公开(公告)号：KR1020070092764A

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：KR1020077019006

申请日：2001-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  아리마스스무 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: After a thin film is deposited on a treatment surface of a wafer and the wafer is transferred out of a treatment chamber, a contact projection of a clamp is brought into contact with a susceptor to heat the clamp. Next, a wafer is disposed on the susceptor by elevating the clamp when the wafer, on which a thin film is not deposited, is transferred in. Thereafter, the clamp is brought into contact with the wafer and the wafer is stabilized to a predetermined temperature. Thereafter, a thin film is deposited on a treatment surface of the wafer.

Abstract translation: 在将薄膜沉积在晶片的处理表面上并将晶片从处理室中移出之后，使夹具的接触突起与基座接触以加热夹具。 接下来，当在其上没有沉积薄膜的晶片被转移时，通过提升夹具来将晶片设置在基座上。此后，使夹具与晶片接触，并且将晶片稳定在预定温度 。 此后，在晶片的处理表面上沉积薄膜。

公开(公告)号：KR100737255B1

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：KR1020010014487

申请日：2001-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10814

Abstract: 반도체 장치는 적어도 하나의 층간 절연막, 저장 전극, 커패시터 절연막, 플레이트 전극 및 보호막을 포함한다. 상기 층간 절연막은 반도체 기판 상에 배치된다. 상기 저장 전극은 금속 재료로 이루어지며 상기 층간 절연막 상에 배치된다. 상기 커패시터 절연막은 절연 금속 산화물로 이루어지며 상기 저장 전극 상에 배치된다. 상기 플레이트 전극은 텅스텐 질화물로 이루어지며 상기 커패시터 절연막 상에 배치된다. 상기 보호막은 상기 플레이트 전극으로부터 질소의 외부 확산을 억제하기 위하여 상기 플레이트 전극 상에 배치된다. 또한, 상기 반도체 장치의 제조 방법이 기재되어 있다.

Abstract translation: 该半导体器件包括至少一个层间绝缘膜，存储电极，电容器绝缘膜，平板电极和保护膜。 层间绝缘膜设置在半导体衬底上。 存储电极由金属材料制成并设置在层间绝缘膜上。 电容器绝缘膜由绝缘性的金属氧化物构成，配置在存储电极上。 平板电极由氮化钨制成并设置在电容器绝缘膜上。 保护膜设置在平板电极上以抑制氮从平板电极的外部扩散。 此外，描述半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：KR1020070061898A

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：KR1020077009377

申请日：2005-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  루싱크거트제이

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/06

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76873

Abstract: A method for depositing a Ru metal layer on a substrate is presented. The method includes providing a substrate in a process chamber, introducing a process gas in the process chamber in which the process gas comprises a carrier gas, a ruthenium-carbonyl precursor, and hydrogen. The method further includes depositing a Ru metal layer on the substrate by a thermal chemical vapor deposition process. In one embodiment of the invention, the ruthenium-carbonyl precursor can contain Ru3(CO)12. and the Ru metal layer can be deposited at a substrate temperature resulting in the Ru metal layer having predominantly Ru(002) crystallographic orientation.

Abstract translation: 介绍了一种在衬底上沉积Ru金属层的方法。 该方法包括在处理室中提供衬底，在工艺气体中引入工艺气体，其中工艺气体包括载气，羰基钌前体和氢。 该方法还包括通过热化学气相沉积工艺在基底上沉积Ru金属层。 在本发明的一个实施方案中，羰基钌前驱体可含有Ru 3（CO）12。 并且Ru金属层可以在衬底温度下沉积，导致Ru金属层主要具有Ru（002）晶体取向。

公开(公告)号：KR100710929B1

公开(公告)日：2007-04-23

申请号：KR1020057000404

申请日：2003-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  야마모토노리히코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412

Abstract: 본 발명의 성막장치(100)는 소스 가스를 생성하기 위한 원료를 넣는 원료 용기(10)와, 반도체 기판(101)에 성막 처리를 실행하기 위한 처리 용기(120)와, 원료 용기(10)로부터 처리 용기(120)에 상기 소스 가스를 공급하기 위한 원료 공급라인(30)과, 터보분자 펌프(14) 및 드라이 펌프(16)로 이루어지는 진공 펌프 시스템을 가진, 처리 용기(120)를 배기하기 위한 배기라인(32)과, 원료 공급라인(30)으로부터 분기하여 처리 용기(120) 및 터보분자 펌프(14)를 바이패스하여 배기라인(32)에 합류하는 프리 플로우 라인(33)을 구비하고, 원료 공급라인(30)은 6.4mm보다 큰 내경의 배관을 포함하고, 프리 플로우 라인(33)에 터보분자 펌프(15)가 마련된 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100601821B1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：KR1020067001207

申请日：2001-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  카와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

Abstract: 본 발명은 ALD법을 이용한 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치에 관한 것으로, ALD법에 의한 복수 종의 원료 가스를 한 종류씩 복수 회에 걸쳐 공급하는 성막에 앞서, 복수 종의 원료 가스를 동시에 공급하는 전처리를 실시하여, 성막에서의 인큐베이션 타임의 저감 및 작업 처리량의 향상을 도모한다.

公开(公告)号：KR1020020025961A

公开(公告)日：2002-04-04

申请号：KR1020027001083

申请日：2000-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  정기시

IPC: H01L27/108

Abstract: 가스 공급원(10A)은 전처리를 행하기 때문에, 금속막이 성장하기 위한 핵의 형성을 억제하는 WF
6 가스를 처리 대상인 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 소정 시간 공급한다. 전처리를 행한 후, 가스 공급원(10A) 및 가스 공급원(10B)은 전처리가 행해진 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 각각 WF
6 가스, NH
3 가스를 소정 시간 공급한다. 이로써 표면에 요철 형상을 갖는 금속 화합물인 질화텅스텐막을 반도체 웨이퍼(W) 위에 형성한다. 컨트롤러(51)는 미리 제공된 프로그램 등에 따라 가스 공급원(10A, 10B) 등의 동작을 제어한다.

公开(公告)号：KR101933776B1

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：KR1020170005387

申请日：2017-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  오카베신야 ,  이타타니다케시

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: [과제]
진공 반송 모듈과 진공 처리 모듈의 사이를 구획하는 게이트 밸브를 개폐했을 때에, 웨이퍼에의 파티클의 부착을 억제하는 기술을 제공하는 것.
[해결 수단]
진공 반송실(2)과 처리 용기(30) 사이의 웨이퍼(W)의 반송을 실시함에 있어서, 양자를 구획하고 있는 게이트 밸브(40)를 열기 전에 처리 용기(30) 내에서는, 탑재대(5)의 상방으로부터 Ar 가스를 공급하고, 해당 불활성 가스의 유량이 진공 반송실(2) 내에 공급되는 N
2 가스의 유량보다 작고, 또 처리 용기(30) 내의 압력이 진공 반송실(2) 내의 압력보다 작은 상태로 하고 있다. 이 때문에 게이트 밸브(40)를 열었을 때에 N
2 가스가, 진공 반송실(2)로부터 처리 용기(30)로 유입하는 방향의 흐름, 및 탑재대(5)의 표면의 중심부로부터 주연부로 향하고, 탑재대(5)의 주연으로부터 하방으로 향하는 기류를 유지한 채로, 게이트 밸브(40)를 열고, 웨이퍼(W)를 반송할 수 있어, 부착물(100)의 탑재대(5)의 상방으로의 비산을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR101631783B1

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020147023965

申请日：2013-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  다다구니히로 ,  야마사키히데아키 ,  오메아라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 기판상에금속실리사이드층을형성하기위한방법이제공된다. 일실시예에따라, 이방법은프로세스챔버에기판을제공하는단계, 금속전구체(metal precursor)를포함하는증착가스로부터생성된플라즈마에제 1 기판온도로상기기판을노출시키는단계를포함하며, 여기서상기플라즈마노출은자기-제한적프로세스(self-limiting process)에서기판상에컨포멀한금속-함유층(conformal metal-containing layer)을형성한다. 이방법은또한플라즈마없이환원성가스에제 2 기판온도로금속-함유층을노출시키는단계를포함하고, 여기서상기노출시키는단계들은금속실리사이드층을형성하기위해적어도한번교번적으로수행되고, 상기증착가스는환원성가스를포함하지않는다. 이방법은또한높은종횡비들을갖는딥 트랜치들내의컨포멀한금속실리사이드형성을제공한다.

公开(公告)号：KR1020150127537A

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：KR1020150061353

申请日：2015-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가케가와다카시 ,  츠다에이노스케 ,  오오타도모히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/5096 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522

Abstract: 본발명은, 처리용기내에플라즈마를발생시켜기판을처리하는기판처리장치에있어서, 당해처리용기내에서의파티클발생을억제한다. 플라즈마를이용하여웨이퍼를처리하는기판처리장치로서, 웨이퍼를기밀하게수용하는처리용기와, 처리용기내에서기판을탑재하는탑재대를구비한하부전극과, 탑재대상에탑재된기판에대향하여배치되고, 복수의공급구멍이형성된샤워플레이트를구비한상부전극(30)과, 상부전극(30)의외주부를둘러싸는절연부재(40)와, 샤워플레이트를거쳐서상기처리용기내에처리가스를공급하는처리가스공급원과, 절연부재(40)를, 처리용기내의압력에서의처리가스의반응중간체중 적어도하나의포화증기온도이상으로가열하는가열기구가열기구(41)를가진다.

Abstract translation: 本发明涉及能够通过在处理容器中产生等离子体来处理基板的基板处理装置，抑制处理容器中的颗粒的产生。 使用等离子体处理晶片的基板处理装置包括：密封地存储晶片的处理容器; 下部电极，其包括用于将所述基板安装在所述处理容器中的安装杆; 面向所述基板的上电极，安装在所述安装杆上，并且包括具有多个供给孔的喷淋板; 围绕所述上电极（30）的外部的绝缘构件（40）; 处理气体供给源，其通过所述淋浴板向处理容器供给处理气体; 以及加热工具（41），其在比处理容器中的压力处理气体的反应中间体中的温度高于至少一个温度的温度下加热绝缘构件（40）。

公开(公告)号：KR101203254B1

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020117003537

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 처리 용기 내에 루테늄의 펜타디에닐 화합물 가스, 예를 들어 2,4-디메틸펜타디에닐에틸시클로펜타디에닐루테늄, 및 산소 가스를 도입하고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.
또한, 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 루테늄 화합물 가스와 이 화합물을 분해 가능한 분해 가스를, 이들의 적어도 한쪽의 유량이 주기적으로 변조하도록 도입하고, 교호로 상이한 가스 조성의 복수의 스텝을 형성하며, 이들 스텝 사이에서 상기 처리 용기 내의 퍼지를 실시하지 않고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.