公开(公告)号：DE10353679A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：DE10353679

申请日：2003-11-17

Applicant: SIEMENS AG ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GUENTHER EWALD ,  SORG JOERG-ERICH ,  WEIDNER KARL ,  ZAPF JOERG

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: The device has a substrate (2) with an optoelectronic component (3) that is contacted in a planar manner. The substrate has a conducting element (7), especially a conducting track. The substrate and the optoelectronic component are at least partly coated with an insulating coating (5) on which a planar conducting structure (6) is arranged for planar contacting of the optoelectronic component. An independent claim is also included for a method of manufacturing an inventive product.

公开(公告)号：DE102010032041A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE102010032041

申请日：2010-07-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  RAMCHEN JOHANN ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  GRUBER STEFAN ,  BOGNER GEORG

IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit – einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; – einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; – einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102010031732A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE102010031732

申请日：2010-07-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  KALTENBACHER AXEL ,  RAMCHEN JOHANN ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  GRUBER STEFAN ,  BOGNER GEORG

IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/18 ,  H01L33/52

Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das ein Trägerelement (1), einem auf dem Trägerelement (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise und bildet eine das Bauelement abschließende Hauptfläche (31) aus. In der Vergussmasse (3) ist eine Ausnehmung (4) ausgebildet, in der eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (5) derart angeordnet ist, dass diese die Hauptfläche (31) nicht überragt. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102008019902A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：DE102008019902

申请日：2008-04-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STATH NORBERT ,  BRAUNE BERT ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS ,  WULKESCH HANS

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

Abstract: An optoelectronic component includes a carrier element. At least two elements are arranged in an adjacent fashion on a first side of the carrier element. Each element has at least one optically active region for generating the electromagnetic radiation. The optoelectronic component has an electrically insulating protective layer arranged at least in part on a surface of the at least two adjacent elements which lies opposite the first side. The protective layer, at least in a first region arranged between the at least two adjacent elements, at least predominantly prevents a transmission of the electromagnetic radiation generated by the optically active regions.

公开(公告)号：DE102012103161A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：DE102012103161

申请日：2012-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL ,  ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/48 ,  F21V14/04 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01S5/022

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2). An einer Trägeroberseite (20) ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) angebracht. Ferner befindet sich an der Trägeroberseite (20) ein Gehäusekörper (4), in dem der Halbleiterchip (3) angebracht ist. An dem Gehäusekörper (4) befindet sich ein optisches Element (5) wie ein Reflektor. Das optische Element (5) ist dem Halbleiterchip (3) entlang einer Abstrahlrichtung nachgeordnet. Weiterhin ist das optische Element (5) dazu eingerichtet, im Betrieb des Halbleiterbauteils (1) punktuell oder flächig verformt zu werden, sodass eine räumliche und/oder spektrale Abstrahlcharakteristik des Halbleiterbauteils (1) einstellbar ist.

公开(公告)号：DE102011056220A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102011056220

申请日：2011-12-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL ,  ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/64 ,  F21V29/00 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2) auf. An einer Montageseite (20) ist ein Halbleiterchip (3) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung angebracht. Mindestens ein Konversionselement (4) zur wenigstens teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung, die eine größere Wellenlänge aufweist als die Primärstrahlung, ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht. Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet eine Wärmeleitstruktur (5) zur Entwärmung des Konversionselements (4). Die Wärmeleitstruktur (5) befindet sich außerhalb des Konversionselements (4) und steht mindestens stellenweise in direktem Kontakt zu dem Konversionselement (4).

公开(公告)号：DE102009042205A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：DE102009042205

申请日：2009-09-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Modul (100) angegeben, umfassend - einen Träger (1) mit zumindest einer Kontaktstelle (1A); - einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), wobei der strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) eine erste Kontaktfläche (2A) und eine zweite Kontaktfläche (2B) aufweist; - eine elektrisch isolierende Schicht (4), die eine erste (4A) und eine zweite Aussparung (4B) aufweist; - zumindest eine elektrisch leitfähige Leitstruktur (8), wobei - die erste Kontaktfläche (2A) auf der von dem Träger (1) abgewandten Seite des strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) angeordnet ist, - die elektrisch isolierende Schicht (4) zumindest stellenweise auf dem Träger (1) und dem Halbleiterchip (2) aufgebracht ist und die erste Aussparung (4A) im Bereich der ersten Kontaktfläche (2A) und die zweite Aussparung (4B) im Bereich der Kontaktstelle (1A) angeordnet ist, - die elektrisch leitfähige Leitstruktur (8) auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) angeordnet ist und die erste Kontaktfläche (2A) mit der Kontaktstelle (1A) des Trägers (1) elektrisch kontaktiert und - die elektrisch isolierende Schicht (4) überwiegend mit einem keramischen Material gebildet ist.

公开(公告)号：DE102009039891A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：DE102009039891

申请日：2009-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  WIRTH RALPH ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  WUTZ OLIVER ,  MARFELD JAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L21/70 ,  H01L25/075 ,  H01S5/022

Abstract: Es ist ein optoelektronisches Modul vorgesehen, das einen ersten Halbleiterkörper (2) mit einer Strahlungsaustrittsseite (2a), auf der ein elektrischer Anschlussbereich (21, 22) angeordnet ist, aufweist. Der erste Halbleiterkörper (2) ist mit einer der Strahlungsaustrittsseite (2a) gegenüberliegenden Seite auf einem Träger (1) angeordnet. Auf dem Träger (1) seitlich neben dem ersten Halbleiterkörper (2) ist ein Isolationsmaterial (3) angeordnet, das eine Kehle ausbildet und formschlüssig an den Halbleiterkörper (2) angrenzt. Auf dem ersten Halbleiterkörper (2) und dem Isolationsmaterial (3) ist zumindest bereichsweise eine Isolationsschicht (4) angeordnet, auf der zur planaren Kontaktierung des ersten Halbleiterkörpers (2) eine planare Leitstruktur angeordnet ist, die mit dem elektrischen Anschlussbereich (21, 22) elektrisch leitend verbunden ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Moduls vorgesehen.

公开(公告)号：DE102008049399A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：DE102008049399

申请日：2008-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KASPAR MICHAEL ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L33/00

Abstract: The component has a semiconductor body (33a) including a radiation outlet surface (44a) with an active region (4a) for producing radiation. A permeable layer (55) is formed over the surface for the produced radiation. A transmission barrier (66) absorbs or reflects the produced radiation, and surrounds a central region (550) in the layer over an inner region of the surface. The barrier surrounds a region over the surface, in the form of a frame. The barrier extends about side regions of the body. An independent claim is also included for a method for manufacturing an optoelectronic component.

公开(公告)号：DE102012002605B9

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：DE102012002605

申请日：2012-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL ,  STEGMEIER STEFAN

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit einer Trägeroberseite (20), – Anbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf der Trägeroberseite (20), wobei die Halbleiterchips (3) voneinander beabstandet sind, – Erstellen eines Formkörpers (4), der die Halbleiterchips (3) in lateraler Richtung ringsum unmittelbar umgibt und mechanisch dauerhaft miteinander verbindet, wobei mindestens eine Hauptseite (30) der Halbleiterchips (3) frei bleibt von einem Material des Formkörpers (4), – Entfernen des Zwischenträgers (2), und – Aufbringen eines Wärmespreizers (6) an dem Zwischenträger (2) abgewandten Unterseiten (35, 45) der Halbleiterchips (3) und des Formkörpers (4) nach dem Erstellen des Formkörpers (4) und nach dem Entfernen des Zwischenträgers (2), wobei – eine Dicke des Wärmespreizers (6) zwischen einschließlich 10 μm und 250 μm beträgt, und – der Wärmespreizer (6) elektrisch leitfähig ist und zu mindestens zwei elektrischen Kontaktstellen (65) des Halbleiterbauteils (1) gefertigt wird, wobei der Formkörper (4) zwei elektrische Durchführungen (5a, 5b) aufweist, über welche eine elektrische Verbindung von einer Körperoberseite zu einer Unterseite des Formkörpers (4) hergestellt wird, und durch die zwei Durchführungen (5a, 5b) eine elektrische Verbindung zwischen Kontaktstellen (36) der Halbleiterchips und dem Wärmespreizer (6) hergestellt wird.