公开(公告)号：KR1020110055402A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020100111473

申请日：2010-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  무라카미타카히로 ,  미무라타카노리 ,  하나오카히데토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, cleaning method thereof, and recording medium with a program are provided to increase the rate of eliminating attached objects of a substrate mounting stand. CONSTITUTION: A processing chamber(102) comprises a cylindrical processing container. A wafer is mounted on a substrate mounting stand in the processing chamber. A lower electrode(111) has a disc shape. The lower electrode is placed on the mounting stand. An electrostatic chuck(112) is installed on the lower electrode. An electric heat gas supply line(118) is installed in the lower electrode and the electrostatic chuck.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置及其清洁方法和具有程序的记录介质，以增加消除基板安装台的附着物体的速度。 构成：处理室（102）包括圆柱形处理容器。 将晶片安装在处理室中的基板安装台上。 下电极（111）具有盘形状。 下电极放置在安装支架上。 静电吸盘（112）安装在下电极上。 电热气体供给管线（118）安装在下部电极和静电卡盘中。

公开(公告)号：KR1020070020329A

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020077001691

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느 하나를 제어하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020210057669A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：KR1020200145231

申请日：2020-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다신타로 ,  하나오카히데토시 ,  다마루나오키

IPC: H01J37/32

Abstract: 본개시내용의일 양태에서는, 플라즈마처리장치에구비된부재간 틈새에반응생성물이부착되는것을억제하기위해, 처리용기내에구비된제1 부재와, 상기제1 부재의외측에구비된제2 부재를포함하며, 상기제1 부재와상기제2 부재중 적어도어느한쪽에상기제1 부재와상기제2 부재사이의틈새로가스를흘려보내는유로가형성되어있는플라즈마처리장치가제공된다.

公开(公告)号：KR101828082B1

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：KR1020110021018

申请日：2011-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하나오카히데토시

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/32115

Abstract: 표면의폴리실리콘층의막두께를유지하여기판의표면을평탄화할수 있는표면평탄화방법을제공한다. 기판처리장치(10)의챔버(11) 내에서폴리실리콘층(40)을표면에갖는웨이퍼(W)의표면을평탄화할때, 웨이퍼(W)를챔버(11) 내의서셉터(12)에얹고, 챔버(11) 내의압력을 100 mTorr 이상 800 mTorr 이하중 어느것으로설정하고, 산소가스및 아르곤가스의혼합가스에서의아르곤가스의유량비를 50% 이상 95% 이하중 어느것으로설정하여챔버(11) 내부에도입하고, 주파수가 13 MHz 이상 100 MHz 이하중 어느것으로설정되어있는플라즈마생성용고주파전력을서셉터(12)에인가하여도입된혼합가스를여기하여플라즈마를생성하고, 생성된플라즈마중의산소의양이온(43)이나아르곤의양이온(44)에의해웨이퍼(W)의표면을스퍼터링한다.

Abstract translation: 一种表面平坦化方法，其能够通过保持表面上的多晶硅层的膜厚度来平坦化衬底的表面。 当在基板处理装置10的腔室11中的表面上具有多晶硅层40的晶片W的表面被平坦化时，晶片W被转移到腔室11中的基座12 通过设置压力把腔室11，其超过100毫托耳800毫托或更低，以及氧气和氩气的氩气eseoui混合气体的流量比设定为任意的范围从50％至95％，在11 并且，将频率设定为13MHz以上且100MHz以下的等离子体产生用的高频电力施加到基座12以激发引入的混合气体以产生等离子体， 晶片W的表面由氩的阳离子43或氩的阳离子44溅射。

公开(公告)号：KR101720670B1

公开(公告)日：2017-03-28

申请号：KR1020100111473

申请日：2010-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  무라카미타카히로 ,  미무라타카노리 ,  하나오카히데토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862

Abstract: 하부전극의셀프바이어스전압을상승시키지않고, 기판재치대의부착물의제거율을상승시킨다. 처리실(102) 내를소정의처리조건에기초하여클리닝할때 O가스와불활성가스로이루어진처리가스를하부전극(111)의셀프바이어스전압에따라그 절대값이작을수록 O가스의유량비가감소하고 Ar 가스의유량비가증대되도록설정한유량비로처리실내에공급하고, 하부전극(111)과상부전극(120)의전극간에고주파전력을인가하여플라즈마를발생시킨다.

Abstract translation: 在不提高下电极的自偏置电压的情况下，增加基板安装台上沉积物的去除速率。 处理室102时的在沿着所述O气体和包括工艺气体至该底电极111的自偏压的惰性气体的规定的处理条件的基础上进行清洁时，绝对值较小的减少O气体比率和Ar的流量 等离子体是通过在下电极111和上电极120的电极之间以设定的流量比率施加高频功率而产生的，以增加气体的流量。

公开(公告)号：KR101270285B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020127021941

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본발명에따르면, 상부전극(34) 및하부전극(16) 사이에처리가스인플라즈마를생성하여웨이퍼(W)에플라즈마에칭을실시하는플라즈마에칭장치로서, 상부전극(34)에, 그표면에대한적절한스퍼터효과를얻을수 있는정도로그 표면의자기바이어스전압 V의절대값이커지고, 또한상부전극(34)에있어서의플라즈마시스의두께가, 소망하는축소화플라즈마가형성되는정도로두껍게되도록하는직류전압을인가하는가변직류전원(50)을더 구비한다.

公开(公告)号：KR101248691B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020117031578

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101248709B1

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：KR1020117031587

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009513A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031575

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR100841118B1

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：KR1020070030130

申请日：2007-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  하야카와요시노부 ,  하나오카히데토시 ,  고다마노리아키 ,  고시미즈치시오 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/3065

Abstract: 용량 결합형의 고주파 방전에 의해서 생성하는 플라즈마의 밀도의 공간적인 분포를 균일화 내지 임의로 제어하여 프로세스의 면내 균일성을 향상시킨다. 하부 전극의 서셉터(16)에는 피처리 기판(W)이 탑재되어, 고주파 전원(30)으로부터 플라즈마 생성용의 고주파가 인가된다. 서셉터(16)의 상방에 이것과 평행하게 대향하여 배치되는 상부 전극(34)은, 챔버(10)에 링 형상의 절연체(35)를 거쳐서 전기적으로 플로팅된 상태로 부착되어 있다. 또한, 상부 전극(34)의 상면과 챔버(10)의 천장의 사이에는 소정 갭 사이즈의 간격이 마련되고, 그 간격의 일부 또는 전부에 진공 공간(50)이 형성되어 있다. 이 진공 공간(510)의 내벽의 전부 또는 일부는 시트 형상의 절연체(52)로 덮혀져 있다.

Abstract translation: 通过均匀化或任意控制由电容耦合高频放电产生的等离子体的密度的空间分布来改进工艺的面内均匀性。 基板W安装在下部电极的基座16上，并且从高频电源30施加用于产生等离子体的高频电力。 配置在基座16的上方且与基座16平行的上部电极34经由环状的绝缘体35以电浮动的状态安装于腔室10。 在上部电极34的上表面与腔室10的顶部之间设有规定的间隙尺寸的间隙，在该间隙的一部分或全部形成真空空间50。 真空空间510的全部或部分内壁被片状绝缘体52覆盖。