公开(公告)号：DE50313348D1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：DE50313348

申请日：2003-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VOGT MIRKO

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/42 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318

公开(公告)号：DE102005018737A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：DE102005018737

申请日：2005-04-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VOELKEL LARS ,  BAUCH LOTHAR ,  KLINGBEIL PATRICK ,  HERPE JOACHIM ,  VOGT MIRKO

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00 ,  H01L21/31

Abstract: The method involves providing semiconductor wafers with a structured layer/layer stack, and applying an organic anti-reflection layer (41) on the layer/layer stack. A photoresist layer (1) is applied on the anti-reflection layer, and the photoresist layer is exposed in sections by an imaging device and a photomask. The photoresist layer is processed, where a structure of the photomask is formed as an opening in the photoresist layer.

公开(公告)号：DE10312202A1

公开(公告)日：2004-10-07

申请号：DE10312202

申请日：2003-03-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STAVREV MOMTCHIL ,  WEGE STEFAN ,  VOGT MIRKO ,  MOLL HANS-PETER

IPC: H01L21/32 ,  B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/308 ,  H01L21/334 ,  H01L21/461 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244

Abstract: Process for producing an etching mask on a microstructure, in particular a semiconductor structure with trench capacitors, and corresponding uses of the etching mask which allow for extremely thin photoresist layers to be employed.

公开(公告)号：DE10153608A1

公开(公告)日：2003-05-15

申请号：DE10153608

申请日：2001-11-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VOGT MIRKO

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

Abstract: Semiconductor device comprises a substrate (1) with a first conductor strip (3), an insulating layer (4) on the first strip, and a second conductor strip (9) on the insulating layer. A voltage can be applied between the two strips. The insulating layer is deposited in a thickness of 2-10 nm using a PECVD process so that a short circuit is produced between the two strips when a higher voltage than the normal operating voltage is applied and a permanent electrical connection is formed between the conductor strips. An Independent claim is also included for a process for the production of the semiconductor device. Preferred Features: The insulating layer is 2-4 nm thick and is made from oxidized silicon nitride or oxidized amorphous silicon. The higher voltage is 3-10 V.

公开(公告)号：DE10053915A1

公开(公告)日：2002-05-16

申请号：DE10053915

申请日：2000-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHR MATTHIAS UWE ,  TEWS RENE ,  VOGT MIRKO

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/768

Abstract: The production of an integrated circuit comprises preparing a circuit substrate (1); applying metallization layers (5, 10) to the substrate; forming a hard mask (20) on the metallization layers; and structuring the metallization layers using the mask. The mask is applied at a predetermined temperature which effects a phase conversion in the metallization layers. Preferred Features: The first metallization layer (5) is a liner layer and the second metallization layer is an aluminum layer. The predetermined temperature is approximately 400 deg C or more. The hard mask is produced by CVD deposition of a SiO2-based material.

公开(公告)号：DE102017125926A1

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102017125926

申请日：2017-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  FRÖHLICH HEIKO ,  STEGEMANN MAIK ,  VOGT MIRKO

IPC: H01L27/146 ,  G01J3/02

Abstract: Es werden ein optischen System und ein Photosensorpixel bereitgestellt. Das Photosensorpixel umfasst ein Substrat, das ein aktives Gebiet und ein zu dem aktiven Gebiet peripheres Gebiet umfasst, einen optischen Sensor, der bei dem aktiven Gebiet des Substrats angeordnet und dazu ausgebildet ist, Licht zu empfangen und ein auf dem empfangenen Licht basierendes Messsignal auszugeben, und eine Verkapselungsschicht, die über dem aktiven Gebiet und dem ersten peripheren Gebiet des Substrats angeordnet ist. Die Verkapselungsschicht umfasst zumindest eine über dem peripheren Gebiet des Substrats befindliche sub-wellenlängen-basierte gestufte Indexstruktur, und die sub-wellenlängen-basierte gestufte Indexstruktur ist dazu ausgebildet, das Licht von einem Gebiet über dem peripheren Gebiet auf den optischen Sensor umzuleiten.

公开(公告)号：DE102017102183A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：DE102017102183

申请日：2017-02-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  VOGT MIRKO ,  FROEHLICH HEIKO ,  RUDOLPH UWE ,  SCIRE ALESSIA ,  STEGEMANN MAIK

IPC: B81B7/02 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01N21/17 ,  G02B5/20

Abstract: Ein Lichtemitterbauelement enthält eine Heizerstruktur, die ausgebildet ist, um Licht zu emittieren, wenn ein vordefinierter Strom durch die Heizerstruktur fließt. Die Heizerstruktur ist auf einer Heizerträgerstruktur angeordnet. Das Lichtemitterbauelement enthält einen oberen Abschnitt eines Hohlraums, der vertikal zwischen der Heizerträgerstruktur und einer Abdeckungsstruktur angeordnet ist. Das Lichtemitterbauelement enthält einen unteren Abschnitt des Hohlraums, der vertikal zwischen der Heizerträgerstruktur und zumindest einem Abschnitt eines Trägersubstrats angeordnet ist. Die Heizerträgerstruktur enthält eine Mehrzahl von Löchern, die den oberen Abschnitt des Hohlraums und den unteren Abschnitt des Hohlraums verbinden. Ein Druck in dem Hohlraum ist kleiner als 100 mbar.

公开(公告)号：DE102015102225A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102015102225

申请日：2015-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRAUN FELIX ,  HONG BEE KIM ,  SCHMEIDE MATTHIAS ,  SCHNEIDER JENS ,  VOGT MIRKO

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/033

Abstract: Ein Verfahren (S100a) zur Verarbeitung einer Schicht kann aufweisen: Bereitstellen einer strukturierten Kohlenstoffschicht über einer Schicht oder über einem Träger (S110a); und Durchführen einer Ionenimplantation durch die strukturierte Kohlenstoffschicht in die Schicht oder in den Träger (S120a).

公开(公告)号：DE50209381D1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：DE50209381

申请日：2002-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CZECH GUENTHER ,  FUELBER CARSTEN ,  KIRCHHOFF MARKUS ,  STEGEMANN MAIK ,  VOGT MIRKO ,  WEGE STEPHAN

IPC: H01L21/033 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/36 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314

Abstract: A carbon hard mask layer is applied to a substrate to be patterned by means of a plasma-enhanced deposition process in such a manner that it has a hardness comparable to that of diamond in at least one layer thickness section. During the production of this diamond-like layer thickness section, the parameters used in the deposition are set in such a manner that growth regions which are produced in a form other than diamond-like are removed again in situ by means of subsequent etching processes and that diamond-like regions which are formed are retained.

公开(公告)号：DE102004054285A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：DE102004054285

申请日：2004-11-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER FRANK CHRISTIAN ,  HOLLATZ MARK ,  VOGT MIRKO

IPC: H01L21/762

Abstract: Production of structures in a semiconductor substrate (1) comprises preparing a layer structure (12) with the substrate, applying an inert stop layer (11) on a first surface of the layer structure, etching trenches in the substrate from the side of the surface, completely filling the trenches with a dielectric (6), chemical-mechanical polishing a second surface until excess dielectric is removed from the stop layer and dissolving the stop layer from the first surface.