구상 성형체의 제조 방법
    21.
    发明公开
    구상 성형체의 제조 방법 有权
    制造球形体的方法

    公开(公告)号:KR1020050102302A

    公开(公告)日:2005-10-26

    申请号:KR1020040027592

    申请日:2004-04-21

    Abstract: 본 발명은 구상 성형체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 또는 금속 분말이 유기 라디칼 모노머 용액 중에 분산된 고농도의 수계 슬러리(slurry)를 제조하고, 상기 수계 슬러리를 오일상에 균일하게 분산시켜 구형의 액적을 제조하여 겔화(gelation)시켜서 강도를 부여하고, 이를 하소 및 소결하는 공정으로 이루어진 구상 성형체의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의하면 구의 직경의 조절이 용이하여 직경이 1 ㎜ 이하인 구상 성형체를 제조할 수 있고, 오일상에 분산 후 겔화에 의하여 고화시키므로 찌그러짐이나 응집이 없는 진구에 가깝고 직경 분포가 좁은 구 형태로 성형할 수 있으며, 상기 겔화에 의하여 강도가 부여된 구를 하소 및 소결을 거쳐 밀도 및 강도가 높은 구상 성형체를 용이하게 대량으로 제조할 수 있다.

    그래핀 저온 전사방법
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101905646B1

    公开(公告)日:2018-10-10

    申请号:KR1020160133143

    申请日:2016-10-13

    CPC classification number: B01J21/00 B01J23/00 H01B1/04 H01B5/14

    Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

    아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
    25.
    发明授权
    아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 有权
    氨基钼前体,使用硫醇率制备方法,以及使用这种形成薄膜的方法,

    公开(公告)号:KR101485522B1

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:KR1020130046352

    申请日:2013-04-25

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
    [화학식 1]

    (상기 식에서, R
    1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
    2 , R
    3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
    4 , R
    5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
    6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
    [화학식 2]

    (상기 식에서, R
    1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
    2 , R
    3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
    4 , R
    5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)

    Abstract translation: 本发明涉及可以形成在钼前体是热稳定的和波动是高的,并且使用的由式(I)表示的钼前体的优点,这种品质硫化钼薄膜或(II) 。

    아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
    26.
    发明授权
    아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 有权
    具有氨基苯甲酸的莫来石前体,其制备方法和使用其形成薄膜的方法

    公开(公告)号:KR101485521B1

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:KR1020130046351

    申请日:2013-04-25

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
    [화학식 1]

    (상기 식에서, R
    1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
    2 , R
    3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
    4 , R
    5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)

    아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
    27.
    发明公开
    아미노싸이올레이트를 이용한 몰리브데넘 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 有权
    具有氨基酸的莫来石前体,其制备方法和使用其形成薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020140127686A

    公开(公告)日:2014-11-04

    申请号:KR1020130046351

    申请日:2013-04-25

    CPC classification number: C07F11/005 C23C16/305

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
    [화학식 1]

    (상기 식에서, R
    1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
    2 , R
    3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
    4 , R
    5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)

    Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钼前体,其中允许包含硫的钼前体改善热稳定性和挥发性,并且在制造薄膜时不需要加入额外的硫,因此用于制造钼的质量 硫化物薄膜。 在化学式1中,R1是C1-C4的直链或支链烷基,R2和R3独立地是C1-C10的直链或支链烷基,R4和R5独立地是C1-C10的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟代烷基和n选自1至3的整数。

    금속 나노입자가 고정화된 탄소나노튜브를 포함하는 바이오센서 및 그 제조방법
    28.
    发明授权
    금속 나노입자가 고정화된 탄소나노튜브를 포함하는 바이오센서 및 그 제조방법 有权
    包含金属固定碳纳米管的生物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:KR100991011B1

    公开(公告)日:2010-10-29

    申请号:KR1020080054358

    申请日:2008-06-10

    Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자가 탄소와 탄소 사이의 공유결합을 파괴하지 않으면서 결합되어 있고, 전기전도도의 변화를 측정하여 목표 바이오 분자를 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서에 관한 것이고, 또한 탄소나노튜브 트랜지스터를 금속 이온이 녹아있는 용액에 넣고 금속을 환원시켜 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자를 점재시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서의 제조방법에 관한 것이며, 또한 상기 바이오 센서를 이용한 목표 바이오 분자의 검출방법에 관한 것이다.
    탄소나노튜브, 탄소나노튜브 트랜지스터, 금속 나노입자, 전기전도도, 바이오 센서, 바이오 분자

    탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의한 탄소나노튜브 반도체 소자
    29.
    发明公开
    탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의한 탄소나노튜브 반도체 소자 失效
    生产碳纳米管半导体器件的方法和碳纳米管半导体器件

    公开(公告)号:KR1020080096126A

    公开(公告)日:2008-10-30

    申请号:KR1020070041154

    申请日:2007-04-27

    Abstract: A carbon nanotube is provided to be used as the channel of the semiconductor device because of having only semiconductive by removing metallic properties from the grown and formed carbon nanotube. The sensitivity of sensor is improved by improving properties of the semiconductor device. A catalyst accelerating growth of the carbon nanotube is introduced to the location in which the carbon nanotube is formed. The carbon nanotube is formed on the substrate treated by the catalysis. A surface modification agent is processed in the carbon nanotube and a metallic property is removed from the carbon nanotube. The surface modification agent comprises the electron affinity molecule. The electron affinity molecule is selected from nitronium, diazonium, pyrillium and irium.

    Abstract translation: 提供碳纳米管用作半导体器件的通道,因为通过从生长和形成的碳纳米管中除去金属性质而仅具有半导体性。 通过改善半导体器件的性能来提高传感器的灵敏度。 碳纳米管的促进生长的催化剂被引入形成碳纳米管的位置。 在通过催化处理的基板上形成碳纳米管。 在碳纳米管中处理表面改性剂,从碳纳米管除去金属性。 表面改性剂包括电子亲和分子。 电子亲和分子选自硝鎓,重氮,吡啶鎓和铱。

    저 HOMO 에너지 준위 유기반도체재료를 이용한 양자점발광소자
    30.
    发明授权
    저 HOMO 에너지 준위 유기반도체재료를 이용한 양자점발광소자 有权
    使用低HOMO有机半导体的量子点发光二极管

    公开(公告)号:KR100764847B1

    公开(公告)日:2007-10-09

    申请号:KR1020060028205

    申请日:2006-03-29

    Abstract: 본 발명은 저 HOMO 준위를 갖는 p-형 유기반도체 화합물을 양자점 활성층에 포함으로서 보다 효과적으로 정공을 주입하여 양자점 발광소자의 효율을 증대시킨 양자점 발광소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 애노드; 캐소드; 상기 애노드와 캐소드 사이에 구비되는 활성층;으로 이루어지며, 상기 활성층은 HOMO의 에너지 준위가 -5.5eV 이하인 p-형 유기반도체 화합물과 양자점으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
    양자점 발광소자, 정공이동보조층, 플루오르화 폴리(페닐렌비닐렌), HOMO

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