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公开(公告)号：KR101785869B1
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020160144636
申请日：2016-11-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향에있어서의플라즈마밀도분포의균일성을개선하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. RF 안테나(54)는코일직경이다른복수의단권코일(54(1), 54(2), 54(3))을갖고있다. 각코일(54(1), 54(2), 54(3))의고주파급전포인트는매우작은잘림부를사이에두고마련되어있다.
Abstract translation: 本发明旨在提高电感耦合等离子体处理装置中方位方向上的等离子体密度分布的均匀性。 本发明的感应耦合等离子体蚀刻装置在圆环状的RF天线54附近的电介质窗52的下方产生电感耦合的等离子体，并将该圆环形状的等离子体分散到宽的处理空间 并且等离子体的密度在基座12附近（即，在半导体晶片W上）被平均。 RF天线54具有线圈直径不同的多个单相线圈54（1），54（2）和54（3）。 线圈54（1），54（2）和54（3）的高频馈电点设有插入其间的非常小的切口部分。
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公开(公告)号：KR101757921B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105158
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 본말명은유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용해서플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산되도록하여, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼W 상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향으로균일화하고, 또 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자기장에대해보정링(70)에의해전자기장적인보정을거는동시에, 챔버(10)내의압력에따라안테나-코일간격제어부(72)에의해보정링(70)의높이위치를가변하도록하고있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101737635B1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：KR1020100105143
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46
Abstract: 본발명에따르면, 유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향더 나아가서는직경방향의플라즈마밀도분포의균일성또는제어성을향상시킬수 있다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치에있어서, 챔버(10)의천장의유전체벽(52)상에마련되는 RF 안테나(54)는안테나실(56)내에서유전체창(52)으로부터이격되어그 위쪽에배치되고, 고주파급전부(58)로부터의 RF 급전라인(60, 68)에접속되는 1차코일(62)과, 이 1차코일(62)과전자기유도에의해결합가능한위치이고또한이 1차코일(62)보다도유전체창(52)의하면(처리공간과대향하는면)의가까이에배치되는 2차코일(64)을갖고있다.
Abstract translation: 根据本发明，可以在电感耦合等离子体处理装置中提高方位角方向上和进一步在径向上的等离子体密度分布的均匀性或可控性。 在本发明的电感耦合等离子体蚀刻设备中，设置在室10中的室10的电介质壁52上的RF天线54与天线室56中的电介质窗52间隔开， 并且，从高频电力馈送器58连接到RF馈送线路60和68的初级线圈62和经由电磁耦合器62连接到初级线圈62的初级线圈62。 并且，配置在电介质窗52侧（与二次线圈62相对的面向处理空间的一侧）的二次线圈64。
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公开(公告)号：KR1020160130200A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：KR1020160144636
申请日：2016-11-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향에있어서의플라즈마밀도분포의균일성을개선하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. RF 안테나(54)는코일직경이다른복수의단권코일(54(1), 54(2), 54(3))을갖고있다. 각코일(54(1), 54(2), 54(3))의고주파급전포인트는매우작은잘림부를사이에두고마련되어있다.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括处理室，其一部分由电介质窗形成; 设置在处理室中的基板支撑单元，用于安装目标基板; 处理气体供应单元，用于向处理室供应处理气体以对目标基板执行等离子体处理; 设置在电介质窗外部的RF天线，用于通过处理室中的感应耦合从处理气体产生等离子体; 以及用于向RF天线提供RF功率的RF电源单元。 RF天线包括具有线圈绕行方向的切口部的单绕线圈或多绕线圈导体， 并且来自RF电源单元的一对RF电力线分别经由切口部分彼此相对地连接到线圈导体的一对线圈端部。
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公开(公告)号：KR1020110046354A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105166
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01J37/32174 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to increase the uniformity of a plasma process by controlling the plasma density distribution. CONSTITUTION: A plasma is created as a doughnut shape under the dielectric window(52). The doughnut shape plasma is dispersed in a wide processing space. The density of the plasma is equalized in the susceptor(12) area. A correction ring(70) performs electromagnetic field correction about the RF magnetic field created from the RF antenna. A conduction duty ratio is varied by a switching device(110) by the process condition.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过控制等离子体密度分布来提高等离子体工艺的均匀性。 构成：在电介质窗口（52）下形成等离子体作为环形。 环形等离子体分散在宽的处理空间中。 在基座（12）区域中等离子体的密度相等。 校正环（70）对从RF天线产生的RF磁场进行电磁场校正。 通过开关装置（110）通过处理条件来改变导通占空比。
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公开(公告)号：KR1020090048339A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：KR1020080110065
申请日：2008-11-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 사용 시간이 경과해도 샤워 플레이트의 수명을 연장시키기 위해 이상 방전의 발생을 방지할 수 있는 샤워 플레이트를 제공한다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(11)내의 처리공간(S)에 처리 가스를 공급하는 샤워 헤드(30)를 구비하고, 해당 샤워헤드(30)는 원판형상의 샤워 플레이트(31)를 갖고, 해당 샤워 플레이트(31)는 샤워헤드(30)내에 형성되고 처리 가스가 도입되는 공간(34) 및 처리공간 S의 사이에 개재하고 공간(34) 및 처리공간(S)을 연통시키는 처리 가스 공급 경로(36)를 갖고, 해당 처리 가스 공급 경로(36)는 공간(34)측에 형성된 복수의 가스 구멍(40)과, 처리공간 S측에 형성된 복수의 가스 홈(41)을 갖고, 복수의 가스 구멍(40) 및 복수의 가스 홈(41)은 서로 연통하며, 모든 가스 홈(41)의 유로 단면적의 합계값은 모든 가스 구멍(40)의 유로 단면적의 합계값보다 크다.
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公开(公告)号：KR1020040093043A
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：KR1020040028391
申请日：2004-04-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/6831
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus, a focus ring and a susceptor are provided to improve remarkably cooling efficiency of the focus ring without the increase of costs by providing a dielectric part and a conductive part for the focus ring. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a susceptor. The susceptor includes an electrostatic chuck(25) and a focus ring(30) connected with the electrostatic chuck through a contact portion. The focus ring is composed of a dielectric part(30a) with the contact portion and a conductive part(30b) on the dielectric part.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，聚焦环和基座，以通过为聚焦环提供电介质部分和导电部分而不增加成本，从而显着提高聚焦环的冷却效率。 构成：等离子体处理装置包括基座。 感受器包括静电吸盘（25）和通过接触部分与静电吸盘连接的聚焦环（30）。 聚焦环由介电部分（30a）与介电部分上的接触部分和导电部分（30b）组成。
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