公开(公告)号：KR101070138B1

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：KR1020107005994

申请日：2008-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  세가와스미에 ,  이케다교코 ,  오시타다츠로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/4486 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: 기판에대하여액체재료를기화시킨기체재료를공급하여성막처리를실행하는데있어서, 높은효율로액체재료를기화하여, 파티클의발생을억제하는것. 기판에대하여성막처리를실행하기위한액체재료중에, 양및 음중 한쪽으로대전된입경이 1000nm 이하인기포를발생시켜, 이액체재료를무화해서액체재료의미스트를형성하고, 또한그 액체재료의미스트를가열하여기화시킨다. 액체재료중에는, 미리매우적은기포가높은균일성을가지고분산되기때문에, 이액체재료를무화하면, 지극히미세하고균일한액체재료의미스트를얻을수 있기때문에, 열교환하기쉬운상태가된다. 이액체재료의미스트를기화하면, 기화효율이높아져, 파티클의발생을억제할수 있다.

公开(公告)号：KR100998837B1

公开(公告)日：2010-12-06

申请号：KR1020087017109

申请日：2006-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  마츠자키가즈요시 ,  다나카다카시 ,  이와시타미츠아키 ,  무나카타미즈에

IPC: B05C11/08 ,  B05C15/00

CPC classification number: B05D1/005 ,  B05C11/06 ,  B05C11/08 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0486 ,  B05D2203/30 ,  B05D2203/35 ,  G03F7/162 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6715

Abstract: 본 발명은 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부와, 기판 보지부에 수평으로 보지된 기판의 중심부에 약액을 공급하는 약액 노즐과, 원심력에 의해 기판의 전체 표면에 약액을 확장하여 도포하기 위해, 기판 보지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판 보지부에 수평으로 보지된 기판의 표면에, 분위기 가스의 다운 플로우를 형성하는 기류 형성 유닛과, 기판 주위의 분위기를 배기하는 배기 유닛과, 분위기 가스보다도 동적 점성 계수가 큰 층류 형성용 가스를 기판 표면에 공급하는 가스 노즐을 구비하고, 상기 분위기 가스 또는 상기 층류 형성용 가스는 기판 중심부에 공급되게 되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 장치이다.

公开(公告)号：KR1020100045929A

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：KR1020090100898

申请日：2009-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키스미에 ,  사와다이쿠오 ,  세키구치겐지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B5/007

Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning apparatus is provided to reduce the size of mist sprayed on a substrate surface by atomization of the washing solution using a spray nozzle mixing the gas for spraying. CONSTITUTION: A substrate retention unit preserves substrate. A bubbling means(3) the gas of the bubbling for among the washing solution(82) provided to substrate the supply(811). The bubbling means to one side charges with electricity among amount or the negative principle in nature. In the bubbling means, the bubble diameter occurs the bubble less than 100μm over 10nm.

Abstract translation: 目的：提供一种基板清洁装置，用于通过混合喷射气体的喷嘴雾化来减少喷射在基板表面上的雾的尺寸。 构成：衬底保留单元保留衬底。 鼓泡装置（3）提供给基板（811）的洗涤液（82）中的鼓泡气体。 起泡意味着一方在自然界的数量或消极原理之间充电。 在起泡装置中，气泡直径发生在10nm以上小于100μm的气泡。

公开(公告)号：KR1020090037495A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：KR1020097004272

申请日：2007-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤체크피터엘.지. ,  첸리 ,  고시이시아키라 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3233 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

Abstract: A method of pre-treating a mask layer prior to etching an underlying thin film is described. A thin film, such as a dielectric film, is etched using plasma that is enhanced with a ballistic electron beam. In order to reduce the loss of pattern definition, such as line edge roughness effects, the mask layer is treated with an oxygen-containing plasma or halogen-containing plasma or a noble gas plasma or a combination of two or more thereof prior to proceeding with the etching process.

Abstract translation: 描述了在蚀刻下面的薄膜之前对掩模层进行预处理的方法。 使用通过弹道电子束增强的等离子体蚀刻诸如电介质膜的薄膜。 为了减少图案定义的损失，例如线边缘粗糙度效应，在进行处理之前，用含氧等离子体或含卤素的等离子体或惰性气体等离子体或其两种或更多种的组合处理掩模层 蚀刻工艺。

公开(公告)号：KR1020090031291A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：KR1020080092124

申请日：2008-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/52

Abstract: A film forming apparatus is provided to make uniform the in-plane temperature distribution of substrate by covering the supporting member with a metal thin layer which has same emissivity as a metal thin layer to be formed. The gas supply part supplies the process gas to the substrate from the upward side of the main chuck(21). The bottom side of the main chuck is supported by the supporting member(22). The metal layer(5) is covered with the supporting member. The emissivity of the outer circumference of the metal layer is identical with the emissivity of the metallic thin layer. The heating means heats the substrate in advance processing to a determined temperature. The temperature detection part(23) detects the temperature of substrate. The controller controls the calorific value of the upper heating means based on the detected temperature value.

Abstract translation: 提供一种成膜装置，通过用与要形成的金属薄层相同的发射率的金属薄层覆盖支撑构件来使衬底的面内温度分布均匀。 气体供给部从主卡盘（21）的上方向基板供给处理气体。 主卡盘的底侧由支撑构件（22）支撑。 金属层（5）被支撑构件覆盖。 金属层的外周的发射率与金属薄层的发射率相同。 加热装置将衬底预先加工到确定的温度。 温度检测部（23）检测基板的温度。 控制器基于检测到的温度值控制上部加热装置的发热量。

公开(公告)号：KR1020080077016A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020087017109

申请日：2006-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  마츠자키가즈요시 ,  다나카다카시 ,  이와시타미츠아키 ,  무나카타미즈에

IPC: B05C11/08 ,  B05C15/00

CPC classification number: B05D1/005 ,  B05C11/06 ,  B05C11/08 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0486 ,  B05D2203/30 ,  B05D2203/35 ,  G03F7/162 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6715

Abstract: A coating apparatus is provided with a substrate holding section for horizontally holding a substrate; a chemical nozzle for supplying the center portion of the substrate horizontally held by the substrate holding section with a chemical; a rotating mechanism for rotating the substrate holding section for applying the chemical by spreading it on the surface of the substrate by centrifugal force; an airflow forming means for forming a down flow of an ambient gas on the surface of the substrate horizontally held by the substrate holding section; an exhaust means for exhausting the ambient atmosphere of the substrate; a gas nozzle for supplying the surface of the substrate with a laminar flow forming gas having a dynamic viscosity higher than that of the ambient gas. The coating apparatus is characterized in that the center portion of the substrate is supplied with the ambient gas or the laminar flow forming gas.

Abstract translation: 涂布装置设置有用于水平地保持基板的基板保持部; 用于将由所述基板保持部水平保持的所述基板的中心部分供给化学品的化学喷嘴; 旋转机构，用于通过离心力将基板保持部分旋转以将其涂覆在基板的表面上; 气流形成装置，用于在由衬底保持部分水平保持的衬底的表面上形成环境气体的下流; 用于排出衬底的周围环境的排气装置; 用于向所述基板的表面供给动态粘度高于环境气体的层流形成气体的气体喷嘴。 涂布装置的特征在于，向基板的中心部分供应环境气体或层流形成气体。

公开(公告)号：KR101580707B1

公开(公告)日：2015-12-28

申请号：KR1020110109178

申请日：2011-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  스즈키아유타 ,  사와다이쿠오 ,  신도나오키 ,  요네다마사타케 ,  오오야가즈히로

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은처리액에의해처리한후, 기판을린스처리할때에, 처리액이기판에잔류하는것을방지할수 있어, 처리시간을단축할수 있는액 처리방법및 액처리장치를제공하는것을목적으로한다. 기판을처리액에의해처리하는본 발명의액 처리장치(10)는, 기판을유지하는기판유지부(30, 40)와, 기판유지부(30, 40)에유지되어있는기판에처리액을공급하는처리액공급부(70)와, 기판에린스액을공급하는린스액공급부(80)와, 기판만이흡수하는파장영역의광을발광하고, 발광한광을기판에조사하는발광소자(112)를갖는다.

公开(公告)号：KR101346897B1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：KR1020097004272

申请日：2007-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤체크피터엘.지. ,  첸리 ,  고시이시아키라 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3233 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

Abstract: 본 발명은 기부의 박막을 에칭하기 전에 마스크층을 사전 처리하는 방법을 개시한다. 탄도 전자 빔에 의해 지원되는 플라즈마를 이용하여 유전체 막과 같은 박막을 에칭하고 있다. 라인 에지 러프니스(LER; Line Edge Roughness) 효과와 같은 패턴 선명도의 손실을 줄이기 위하여, 에칭 공정을 실시하기에 앞서, 산소 함유 플라즈마, 또는 할로겐 함유 플라즈마, 또는 희가스 플라즈마, 또는 이들의 2 이상의 조합에 의해 마스크층을 처리한다.

公开(公告)号：KR101124924B1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020097014829

申请日：2007-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  벤체크피타 ,  오시타다츠로 ,  마츠자키가즈요시 ,  강송윤

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541

Abstract: A plasma processing apparatus includes a first electrode and a second electrode so arranged in the upper portion of a processing chamber as to face a mounting table, a gas supply unit for supplying a processing gas between the first electrode and the second electrode, a RF power supply unit for applying a RF power between the first electrode and the second electrode for converting the process gas supplied between the electrodes into a plasma, and a gas exhaust unit for evacuating the inside of the processing chamber to a vacuum level from the lower portion of the processing chamber. Since the electron temperature in the plasma is low near a substrate on the mounting table, damage to the substrate caused by the plasma can be suppressed. In addition, since a metal can be used as a material for the processing chamber, the processing chamber can have good temperature controllability.

公开(公告)号：KR101020374B1

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：KR1020080092124

申请日：2008-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 원료 가스를 이용하여 기판에 열 CVD에 의해 금속 박막을 성막함에 있어서, 기판 사이에서 기판의 면내 온도 분포를 가지런히 하고, 이에 따라 기판 사이에서의 성막 처리의 격차를 억제하는 것을 과제로 한다. 이를 해결하기 위해서, 탑재대의 하부 측을 지지하고 있는 지지 부재로서, 처리 용기 내에 장착되기 전부터 그 외주면이 상기 금속 박막의 방사율과 동등한 방사율을 갖는 금속층으로 덮여져 있는 지지 부재를 이용한다. 이 때문에, 금속 박막의 성막 처리를 반복함으로써 탑재대의 지지 부재의 외주면에 금속 박막이 퇴적하더라도, 지지 부재의 외주면은, 원래 상기 금속 박막의 방사율과 동등한 방사율을 갖는 금속으로 덮여져 있기 때문에, 지지 부재의 방사율이 안정되어, 탑재대의 온도의 경시 변화가 억제된다.

Abstract translation: 本发明在于，根据作为成膜的金属薄膜的通过热CVD在衬底上通过使用原料气体，在基板的面内温度分布的基板之间对准的任务，从而沿着抑制在基板间的成膜过程中的变化 的。 为了解决这个问题，因为它支持在安装台下侧的支撑构件和所述外周面之前被安装在处理容器内的支撑部件中的用途是覆盖有具有相同的发射率和金属薄膜的发射率的金属层。 由于这个原因，就通过重复的金属薄膜的沉积工艺，即使在金属薄膜沉积在安装保持构件的外周表面，所述支承构件的外周表面覆盖有具有相同发射率作为金属薄膜的原始发射率，所述支撑构件的金属 安装台的放射率稳定，抑制安装台的温度随时间的变化。