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    Optoelektronischer Halbleiterchip
    11.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102011102376A1

    公开(公告)日：2012-11-29

    申请号：DE102011102376

    申请日：2011-05-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MAUTE MARKUS ,  TAEGER SEBASTIAN ,  ENGL KARL ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

    IPC: H01L33/40

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (1a) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen und enthält eine TCO-Schicht (2a).

    Laserdiodenchip
    14.
    发明专利
    Laserdiodenchip 未知

    公开(公告)号：DE112015000938B4

    公开(公告)日：2020-01-09

    申请号：DE112015000938

    申请日：2015-02-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LELL ALFRED ,  TAEGER SEBASTIAN ,  HUPPMANN SOPHIA

    IPC: H01S5/028

    Abstract: Laserdiodenchip (1) mit mindestens einer Laserfacette (9), die eine Beschichtung (10) aufweist, wobei- die Beschichtung (10) mehrere anorganische Schichten (14, 15, 16, 17, 18) und mindestens eine organische Schicht (20, 21, 22) aufweist,- die anorganischen Schichten eine wärmeleitfähige Schicht (17) umfassen, die ein transparentes leitfähiges Oxid, ITO, ZnO, GaN, AlN, diamantartigen Kohlenstoff (DLC), SiC oder Graphen aufweist,- die anorganischen Schichten (14, 15, 16) zumindest teilweise in einer reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge (11, 12) angeordnet sind, wobei eine Anzahl der Schichten in der reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge (11, 12) zwischen 2 und 50 beträgt,- die wärmeleitfähige Schicht (17) zwischen der reflexionserhöhenden oder reflexionsmindernden Schichtenfolge (11, 12) und der mindestens einen organischen Schicht (20, 21, 22) angeordnet ist, und- die wärmeleitfähige Schicht (17) zwischen einer ersten organischen Diffusionsbarriereschicht (21a) und einer zweiten organischen Diffusionsbarriereschicht (21b) angeordnet ist.

    VERFAHREN ZUR BEARBEITUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    15.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR BEARBEITUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 未知

    公开(公告)号：DE102018107293A1

    公开(公告)日：2019-10-02

    申请号：DE102018107293

    申请日：2018-03-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MEYER TOBIAS ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  TAEGER SEBASTIAN

    IPC: H01L21/306 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterschichtenfolge einen Schritt A), in dem eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer ersten Markerschicht (11), einer ersten Zwischenschicht (12) und einer Ätzstoppschicht (13), die in dieser Reihenfolge übereinander geschichtet sind, bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird ein erster Ätzprozess angewendet, mit dem die erste Schicht in einem ersten vorgegebenen Bereich der Halbleiterschichtenfolge weggeätzt wird, wobei zumindest bis zur ersten Markerschicht geätzt wird. In einem Schritt C) wird ein Signal erfasst, das ein Auftreffen eines im ersten Ätzprozess verwendeten ersten Ätzmittels auf der ersten Markerschicht signalisiert. In einem Schritt D) wird ein zweiter Ätzprozess angewendet, mit dem die Zwischenschicht in dem ersten vorgegebenen Bereich weggeätzt wird, wobei bis zur Ätzstoppschicht geätzt wird und wobei der zweite Ätzprozess so eingestellt wird, dass der zweite Ätzprozess beendet ist, bevor die Ätzstoppschicht vollständig durchgeätzt ist.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
    16.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102012112771A1

    公开(公告)日：2014-06-26

    申请号：DE102012112771

    申请日：2012-12-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  TAEGER SEBASTIAN

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/16

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Epitaktisches Wachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), B) Aufbringen einer Stromaufweitungsschicht (4) aus einem transparenten, leitfähigen Oxid auf die Halbleiterschichtenfolge (3), C) Aufbringen einer Ätzmaske (6) auf die Stromaufweitungsschicht (4), D) Strukturieren der Stromaufweitungsschicht (4) sowie der Halbleiterschichtenfolge (3) durch Ätzen anhand derselben Ätzmaske (6), wobei ein Abstand einer Kante der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einer Kante der Stromaufweitungsschicht (4) höchstens 3 μm beträgt.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
    18.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102015117662A1

    公开(公告)日：2017-04-20

    申请号：DE102015117662

    申请日：2015-10-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KOPP FABIAN ,  TAEGER SEBASTIAN

    IPC: H01L33/20

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (100), umfassend eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine zwischen der n-dotierten Halbleiterschicht (3) und der p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnete aktive Schicht (4), wobei über der p-dotierten Halbleiterschicht (5) eine elektrisch leitfähige Schicht (7) angeordnet ist, die zur elektrischen Kontaktierung der p-dotierten Halbleiterschicht (5) eingerichtet ist, wobei lateral zur n-dotierten Halbleiterschicht (3), p-dotierten Halbleiterschicht (5) und aktiven Schicht (4) eine Seitenflanke (2) angeordnet ist, wobei die Seitenflanke (2) zumindest zwei schräge Teilflanken (21, 22) aufweist, wobei die erste Teilflanke (21) zumindest bereichsweise lateral zur p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnet ist, wobei die zweite Teilflanke (22) zumindest bereichsweise lateral zur n-dotierten Halbleiterschicht (3) angeordnet ist, wobei der Winkel der ersten Teilflanke (21) in Bezug auf die aktive Schicht (4) flacher als der Winkel der zweiten Teilflanke (22) ist, wobei die elektrisch leitfähige Schicht (7) lateral zur Seitenflanke (2) beanstandet ist.

    Licht emittierendes Halbleiterbauelement
    19.
    发明专利
    Licht emittierendes Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102014105799A1

    公开(公告)日：2015-10-29

    申请号：DE102014105799

    申请日：2014-04-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KOPP FABIAN ,  HUPPMANN SOPHIA ,  TAEGER SEBASTIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  ZULL HERIBERT

    IPC: H01L33/42 ,  H01L33/52 ,  H01L51/52

    Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2), der dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements (10) Licht zu erzeugen, und eine die Halbleiterschichtenfolge (1) abschließenden Halbleiterschicht (3), eine transparente elektrisch leitende Kontaktschicht (4) auf der abschließenden Halbleiterschicht (3), eine Außenschicht (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (1), die einen Kunststoff aufweist, und zumindest eine transparente dielektrische Zwischenschicht (5) zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) und der Außenschicht (6) aufweist, wobei die Kontaktschicht (4), die Zwischenschicht(5) und die Außenschicht (6) jeweils einen Brechungsindex aufweisen und der Brechungsindex der Zwischenschicht (5) kleiner als der Brechungsindex der Kontaktschicht (4) und größer als der Brechungsindex der Außenschicht (6) ist.

    Halbleiterlaserdiode, Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiodenanordnung
    20.
    发明专利
    Halbleiterlaserdiode, Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiodenanordnung 未知

    公开(公告)号：DE102013114226A1

    公开(公告)日：2015-06-18

    申请号：DE102013114226

    申请日：2013-12-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： TAEGER SEBASTIAN ,  BACHMANN ALEXANDER

    IPC: H01S5/20 ,  H01L23/36 ,  H01S5/024

    Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit vertikal übereinander aufgebrachten Halbleiterschichten mit einer aktiven Schicht (11), die im Betrieb Laserstrahlung über eine Strahlungsauskoppelfläche abstrahlt, wobei die Strahlungsauskoppelfläche durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet wird, und eine Wärmebarrierenschicht (2) und eine metallische Kontaktschicht (5) lateral zueinander benachbart auf einer Hauptoberfläche (12) der Halbleiterschichtenfolge (1) aufweist, wobei die Wärmebarrierenschicht (2) durch ein elektrisch isolierendes poröses Material (9) gebildet wird. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiodenanordnung angegeben.

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