단원자 증착법을 이용한 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이의 제조방법
    21.
    发明公开
    단원자 증착법을 이용한 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이의 제조방법 审中-实审
    使用原子层沉积的多个和非对称复合薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160042404A

    公开(公告)日:2016-04-19

    申请号:KR1020160037008

    申请日:2016-03-28

    Abstract: 본발명은단원자증착(atomic layer deposition, ALD)법을이용하여, 도핑영역층과비도핑영역층을구비하여두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적인복합박막및 이를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른복합박막은박막일부에도판트원자층을포함하는도핑영역층을구비함으로써, 박막두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적특성을갖게되고, 이는도핑영역층과비도핑영역층간의밴드구조가달라지게됨으로써박막의층 영역별로전자기적특성이달라지게되고, 기능성이향상되어디스플레이, 메모리, 반도체영역전반에걸쳐서사용될수 있다. 나아가복합박막내 도핑영역층의위치및 이의도판트농도에따라다양한전자기적특성에영향을미치며, 따라서도핑영역층의위치및 농도를조절함으로써박막의전자기적특성을목적에따라손쉽게조절할수 있다. 본발명에따른복합박막은단원자증착법으로제조됨으로써, 간단한공정을통하여박막의광학적및 전자기적특성을제어할수 있으며, 별도의추가공정이나복수의막을따로따로제조할필요가없기때문에생산단가측면에서도유리하다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积方法的非对称复合薄膜及其制造方法,其中不对称复合薄膜在厚度方向上包括掺杂区域层和非掺杂区域层,使用原子 层沉积(ALD)方法。 根据本发明,复合薄膜包括在薄膜的一部分上包括掺杂剂原子层的掺杂区域层,并且在薄膜的厚度方向上的成分上具有复杂且不对称的性质。 掺杂区域层和非掺杂区域层之间的带结构变得不同,因此电性能由薄膜的每个层面积改变。 不对称复合薄膜具有改进的功能,并且可以跨越显示器,存储器和半导体区域使用。 此外,不对称复合薄膜根据掺杂剂的浓度和复合薄膜中的掺杂区域层的位置影响各种电特性。 因此,控制掺杂区域的位置和浓度,因此可以根据目的容易地控制薄膜的电性能。 根据本发明,使用ALD法制造复合薄膜,由此通过简单的工艺控制薄膜的光学和电学性能。 复杂的薄膜对于生产成本是有利的,因为附加工艺或单独制造多个膜的工艺是不必要的。

    높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자 및 그 제조방법
    22.
    发明授权
    높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자 및 그 제조방법 有权
    具有高开/关率的碳纳米管网络晶体管元件及其制造方法

    公开(公告)号:KR101284775B1

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:KR1020110099951

    申请日:2011-09-30

    Abstract: 본 발명은 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터 소자 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로, 상세하게는 절연성 재질의 기판 상부에 탄소나노튜브 네트워크를 형성하는 단계; 탄소나노튜브 네트워크 상부에 전극층을 형성하는 단계; 및 소오스와 드레인 사이의 채널 영역을 제외한 나머지 부분의 탄소나노튜브를 제거하는 단계; 및 전극층이 형성된 탄소나노튜브 네트워크에 포토리소그래피와 에칭 작업을 통해 국소적으로 나노튜브의 밀도를 줄이는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공한다.
    본 발명의 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터는 기존의 탄소나노튜브 트랜지스터의 최대 단점인 점멸비를 보완하여 소자로서의 가치를 갖게 만드는 것이다. 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가지며 이에 따라 디스플레이 및 반도체 산업에 그대로 적용 가능한 효과가 있다.

    탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널이 접합된 미생물 검출센서, 그의 제조방법 및 이를 이용한 미생물 검출방법
    23.
    发明授权
    탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널이 접합된 미생물 검출센서, 그의 제조방법 및 이를 이용한 미생물 검출방법 有权
    使用与嵌入式MYCROFLICIC通道结合的碳纳米管阵列的微生物检测传感器及其检测微生物的方法

    公开(公告)号:KR101093225B1

    公开(公告)日:2011-12-13

    申请号:KR1020090025166

    申请日:2009-03-25

    Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널이 접합된 미생물 검출센서, 그의 제조방법 및 이를 이용한 미생물 검출방법에 관한 것이다.
    본 발명의 미생물 검출센서는 미생물을 특이적으로 결합할 수 있는 인식물질이 고정화된 탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에, 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널을 접합한 구조이며, 상기 채널 내부에 패턴화된 마이크로구조체에 의해 타겟 미생물이 탄소나노튜브 표면으로 배열되도록 유도하여, 검출 시간을 단축하고, 감도를 향상시킬 수 있다. 특히, 본 발명의 미생물 검출센서는 용액 속의 타겟 미생물의 수가 적을 경우, 미생물이 단순 확산에 의해 센서 표면에 도달하는데 걸리는 시간을 획기적으로 단축할 수 있다. 나아가, 본 발명의 검출방법을 통하여, 시료내의 대장균을 20분 이내에 간단하게 측정할 수 있으며, 측정과정에서 복잡한 실험장비, 시설 또는 배양에 필요한 조건 등이 전혀 필요하지 않으므로 수질, 식품, 환경 등의 응용분야에서 간단하게 미생물 검출수단으로 응용될 수 있다.
    미생물, 탄소나노튜브, 나노 트랜지스터, 마이크로플루이딕 채널

    압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및이것을 이용한 타겟물질 검출 방법
    27.
    发明授权
    압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및이것을 이용한 타겟물질 검출 방법 有权
    具有适体的碳纳米管生物传感器作为分子识别元件以及使用其的感测目标材料的方法

    公开(公告)号:KR100748408B1

    公开(公告)日:2007-08-10

    申请号:KR1020050056195

    申请日:2005-06-28

    Abstract: 본 발명은 압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질(단백질) 검출 방법을 제공하고자 한 것이다.
    특히, 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 채널영역을 구성하고 있는 탄소나노튜브 표면에 프로브 물질로서, 단백질에 높은 친화력을 가지는 DNA 핵산가닥인 압타머(Aptamer)를 흡착 고정시킴으로써, 이 압타머에 특정 타겟물질이 노출되었을 때 나타나는 탄소나노튜브의 전기적인 변화로 압타머와 특이적으로 결합하는 타겟(target)물질 즉, 특정분자(단백질, 펩티드, 아미노산, 유/무기화합물 등)의 검출이 가능한 압타머 및 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질 검출 방법을 제공하고자 한 것이다.
    탄소나노튜브 트랜지스터, 압타머, 바이오센서, 단백질, 피렌, 전기전도도 변화

    반도체 나노소자
    28.
    发明公开
    반도체 나노소자 失效
    SEMICONDUCTOR NANO-ELEMENT

    公开(公告)号:KR1020070002111A

    公开(公告)日:2007-01-05

    申请号:KR1020050057421

    申请日:2005-06-30

    Abstract: A semiconductor nano device is provided to improve sensitivity of a gas sensor and to reduce sensor size by coating metal nano particles on a surface of a carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube, thereby configuring a carbon nanotube transistor. A metal nano particle(16) is coated on a surface of the carbon nanotube transistor.

    Abstract translation: 提供半导体纳米器件以提高气体传感器的灵敏度,并通过在碳纳米管晶体管的表面上涂覆金属纳米颗粒来减小传感​​器尺寸。 在SiO 2 / Si衬底(10)上形成取向标记。 使用由SiO 2层绝缘的SiO 2 / Si衬底上的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)层制造液体催化剂的图案。 通过丙酮溶液除去PMMA层。 在900℃的炉中,在CH 4和H 2气氛下10分钟内生长单壁碳纳米管(14)。 通过在碳纳米管上进行光刻和热蒸发形成电极(12),从而构成碳纳米管晶体管。 金属纳米颗粒(16)涂覆在碳纳米管晶体管的表面上。

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