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公开(公告)号：KR101828293B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020160095038
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C23C14/04 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/033 , H01L29/78 , G01N27/414
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
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22.发明公开진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积的混合图案形成方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及通过该方法制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012387A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
CPC classification number: G03F7/2022 , H01L21/02118 , H01L21/02315 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/203 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L29/413
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用真空沉积工艺形成金属纳米结构图案的方法，所述方法包括：第一步骤，形成暴露所述衬底的部分上表面的掩模图案层; 金属纳米第二步骤来设置真空沉积条件满足用于该结构的生长所需的金属纳米结构的最小临界半径，并在区域中的金属通过真空沉积工艺和衬底纳米的掩膜图案层上曝光 生长结构中，通过去除掩模图案层的第三步骤，第四步骤和所述金属纳米结构，以形成在所述衬底的曝光区域的金属纳米结构，以形成在衬底顶部上的金属纳米结构图案 以及第五步骤，通过使用真空气相沉积方法湿法蚀刻部分基材来形成混合图案。 而作为一个技术基础。 这种做发明是基材使用真空沉积工艺来设置真空沉积条件满足对金属纳米结构的生长所需要的金属纳米结构的最小临界半径，以形成金属纳米结构图案，以在基底顶部，并使用此 湿法蚀刻以在衬底的一部分中提供混合图案。
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公开(公告)号：KR20180012386A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR20160095039
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/042 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/5806 , C23C14/5826
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 在本发明中，作为利用真空沉积工艺形成纳米结构图案，准备基板的第一步骤中，形成掩模图案层的第二工序到所述衬底以暴露所述上，所述衬底的所述部分 第三步骤，设定真空沉积条件，该真空沉积条件满足在暴露区域和掩模图案层上生长纳米结构所需的纳米结构的最小临界半径; 在掩模图案层上生长纳米结构的第四步骤和除去掩模图案层并在衬底的暴露区域上形成纳米结构以在衬底上形成纳米结构图案的第五步骤 其中第二阶掩模图案层是在对第一步骤的衬底表面进行疏水表面处理之后或者在形成第二步骤的掩模图案层之后形成的， 和传感器元件的纳米结构的图案形成通过真空蒸发和通过该方法，其特征在于在与一个子区域的技术基础，疏水表面处理。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。
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公开(公告)号：KR1020170075900A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150185329
申请日：2015-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은수평방향으로굴절률이제어된양면패턴의제조방법및 그에의해제조된양면패턴에관한것으로서, 고분자기판상에미세구조체패턴및 얼라인키(align key)가형성된제1스탬프를위치시켜열간성형하여상기고분자기판에상기제1스탬프의미세구조체패턴과역상인제1패턴을각인시키고, 얼라인키를표시하는제1단계와, 상기제1패턴이각인된고분자기판에서상기제1스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에제1패턴을성형하는제2단계와, 상기제1패턴이형성된고분자기판상에유동성재료를도포하여, 상기제1패턴과역상인하측패턴을상기유동성재료하측면에형성하는제3단계와, 상기도포된유동성재료상에미세구조체패턴및 얼라인키(align key)가형성된제2스탬프를위치시켜가압하고, 경화공정을수행하여상기유동성재료상측면에상기제2스탬프의미세구조체패턴과역상인상측패턴을각인시키는제4단계및 상기타측패턴이각인된유동성재료에서상기제2스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에유동성재료로이루어진양면패턴을성형하는제5단계를포함하여이루어지되, 상기제4단계는, 상기고분자기판에표시된얼라인키와상기제2스탬프의얼라인키를정렬한후 상기유동성재료상에상기제2스탬프를위치시켜상기유동성재료의수평방향으로가해지는상기제2스탬프의가압력을제어하는것을특징으로하는수평방향으로굴절률이제어된수평방향으로굴절률이제어된양면패턴의제조방법및 이에의해제조된양면패턴을그 기술적요지로한다. 이에의해본 발명은간단한공정에의해양면패턴을동시에성형할수 있고, 특히열간성형및 임프린트공정시 얼라인키를이용함으로써, 수평방향으로의굴절률이제어된양면패턴을제공할수 있으며, 이후이종의기판또는박막에용이하게전사할수 있어다양한분야에의활용이가능한이점이있다.
Abstract translation: 制造双面图案化折射率的发明方法被控制在水平方向上，从而为在由图案精细结构的聚合物衬底上产生的图案的两侧，并对准inki（对准键）是热模压通过将形成的第一压模 到聚合物基材和雕刻微结构图案和反相摄取第一压模中的一个模式，所述第一压模中显示对齐inki的第一步骤中分离，聚合物衬底，所述第一图案被雕刻， 形成聚合物衬底上形成第一图案，所述第一液体涂覆到聚合物基材1的第二步骤中，形成在材料中的图案，形成底部表面，其中所述可流动的材料在所述第一图案和所述反相切口侧图案 第三步骤和细到所施加的流体jaeryosang结构图案和对准inki（对准键）通过将所述第二时间戳的时间戳第二到流动性jaeryosang侧压力机的精细结构图案被形成，通过进行固化处理 gwayeok 通过在第四步和另一个分离第二邮票侧面图案压印流体材料冲压印模侧图案jidoe包括形成由流体材料构成的双面的图案施加到聚合物基材上的第五步骤 和所述第四步骤中，第二压模显示在聚合物基底取向的取向inki和对准的第二印模inki置于为流动性jaeryosang第二印模变成流体材料的水平方向 秋和用于产生在水平方向上的折射率的水平方向上的折射率的方法进行控制模式控制双方，其特征在于，用于控制所述压力，并因此通过作为技术基础制造的双面图案。 此完成本发明可以在同一时间通过时对准inki使用热成形和压印工艺形成通过简单的工艺成双面图案，特别是，能提供一个双面图案在控制的水平方向上的折射率，异质衬底或后 它可以很容易地转移到薄膜上，因此可以用于各种领域。
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25.发明授权스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자 有权因此，使用步骤3-D阻挡图案和发光二极管的发光二极管的制造方法
公开(公告)号：KR101419525B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120153425
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 반도체 발광 다이오드 소자에 있어서, 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상층에 제1레지스트층을 형성하는 제1단계와, 상기 제1레지스트층을 패터닝하여 제1블락킹(blocking) 마스크를 형성하는 제2단계와, 상기 제1블락킹 마스크 상층 및 상기 기판 상층에 제1블락킹 패턴층을 증착하는 제3단계와, 상기 제1블락킹 마스크를 제거하여 기판 상층에 "┰" 형태의 3차원 제1블락킹 패턴을 형성하는 제4단계와, 상기 제1블락킹 패턴 형성 후 제2레지스트층을 형성하는 제5단계와, 상기 제2레지스트층을 패터닝하여 제2블락킹 마스크를 형성하는 제6단계와, 상기 제2블락킹 마스크 상층 및 상기 기판 상층에 제2블락킹 패턴층을 증착하는 제7단계와, 상기 제2블락킹 마스크를 제거하여, 기판 상층에 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역에 � �텝형으로 형성되며, 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역을 완전히 덮는 상부 영역을 가지는 "┰" 형태의 3차원 제2블락킹 패턴을 형성하는 제8단계와, 상기 제2블락킹 패턴 형성 후, 반도체층을 증착하는 제9단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 다이오드 소자를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기판 상에 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 형성하여 반도체층 형성시 발생하는 결함을 줄여서 발광 다이오드 소자의 효율을 개선시키는 이점이 있다.
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Patent Agency Ranking26.发明公开
公开(公告)号：KR1020140083535A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120153420
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: A technological subject matter of the present invention is to provide a method of fabricating a semiconductor light emitting diode device using a 3-D blocking pattern and a semiconductor light emitting diode device fabricated by the same. The method of fabricating the semiconductor light emitting diode device includes a first step of forming a resist layer on a top of a substrate; a second step of forming a 3-D blocking mask by patterning the resist layer; a third step of depositing a blocking pattern layer on the 3-D blocking mask; a fourth step of forming a 3-D blocking pattern in a ″T″ shape on a top of the substrate by removing the 3-D blocking mask; and a fifth step of depositing a semiconductor layer after the 3-D blocking pattern is formed. Thus, the present invention has an advantage of improving efficiency of the light emitting diode device by reducing defects occurring when forming the semiconductor layer by forming the 3-D blocking pattern on the top of the substrate.
Abstract translation: 本发明的技术主题是提供一种制造使用3-D阻挡图案的半导体发光二极管器件和由其制造的半导体发光二极管器件的方法。 制造半导体发光二极管器件的方法包括在衬底的顶部上形成抗蚀剂层的第一步骤; 通过图案化抗蚀剂层形成3-D阻挡掩模的第二步骤; 在3-D阻挡掩模上沉积阻挡图案层的第三步骤; 通过去除3-D阻挡掩模在衬底的顶部上形成“T”形的3-D阻挡图案的第四步骤; 以及在形成3-D阻挡图案之后沉积半导体层的第五步骤。 因此，本发明具有通过在衬底的顶部形成3-D阻挡图案来减少形成半导体层时发生的缺陷而提高发光二极管器件效率的优点。
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公开(公告)号：KR101220421B1
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：KR1020100056267
申请日：2010-06-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 패터닝된 그래핀을 원하는 위치에 전사할 수 있고, 그래파이트화 촉매의 식각에 따른 오염 문제가 없는 그래핀 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성 방법의 일 구성은 마스터 기판 상에 패턴이 형성되어 있는 임프린트 스탬프를 준비하는 단계; 상기 임프린트 스탬프 상에 그래파이트화 촉매를 포함하는 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막이 형성된 임프린트 스탬프 상에 그래핀을 형성하는 단계; 및 상기 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120054152A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020100115396
申请日：2010-11-19
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/0032 , G03F7/2039 , G03F7/2059 , G03F7/36
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing for a nano-pattern stamp for nano-imprint lithography is provided to reduce the destruction possibility of the stamp and to obtain the various shapes and sizes of the stamp by varying the shape and the line width of patterns. CONSTITUTION: Metal-organic precursor compositions are coated on a substrate for a stamp(S1). Either electronic beam or X-ray is locally irradiated to the compositions to form a metal oxide thin film pattern through a developing agent washing process(S2). The compositions include metallic elements and organic ligand bonded to the metallic elements. The organic ligand is decomposed by either the electronic beam or the X-ray. The metal oxide thin film pattern is the form of linear, circular, ellipse, square, pentagon, hexagon, polygon, or lamellar. At least one of the shape, the line width, and the height of the pattern is changed by heating or microwave, x-ray, gamma-ray, or ultraviolet ray irradiating(S3).
Abstract translation: 目的：提供用于纳米压印光刻的纳米图案印模的制造方法，以减少印模的破坏可能性，并通过改变图案的形状和线宽来获得印模的各种形状和尺寸。 构成：将金属 - 有机前体组合物涂覆在用于印模的基材上（S1）。 电子束或X射线通过显影剂洗涤方法局部照射到组合物上以形成金属氧化物薄膜图案（S2）。 组合物包括与金属元素结合的金属元素和有机配体。 有机配体被电子束或X射线分解。 金属氧化物薄膜图案是线形，圆形，椭圆形，方形，五边形，六边形，多边形或层状的形式。 通过加热或微波，x射线，γ射线或紫外线照射来改变图案的形状，线宽和高度中的至少一个（S3）。
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公开(公告)号：KR1020110136341A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：KR1020100056268
申请日：2010-06-15
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: B29C33/38 , B29C33/424 , B29C2033/426 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A method for making stamps with changed pattern and size by using another stamp is provided to manufacture new size and patterns of a stamp by varying a line width of a pattern without complex lithography. CONSTITUTION: A method for making stamps with changed pattern and size by using another stamp is as follows. An inorganic material resin(20) including metal-organic precursor is coated in a substrate(10) for a stamp. A first stamp(30) having patterns(31) is prepared. The inorganic material resin is pressurized with the first stamp. The irradiation of ultraviolet rays at same time with heating is performed at the same time of a pressurized inorganic material resin heating time and an ultraviolet irradiating time. A hardened metal oxide thin film pattern(21) is formed. The first stamp is removed from a metal oxide thin film pattern.
Abstract translation: 目的：提供通过使用另一印章制作具有改变的图案和尺寸的印章的方法，以通过改变图案的线宽而无需复杂的光刻来制造印模的新尺寸和图案。 构成：通过使用另一个邮票制作具有改变的图案和尺寸的邮票的方法如下。 将包含金属 - 有机前体的无机材料树脂（20）涂覆在用于印模的基板（10）中。 准备具有图案（31）的第一印章（30）。 无机材料树脂用第一印模加压。 在加压无机材料树脂加热时间和紫外线照射时间的同时进行加热的同时照射紫外线。 形成硬化的金属氧化物薄膜图案（21）。 从金属氧化物薄膜图案中去除第一印模。
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公开(公告)号：KR102199166B1
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：KR1020180161483
申请日：2018-12-14
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/05 , H01L31/0328 , H01L31/0216
Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 에피성장용기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층에메사에칭을진행하여상기반도체층을복수개의단위반도체층셀로분리하는제2단계와, 각단위반도체층셀의상부에제1전극, 메사영역에제2전극을형성하고, 상기반도체층의측면을절연하기위한절연층을형성하는제3단계와, 상기제1전극및 제2전극, 상기절연층이형성된단위반도체층셀 전면(total surface)에유연기판을형성하는제4단계와, 상기유연기판에상기제1전극및 제2전극에대응하는영역에상하로관통하는전극연결부를형성하는제5단계와, 상기전극연결부에전도성재료를충진시키는제6단계와, 상기에피성장용기판을상기반도체층으로부터박리시키고, 공정용임시기판을상기유연기판에부착시키는제7단계와, 상기단위반도체층셀의캡 에칭(cap etching) 및 ARC(anti-reflection coating) 공정을수행한후 각단위반도체층셀을분리하고, 상기공정용임시기판을분리하는제8단계를포함하는것을특징으로하는후면전극태양전지의제조방법및 이에의해제조된후면전극태양전지그리고이를이용한후면전극태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해태양전지의후면에제1전극및 제2전극이동시에위치하는후면전극태양전지를제공하며, 와이어본딩공정등이전혀필요치않아공정을단순화시키고, 전극간 연결부위가안정적으로이루어지도록하여생산성및 내구성을향상시키는이점이있다.
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