert. Weiter umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement eine Farbanpassungsschicht, die dem Wellenlängenkonversionselement im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung mit dem ersten Spektrum nachgeordnet ist und die zumindest einen Teil einer von außen auf das Wellenlängenkonversionselement einfallenden elektromagnetischen Strahlung reflektiert. Wobei von außen auf das Wellenlängenkonversionselement einfallende und von dem Wellenlängenkonversionselement reflektierte elektromagnetische Strahlung einen ersten Farbort aufweist, und wobei eine Mischstrahlung, enthaltend die von außen auf das Wellenlängenkonversionselement einfallende und von dem Wellenlängenkonversionselement reflektierte elektromagnetische Strahlung und die von außen auf die Farbanpassungsschicht einfallende und von der Farbanpassungsschicht reflektierte elektromagnetische Strahlung, einen zweiten Farbort aufweist, wobei der zweite Farbort näher an einem Weißpunkt liegt als der erste Farbort.

公开(公告)号：DE102016103264A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102016103264

申请日：2016-02-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MATHY DAVID ,  LINKOV ALEXANDER ,  ILLEK STEFAN ,  BUTENDEICH RAINER

IPC: F21K9/65 ,  F21K9/61 ,  F21S4/28 ,  F21V5/00 ,  F21V8/00 ,  F21Y103/00 ,  F21Y103/10 ,  F21Y103/30 ,  F21Y115/10 ,  H01L25/075 ,  H01L31/153 ,  H01L33/58 ,  H05B44/00

Abstract: Es umfasst die Lichtquelle (1) einen ersten Halbleiterchip (21) zur Erzeugung von erstem Licht und einen zweiten Halbleiterchip (22) zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist als das erste Licht. In einem Lichtmischkörper (3) werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor (4) befindet sich an dem Lichtmischkörper (3) und ist zur Bestimmung eines Farborts des Mischlichts eingerichtet. Die Lichtquelle (1) umfasst ferner einen Lichtabstrahlkörper (5) zur Abstrahlung des ersten und des zweiten Lichts. Der Lichtmischkörper (3) ist aus einem ersten Material mit einem ersten Brechungsindex und der Lichtabstrahlkörper (5) aus einem zweiten Material mit einem zweiten, niedrigeren Brechungsindex erzeugt. Die Halbleiterchips (21, 22) sind entlang einer Linie (6) angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor (4) auf. Der Lichtmischkörper (3) bedeckt die Halbleiterchips (21, 22) zumindest teilweise, sodass der Detektor (4) von jedem der Halbleiterchips (21, 22) durch den Lichtmischkörper (3) Licht empfängt.

公开(公告)号：DE102013113188A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102013113188

申请日：2013-11-28

Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  CUI HAILING ,  WINDISCH REINER ,  FRISCHEISEN JÖRG ,  LANGE STEFAN

IPC: H01L33/50 ,  F21V9/40 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Lumineszenzkonversionselement (6) für die Wellenlängenkonversion von elektromagnetischer Primärstrahlung (41) zu elektromagnetischer Sekundärstrahlung (52) angegeben, umfassend – Leuchtstoffpartikel zumindest einer ersten Art (1), welche bei Anregung durch die elektromagnetische Primärstrahlung (41) eine erste elektromagnetische Strahlung (11) emittieren, deren Peak-Wellenlänge (1p) im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums liegt, – Leuchtstoffpartikel zumindest einer zweiten Art (2), welche bei Anregung durch die elektromagnetische Primärstrahlung (41) eine zweite elektromagnetische Strahlung (21) emittieren, deren Peak-Wellenlänge (2p) im gelb-roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums liegt und – Leuchtstoffpartikel zumindest einer dritten Art (3), welche bei Anregung durch die elektromagnetische Primärstrahlung (41) eine dritte elektromagnetische Strahlung (31) emittieren, deren Peak-Wellenlänge (3p) im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums liegt, wobei – die Peak-Wellenlänge (4p) der Primärstrahlung (41) im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums liegt, – das Lumineszenzkonversionselement (6) bei energetischer Anregung durch die Primärstrahlung (41) Sekundärstrahlung (52), welche die erste, zweite und dritte Strahlung (11, 21, 31) enthält, abstrahlt und – die korrelierte Farbtemperatur einer Mischstrahlung (51), welche aus Teilen der Primärstrahlung (41) und der Sekundärstrahlung (52) besteht, der Farbtemperatur von weißem Licht entspricht.