公开(公告)号：KR101049801B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공한다.
결정화, 친수성, 소수성

Abstract translation: 本发明涉及制造多晶硅层的方法和为此使用的原子层沉积设备。

公开(公告)号：KR1020110066502A

公开(公告)日：2011-06-17

申请号：KR1020090123185

申请日：2009-12-11

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  홍종원 ,  장석락 ,  이기용

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/345

Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided to uniformly and stably deposit metallic catalysts with extremely low density in amorphous silicon by positioning a magnetic assembly only in an area where a free-sputtering process is performed. CONSTITUTION: A sputtering apparatus comprises a process chamber(110), a metal target(120), a target transfer unit(130), a substrate holder(140), and a magnetic assembly. The process chamber comprises first and second areas. The metal target is located inside the process chamber. The target transfer unit moves the metal target from the first area to the second area. The substrate holder is located at the second area to face with the metal target. The magnetic assembly is located between the target transfer unit in the first area and the process chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种溅射装置，通过仅在进行自由溅射处理的区域中定位磁性组件，在非晶硅中均匀且稳定地沉积极低密度的金属催化剂。 构成：溅射装置包括处理室（110），金属靶（120），靶转印单元（130），基底保持器（140）和磁性组件。 处理室包括第一和第二区域。 金属靶位于处理室内。 目标传送单元将金属目标从第一区域移动到第二区域。 衬底保持器位于第二区域以与金属靶相对。 磁性组件位于第一区域中的目标转移单元和处理室之间。

公开(公告)号：KR101041143B1

公开(公告)日：2011-06-13

申请号：KR1020090033235

申请日：2009-04-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  백원봉 ,  정재완

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 본 발명은 다수의 기판에 동시에 열처리 또는 박막을 형성하기 위한 기판 가공 장치에 관한 것으로, 가공 공정이 진행되는 가공 챔버 내부가 균일하게 가열되도록 함으로써, 상기 가공 챔버에 반입되며, 상기 보트에 적층되는 다수의 기판에 균일한 박막을 형성하거나, 균일하게 열처리할 수 있는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
본 발명은 가공 챔버; 다수의 기판이 적층된 보트; 상기 가공 챔버의 외측에 위치하는 외부 가열 수단; 및 상기 보트를 상기 가공 챔버 내부로 반입 및 반출시키며, 하부 가열 수단을 포함하는 이송부를 포함하며, 상기 보트는 기판이 적층된 방향으로 중심부에 중앙 가열 수단이 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
기판 가공 장치, 중앙 가열 수단

公开(公告)号：KR1020110019965A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：KR1020090077605

申请日：2009-08-21

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  정재완 ,  소병수 ,  백원봉 ,  마이단축이반

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B01D8/00 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  Y02C20/30

Abstract: PURPOSE: A metal intercepting device and an atomic layer deposition device with the same are provided to discharge a discharging gas discharged from a processing chamber to the outside without a scrubber, thereby saving costs for installing the scrubber. CONSTITUTION: An intercepting chamber(310) provides an intercepting space. An intercepting plate(320) is located on one side of the intercepting chamber. The intercepting plate includes a body attached or detached to or from the intercepting chamber and an intercepting finger(324) inserted into the intercepting chamber. A coolant source(330) supplies a coolant. An attaching/detaching unit attaches/detaches the intercepting chamber to/from the intercepting plate.

Abstract translation: 目的：提供一种金属截留装置及其原子层沉积装置，以便将没有洗涤器的处理室排出的排放气体排出到外部，从而节省安装洗涤器的成本。 构成：拦截室（310）提供拦截空间。 拦截板（320）位于拦截室的一侧。 拦截板包括与拦截室连接或分离的主体以及插入拦截室的拦截手指（324）。 冷却剂源（330）供应冷却剂。 安装/拆卸单元将拦截室与拦截板相连/分离。

公开(公告)号：KR101002661B1

公开(公告)日：2010-12-20

申请号：KR1020080079003

申请日：2008-08-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: F27D11/12 ,  F27B9/20 ,  F27B9/36 ,  F27D9/00 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6776

Abstract: 본 발명은 인라인 열처리 설비를 제공한다. 상기 인라인 열처리 설비는 기판의 이송 경로를 형성하며, 상기 이송 경로를 따라 이송되는 기판을 기설정되는 결정화 온도값으로 가열하는 다수개의 가열 장치들과, 상기 가열 장치들 사이의 이송 경로에 위치되는 기판을 기설정되는 순간 열처리 온도값으로 가열하는 순간 고온 열처리부를 구비한다. 또한, 본 발명은 인라인 열처리 설비 및 이를 사용한 기판 열처리 방법도 제공함으로써, 기판을 700도씨 이상의 고온 및 다양한 온도설계를 통한 고효율 열처리를 진행할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100100186A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polycrystalline silicon and an atomic deposition apparatus thereof are provided to control the formation position of a seed and the size of grain by forming the crystallization guiding metal at a predetermined position and uniform concentration. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A mask(130) equipped with the opening and closing is located on the amorphous silicon layer. A UV lamp(140) is positioned on the mask. The crystallization induction metal is formed on the amorphous silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法及其原子沉积装置，以通过在预定位置形成均匀浓度来控制晶种的形成位置和晶粒尺寸。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 配置有开闭的掩模（130）位于非晶硅层上。 UV灯（140）位于掩模上。 在非晶硅层上形成结晶感应金属。

公开(公告)号：KR1020100099917A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018490

申请日：2009-03-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  정윤모 ,  강유진 ,  장석락 ,  서진욱 ,  안지수 ,  양태훈 ,  김영대 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  윤상현

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/042 ,  C30B25/165 ,  C30B35/00

Abstract: PURPOSE: An atomic layer deposition device and method for cooling a mask assembly are provided to effectively heat a substrate through a heating element of a substrate holder while preventing the thermal deformation of a mask assembly. CONSTITUTION: An atomic layer deposition device comprises a chamber(100), a vacuum pump(130), a gas supply unit(140), a substrate holder(110), a mask assembly, and a cooling source(150). The vacuum pump controls the internal pressure of the chamber. The gas supply unit supplies reaction gas into the chamber. The substrate holder is embedded with a heating element and located between the vacuum pump and the gas supply unit. The mask assembly with an internal cooling passage is located between the substrate holder and the gas supply unit. The cooling source supplies coolant to the cooling passage of the mask assembly.

Abstract translation: 目的：提供用于冷却掩模组件的原子层沉积装置和方法，以有效地加热衬底通过衬底保持器的加热元件，同时防止掩模组件的热变形。 构成：原子层沉积装置包括腔室（100），真空泵（130），气体供应单元（140），衬底保持器（110），掩模组件和冷却源（150）。 真空泵控制室的内部压力。 气体供应单元将反应气体供应到室中。 衬底保持器嵌有加热元件，并位于真空泵和气体供应单元之间。 具有内部冷却通道的面罩组件位于衬底保持器和气体供应单元之间。 冷却源将冷却剂供应到面罩组件的冷却通道。