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公开(公告)号：KR1020090049436A
公开(公告)日：2009-05-18
申请号：KR1020070115693
申请日：2007-11-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/11 , H01L2224/12
Abstract: 본 발명은 반도체 패키징에 이용되는 마이크로 솔더볼 제조방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 제조가 매우 용이할 뿐만 아니라 균일한 사이즈의 솔더볼을 제조할 수 있는 솔더볼 제조방법에 관한 것이다.
이에, 본 발명의 솔더볼 제조방법은, 솔더 및 상기 솔더와의 젖음성이 낮은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 마스크층을 형성하는 마스크층 형성단계; 상기 마스크층을 패터닝하여 홈을 형성하는 단계; 상기 마스크층의 홈에 솔더를 도금하는 솔더 도금단계; 상기 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 단계; 상기 솔더를 가열함으로써 솔더볼을 형성하는 단계; 및 상기 솔더볼을 기판에서 분리시키는 솔더볼 분리단계를 포함하여 이루어진다.
반도체패키징, 솔더볼, 젖음성, Sn-AgAbstract translation: 本发明涉及一种用于半导体封装的微型焊料球的制造方法，更具体地说，涉及一种能够制造均匀尺寸的焊球并且非常易于制造的焊料球制造方法。
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公开(公告)号：KR101232456B1
公开(公告)日：2013-02-12
申请号：KR1020110081845
申请日：2011-08-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/683 , H01L21/60 , H01L23/48
Abstract: PURPOSE: A jig for filling a via hole, a via hole filling device, and a via hole filling method are provided to improve a process speed by mounting a first substrate and a second substrate on the upper and lower sides of a receiving space. CONSTITUTION: A body(110) includes a first receiving groove and a second receiving groove. A peripheral side of a first substrate(10) is received in the inner sidewall of the first receiving groove. The first substrate includes a via hole. A peripheral side of a second substrate(20) and the first receiving groove are received in the inner sidewall of a second receiving groove. A paste supply unit(120) supplies metal paste to the receiving space.
Abstract translation: 目的：提供用于填充通孔的夹具，通孔填充装置和通孔填充方法，以通过将第一基板和第二基板安装在接纳空间的上侧和下侧来提高加工速度。 构成：主体（110）包括第一接收槽和第二接收槽。 第一基板（10）的周边被容纳在第一接收槽的内侧壁中。 第一基板包括通孔。 第二基板（20）的外周侧和第一接收槽被容纳在第二接收槽的内侧壁中。 糊剂供给单元（120）将金属糊料供给到容纳空间。
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公开(公告)号：KR101073485B1
公开(公告)日：2011-10-17
申请号：KR1020090022927
申请日：2009-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L2224/11472 , H01L2224/11906 , H01L2224/131 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은인쇄회로기판또는실리콘웨이퍼등과같은기판에형성되는무연솔더범프의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로기판에형성된구리포스트의전면을캡핑할수 있도록솔더를형성함으로써기계적신뢰성을향상시킬수 있는무연솔더범프의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 目的：提高机械可靠性的自由铅焊料凸块的制造方法是在基板上形成形成铜柱的前侧的焊料为封盖。 关于剪切应力的阻力增加。 构成：在基板（1）上形成铜线（2）。 光致抗蚀剂层（3）形成在铜线上。 根据光致抗蚀剂层的图案，铜柱（5）形成在铜线上。 形成光致抗蚀剂层（4）以具有与铜柱的底部的直径相同直径的图案。 焊料（10）被形成为使得铜柱的上部的正面被盖住。
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公开(公告)号：KR100987106B1
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：KR1020080072338
申请日：2008-07-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 멀티레이어 기판을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 재료의 제한 없이 멀티레이어 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 중간층 형성을 통한 선택적 도금을 이용한 멀티레이어 기판 제조방법은, 기재의 표면에 금속층을 형성하는 1단계; 상기 금속층의 표면에 제1보호피막 패턴을 형성하는 2단계; 상기 금속층을 상기 제1보호피막 패턴에 의해 선택적으로 양극산화시킨 뒤에 상기 제1보호피막을 제거하는 3단계; 상기 3단계에서 제1보호피막을 제거한 표면에 중간층을 형성하는 4단계; 상기 중간층의 표면에 제2보호피막 패턴을 형성하는 5단계; 상기 중간층을 상기 제2보호피막 패턴에 의해 선택적으로 에칭하는 6단계; 및 상기 제2보호피막을 제거하고 에칭 뒤에 남은 중간층에 도금을 실시하는 7단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 도금이 쉬운 중간층을 형성하여 선택적 도금방법으로 도금층을 형성함으로써, 간단한 공정으로 멀티레이어 기판을 제조할 수 있으며, 도금이 어려운 재료를 이용하여 멀티레이어 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.
멀티레이어 기판, 양극산화, 알루미늄, 중간층-
公开(公告)号：KR100939273B1
公开(公告)日：2010-01-29
申请号：KR1020080029778
申请日：2008-03-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 반도체 패키징 또는 디스플레이 분야 등에 이용되는 멀티레이어에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 간단한 공정 내지 적은 비용으로 멀티레이어를 제조할 수 있는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 멀티레이어 제조방법은, 기판의 표면에 제1금속층을 형성하는 제1단계; 상기 제1금속층을 부분적으로 양극산화시킴으로써 제1부분산화영역 및 제1금속배선을 가지는 제1회로를 형성하는 제2단계; 상기 제1금속층 및 제1부분산화영역을 전면적으로 양극산화시킴으로써 층간절연층을 형성하는 제3단계; 상기 층간절연층을 부분적으로 에칭함으로써 하나 이상의 관통홀을 형성하는 제4단계; 상기 층간절연층의 표면 및 관통홀 내에 제2금속층을 형성하는 제5단계; 및 상기 제2금속층의 표면을 부분적으로 양극산화시킴으로서 제2부분산화영역 및 제2금속배선을 가지는 제2회로를 형성하는 제6단계를 포함한다.
양극산화, 멀티레이어, 관통홀, 층간절연층-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090103535A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080029203
申请日：2008-03-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H05K9/0086 , H01J11/44 , H01J2211/446 , H05K9/0096
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an electrode for selective plating, a method for manufacturing an EMI shielding filter using the same, and an EMI shielding filter structure are provided to improve transparency and EMI shielding filtering effect by minimizing contamination, damage, or deterioration in a process. CONSTITUTION: A base substrate(100) with a mesh recess is formed in an upper part. The base substrate has an insulated transparent material. A first conductive layer is formed by depositing a first conductive material in the upper part of the base substrate. A dry etching process is performed while rotating the inclined base substrate. The first conductive layer of the remaining part except the bottom or the side of the recess is removed. An electroplating process is performed to fill a second conductive material in the recess using the first conductive layer remaining in the bottom of the recess as a seed layer.
Abstract translation: 目的：制造用于选择性电镀的电极的方法，使用其的EMI屏蔽滤波器的制造方法和EMI屏蔽滤波器结构，以通过最小化污染，损坏或劣化来提高透明度和EMI屏蔽滤波效果 处理。 构成：在上部形成具有网孔的基底基板（100）。 基底具有绝缘的透明材料。 第一导电层通过在基底衬底的上部中沉积第一导电材料而形成。 在旋转倾斜的基底基板的同时进行干蚀刻处理。 除了凹部的底部或侧面之外的剩余部分的第一导电层被去除。 执行电镀工艺以使用残留在凹槽的底部中的第一导电层作为种子层填充凹部中的第二导电材料。
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公开(公告)号：KR100905306B1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020070133560
申请日：2007-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G02F1/136 , G02F1/1345
Abstract: 본 발명은 칩온글라스기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 칩온글라스기판의 제조공정을 더욱 간단하게 할 수 있는 양극산화를 이용한 칩온그라스기판의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 칩온글라스기판의 제조방법은, 글라스기판의 표면에 알루미늄층을 형성하는 단계; 상기 알루미늄층의 표면에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 알루미늄층을 상기 포토레지스트패턴에 의해 선택적으로 양극산화시키는 단계; 및 상기 포토레지스트패턴을 제거한 후에 상기 알루미늄층의 표면에 패턴을 따라 금속층을 선택적으로 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 글라스기판의 표면에 양극산화공정을 수행함으로써 회로패턴의 형성 후에 별도의 절연층 형성 내지 에칭공정 등이 필요 없고, 더욱이 양극산화에 의해 글라스기판의 표면에 알루미늄층 및 알루미나층이 형성되어 있어 미세피치의 금속층 구현이 매우 용이한 효과가 있다.
칩온글라스기판, COG, 양극산화-
公开(公告)号：KR1020150006213A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020130079698
申请日：2013-07-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76877 , H01L23/13 , H01L23/49827
Abstract: 본 발명은 특별한 형상의 관통홀을 포함한 기판, 이러한 관통홀을 형성하는 방법, 그리고 이러한 관통홀을 전극 물질로 충진시키는 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板，其特征在于，具有特定形状的通孔，以便在通孔中无空隙地迅速填充电极材料，该通孔的制造方法以及该电极的通孔的填充方法 材料。 包括根据本发明的实施方式的通孔的基板包括在基板的一个表面上的孔的尺寸朝向基板的中心变小的形状的通孔，并且孔的尺寸变为 朝向基板的另一个表面较大。
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公开(公告)号：KR101399982B1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：KR1020070068182
申请日：2007-07-06
Applicant: 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G03F7/00 , G11B5/86 , G03F1/50 , H01L21/027
Abstract: 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 개시된 양극 산화 알루미늄 템플릿은 알루미늄 막; 상기 알루미늄 막 위에 형성된 가이드 라인 패턴; 상기 알루미늄 막 위에 상기 가이드 라인 패턴을 따라 형성된 것으로, 복수의 나노홀을 이루는 다공성 산화 알루미늄;을 포함하는 것을 특징으로 하는 한다.
또한, 개시된 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법은 (가) 알루미늄 막을 교대 배치되는 제1영역과 제2영역으로 나누고, 상기 제1영역만을 1차 양극 산화 시키는 단계; (나) 상기 제1영역에 생성된 산화 알루미늄을 제거하는 단계; (다) 상기 알루미늄 막의 상기 제1영역 및 제2영역을 2차 양극 산화 시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020120100108A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110018777
申请日：2011-03-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a CoP alloy thin film and a perpendicular magnetic recording medium are provided to obtain a CoP alloy thin film with high perpendicular anisotropy and rectangularity ratio, which can be applied to a perpendicular magnetic recording medium, by employing an additive in an electroplating process. CONSTITUTION: A manufacturing method of a CoP alloy thin film comprises the steps of: dipping a substrate with a seed layer in plating solution including saccharine(C7H5NO3S) of 20-50mM and implementing electroplating for forming a CoP alloy thin film. The plating solution comprises Co(NH2SO3)2 of 0.1M, (NH4)2C6H6O7 of 0.1M, NH2CH2COOH of 0.1M, and Na2H2PO2·H2O of 0.1M.
Abstract translation: 目的：提供CoP合金薄膜和垂直磁记录介质的制造方法，以获得具有高垂直各向异性和矩形比的CoP合金薄膜，其可以应用于垂直磁记录介质，通过使用添加剂 电镀工艺。 构成：CoP合金薄膜的制造方法包括以下步骤：将含有种子层的基材浸入包括20-50mM的糖精（C7H5NO3S）的镀液中，并实施用于形成CoP合金薄膜的电镀。 电镀液由0.1M的Co（NH2SO3）2，0.1M的（NH4）2C6H6O7，0.1M的NH2CH2COOH和0.1M的Na2H2PO2·H2O组成。
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