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公开(公告)号：KR1020150036045A
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020157000729
申请日：2013-04-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3222 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/32522 , H01J37/32715 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 일실시형태의플라즈마처리장치는, 처리용기, 안테나, 마이크로파발생기및 스테이지를구비하고있다. 처리용기는처리공간을구획하고있다. 안테나는, 처리공간의상측에설치되어있고, 미리정해진축선을중심으로하는원반형상의도파로를갖고있다. 마이크로파발생기는안테나에접속되어있다. 스테이지는, 처리용기내에설치되어있고, 상기미리정해진축선과교차하도록처리공간을통해안테나와대면하고있다. 안테나는, 상기도파로를하측으로부터구획하는금속판을포함하고있다. 이금속판에는, 상기미리정해진축선을중심으로하는제1 원및 그미리정해진축선을중심으로하고제1 원보다큰 직경인제2 원을따라서복수의개구가형성되어있다. 안테나는, 복수의개구를통과하여처리공간내에연장되어나온유전체제의복수의돌출부를포함하고있다.
Abstract translation: 等离子体处理装置的实施例包括处理容器，天线，微波发生器和平台。 处理容器限定处理空间。 天线设置在处理空间的上侧，并且具有以预定轴为中心的盘状波导。 微波发生器连接到天线。 载物台设置在处理容器内，并通过处理空间面向天线以与预定轴相交。 天线包括用于从下侧分离波导的金属板。 金属板具有沿着以预定轴为中心的第一圆形成的多个开口以及在预定轴周围具有大于第一圆的直径的第二圆。 天线包括延伸穿过多个开口并延伸到处理空间中的多个电介质突起。
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公开(公告)号：KR101378693B1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020137006702
申请日：2011-08-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/66 , G01N21/892
CPC classification number: G01N21/55 , H01J37/32192 , H01J37/32972 , H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L29/6659 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: [과제] 평판 슬롯 안테나의 전자파 방사 특성의 균일성에 영향을 미치지 않고서 파장 영역이 넓은 비코히어런트의 모니터광을 이용하여, 처리 용기 내의 피처리 기판의 표면에 대한 광학적인 모니터링을 고정밀도로 행한다.
[해결수단] 이 마이크로파 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 광학 모니터 장치(100)는, 서셉터(12) 상에 배치되는 반도체 웨이퍼(W)의 엣지보다도 반경 방향 내측에 있고, 또한 동축관(66)보다도 반경 방향 외측의 위치이며, 커버 플레이트(72) 위에 배치되는 모니터 헤드(102)와, 이 모니터 헤드(102)로부터 수직 아래쪽으로 커버 플레이트(72), 유전체판(56), 슬롯판(54) 및 유전체창(52)을 종단하여 형성되는 모니터링용의 광 도파로(104)와, 광 파이버(106)를 통해 모니터 헤드(102)와 광학적으로 결합되는 모니터 본체(108)를 갖고 있다.-
公开(公告)号：KR1020120056842A
公开(公告)日：2012-06-04
申请号：KR1020127006016
申请日：2010-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 본 발명은, 중력에 의한 가스 확산 분리 기술을 통하여 플라즈마를 발생하는 것을 이용하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다. 이러한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서는, 중력값(즉, 가스상 성분의 분자량과 기준 분자량간의 비)이 서로 다른 불활성 가스와 프로세스 가스를 포함하는 가스를 추가하고 사용함으로써, 2구역 혹은 다구역 플라즈마가 형성될 수 있고, 이 2구역 혹은 다구역 플라즈마에서는, 중력에 의한 확산이 서로 다르기 때문에, 한 종류의 가스가 플라즈마 발생 영역 부근에 많이 구속될 수 있으며, 다른 종류의 가스가 상기 한 종류의 가스로부터 크게 분리될 수 있고 상기 한 종류의 가스보다 웨이퍼 프로세스 영역에 더 근접하게 구속되어 있다.
Abstract translation: 本发明可以提供使用通过重力引起的气体扩散分离技术的等离子体生成来处理衬底的装置和方法。 通过添加或使用气体，包括不同重量的惰性气体和工艺气体（即气态成分的分子量与参考分子量之间的比例），可以形成两区或多区等离子体，其中一种 气体可以在等离子体产生区域附近受到高度约束，并且由于差分重力感应扩散，另一种气体可以与前述气体大大分离，并且比上述气体更为接近晶片处理区域。
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公开(公告)号：KR100995219B1
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020087019887
申请日：2007-02-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠
CPC classification number: H01L51/0017 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 발광층을 포함하는 유기층이 형성되어 이루어지는 발광 소자를, 피처리 기판 상에 형성하는 기판 처리 장치로서, 상기 피처리 기판 상에 형성된 상기 제 1 전극 상에 상기 유기층을 형성하는 유기층 형성 장치와, 상기 유기층 상에 상기 제 2 전극을 형성하는 전극 형성 장치와, 상기 유기층을 에칭하는 에칭 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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公开(公告)号：KR100960424B1
公开(公告)日：2010-05-28
申请号：KR1020077022525
申请日：2006-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/24 , H05H1/30 , C23C16/511 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32192
Abstract: 본 발명은 피처리체가 수용되는 챔버와, 상기 챔버 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과, 상기 챔버 내에서 상기 처리 가스의 플라즈마를 형성하는 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생원과, 마이크로파 발생원에서 발생되는 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 유도하는 도파 수단과, 상기 도파 수단에 의해서 유도되는 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 도체로 이루어지는 평면 안테나와, 상기 챔버의 천장벽을 구성하며, 상기 평면 안테나의 마이크로파 방사 구멍을 통과한 마이크로파를 투과하는, 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판과, 상기 평면 안테나의 상기 마이크로파 투과판에 대하여 반대쪽에 마련되며, 상기 평면 안테나에 도달하는 마이크로파의 파장을 짧게 하는 기능을 갖는, 유전체로 이루어지는 지파판을 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치이다. 상기 평면 안테나와 상기 마이크로파 투과판은 그 사이에 실질적으로 공기가 없게 밀착되어 있고, 상기 지파판과 상기 마이크로파 투과판은 동일한 재질로 형성되며, 상기 지파판, 상기 평면 안테나, 상기 마이크로파 투과판, 및, 상기 챔버 내에서 형성되는 상기 처리 가스의 플라즈마에 의해서 형성되는 등가 회로가 공진 조건을 만족한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100878910B1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：KR1020067005339
申请日：2004-09-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 사무까와 세이지
IPC: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/452 , C23C16/5096 , C23C16/511 , H01J37/32357 , H01L21/3145
Abstract: 성막 장치(10)는 처리 가스로 가압되고, 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생실(14)과, 기판을 수납하고, 기판에 대하여 막을 형성하기 위한 성막실(20)과, 복수의 구멍을 갖고, 플라즈마 발생실(14)과 성막실(기판 처리실)(20)을 분리하는 분리판(16)을 포함한다. 분리판(16)의 구멍의 직경은 플라즈마 발생실(14)의 압력이 성막실(20)의 압력보다도 2.0배 이상 높게 되는 치수이다. 성막 장치(10)는 플라즈마 발생실(14)과 성막실(20)의 사이에 소정의 바이어스 전압을 인가하는 수단을 더 포함한다.
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公开(公告)号：KR100876692B1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020067015082
申请日：2004-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4411 , H01J37/32522 , H01L21/67069
Abstract: In a substrate processing apparatus for processing a substrate for manufacturing a semiconductor device, a mist passage ( 5 ) is formed to pass through a part of a processing vessel ( 2 ) as an object to be cooled. There are disposed a mist generator ( 64 ) that generates a mist, and a gas supply source ( 62 ) that supplies a carrier gas for carrying the generated mist. A temperature of the part to be cooled is detected by a temperature sensor ( 49 ). When the detected temperature exceeds a predetermined temperature, a water mist, for example, is allowed to flow into the mist passage so as to cool the processing vessel by a heat of evaporation of the mist. Thus, the temperature of the processing vessel can be promptly lowered, and thus a plasma process can be performed under an atmosphere of a stable temperature.
Abstract translation: 在用于处理用于制造半导体器件的基板的基板处理设备中，雾通道（5）形成为穿过作为待冷却对象的处理容器（2）的一部分。 配置有产生雾的雾发生器（64）以及供应用于运送产生的雾的载气的气体供应源（62）。 待冷却部件的温度由温度传感器（49）检测。 当检测到的温度超过预定温度时，允许例如水雾流入雾通道，从而通过雾的蒸发热来冷却处理容器。 由此，能够迅速降低处理容器的温度，能够在稳定的温度的气氛下进行等离子体处理。
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公开(公告)号：KR100863842B1
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：KR1020077004160
申请日：2005-07-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211
Abstract: 본 발명은 전정 쪽에 개구부를 갖고, 또한 내부가 진공 가능하게 된 처리 용기와, 피처리체를 탑재하기 위해 상기 처리 용기 내에 마련된 탑재대와, 상기 개구부에 기밀하게 장착된 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어지는 탑 플레이트와, 상기 탑 플레이트 상에 마련된 상기 처리 용기 내를 향하여 플라즈마 발생용의 마이크로파를 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 평면 안테나 부재와, 상기 평면 안테나 부재 상에 마련된 상기 마이크로파의 파장을 단축하기 위한 지파재와, 상기 탑 플레이트의 하면에 마련된 당해 하면을 복수의 영역으로 구획하고, 또한 당해 복수의 영역 사이의 마이크로파의 간섭을 억제하는 마이크로파 간섭 억제부를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치이다.
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公开(公告)号：KR1020080045253A
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：KR1020087007720
申请日：2006-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4481
Abstract: A feedstock supply unit for evaporating or sublimating feedstock and supplying the resulting vapor to a treatment vessel in vapor deposition equipment, which is equipped with a feedstock vessel for holding the feedstock, a gas introduction port for supplying a carrier gas to the inside of the feedstock vessel, and a gas discharge port for discharging the evaporated or sublimated feedstock together with the carrier gas in order to supply them to the treatment vessel, characterized in that the feedstock vessel is provided with a gas flow controller for controlling the flow of the carrier gas in the inside thereof.
Abstract translation: 一种原料供应单元，用于蒸发或升华原料并将所得蒸气供应到气相沉积设备中的处理容器中，所述蒸气沉积设备装备有用于保持原料的原料容器，用于将原料气体供应到原料内部的气体引入口 容器和气体排出口，用于与载气一起排出蒸发或升华的原料，以便将其供应到处理容器，其特征在于，原料容器设置有气体流量控制器，用于控制载气的流动 在其内部。
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公开(公告)号：KR100809124B1
公开(公告)日：2008-02-29
申请号：KR1020057015478
申请日：2004-03-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 노자와도시히사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6833 , Y10T279/23
Abstract: 기판 유지 기구는, 표면과, 상기 표면 상에 상기 표면의 소정 영역을 둘러싸도록 연속적으로 형성되고, 상기 표면보다 높이가 높은 상면을 갖고 외주면에서 화성된 돌기부를 구비하여, 피처리 기판을 유지하는 탑재대와, 상기 표면 상, 상기 돌기부로 둘러싸인 영역에 마련되어, 정전 작용으로 기판을 흡착하는 정전 흡착판과, 측면을 갖고, 상기 정전 흡착판 상에 마련되고 또한 일부가 상기 상면에 대면하여, 상기 정전 흡착판을 보호하는 제 1 보호 부재와, 적어도 상기 정전 흡착판과 상기 제 1 보호 부재 사이에 마련되어, 상기 정전 흡착판과 상기 제 1 보호 부재를 접착하는 접착제층과, 적어도 상기 접착제층이 보이지 않도록 상기 외주면과 상기 측면을 덮는 제 2 보호 부재를 구비한다.
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