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    Oberflächenmontierbarer optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips
    21.
    发明专利
    Oberflächenmontierbarer optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102009022966A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：DE102009022966

    申请日：2009-05-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HOEPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JUERGEN ,  MALM NORWIN VON ,  RODE PATRICK ,  ILLEK STEFAN

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/58 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90)umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.

    23.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008035900A1

    公开(公告)日：2009-11-05

    申请号：DE102008035900

    申请日：2008-07-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  WEIMAR ANDREAS ,  ENGL KARL ,  BAUR JOHANNES

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/64

    Abstract: A light-emitting diode chip (1) with a semiconductor layer sequence (2) is described, which is contacted electrically by contacts (5) via a current spreading layer (3). The contacts (5) cover around 1%-8% of the surface of the semiconductor layer sequence (2). The contacts (5) consist for example of separate contact points (51), which are arranged at the nodes of a regular grid (52) with a grid constant of 12 mum. The current spreading layer (3) contains for example indium-tin oxide, indium-zinc oxide or zinc oxide and has a thickness in the range from 15 nm to 60 nm.

    26.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005035722A1

    公开(公告)日：2007-02-01

    申请号：DE102005035722

    申请日：2005-07-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STRAUS UWE ,  HAERLE VOLKER ,  SABATHIL MATTHIAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  AVRAMESCU ADRIAN ,  PETER MATTHIAS

    IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

    Abstract: An optoelectronic semiconductor chip comprises the following sequence of regions in a growth direction (c) of the semiconductor chip (20): a p doped barrier layer (1) for an active region (2), the active region (2), which is suitable for generating electromagnetic radiation, the active region being based on a hexagonal compound semiconductor, and an n doped barrier layer (3) for the active region (2). Also disclosed are a component comprising such a semiconductor chip, and to a method for producing such a semiconductor chip.

    MULTICHIPMODUL
    27.
    发明专利
    MULTICHIPMODUL 未知

    公开(公告)号：DE102016114275A1

    公开(公告)日：2018-02-08

    申请号：DE102016114275

    申请日：2016-08-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  SCHWARZ THOMAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS

    IPC: H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Multichipmodul mit wenigstens zwei Leuchtdiodenchips, wobei die zwei Leuchtdiodenchips wenigstens mit Seitenflächen in einem ersten Träger aus einem Moldmaterial eingebettet sind, wobei die Leuchtdiodenchips erste elektrische Kontakte auf einer Vorderseite aufweisen, wobei die Vorderseite als Abstrahlseite ausgebildet ist, wobei die Leuchtdiodenchips zweite Kontakte auf einer Rückseite aufweisen, wobei die zweiten Kontakte mit einer Sammelleitung verbunden sind, wobei die Sammelleitung zu einer Rückseite des ersten Trägers geführt ist, wobei die ersten Kontakte mit Steuerleitungen verbunden sind, wobei die Steuerleitungen auf einer Vorderseite des ersten Trägers angeordnet sind. Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zum Herstellen eines Multichipmoduls, wobei wenigstens zwei Leuchtdiodenchips wenigstens mit Seitenflächen in einen ersten Träger aus einem Moldmaterial eingebettet werden, wobei die Leuchtdiodenchips erste elektrische Kontakte auf einer Vorderseite aufweisen, wobei die Vorderseite als Abstrahlseite ausgebildet ist, wobei die Leuchtdiodenchips zweite elektrische Kontakte auf einer Rückseite aufweisen, wobei die zweiten Kontakte mit einer Sammelleitung verbunden werden, wobei die Sammelleitung zu einer Rückseite des ersten Trägers geführt wird, wobei die ersten Kontakte mit Steuerleitungen verbunden werden, wobei die Steuerleitungen auf einer Vorderseite des ersten Trägers ausgebildet werden.

    29.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008056371A1

    公开(公告)日：2010-05-12

    申请号：DE102008056371

    申请日：2008-11-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  GROLIER VINCENT ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  STRASBURG MARTIN

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/34

    Abstract: An optoelectronic semiconductor chip includes a semiconductor layer sequence having at least one doped functional layer having at least one dopant and at least one codopant, wherein the semiconductor layer sequence includes a semiconductor material having a lattice structure, one selected from the dopant and the codopant is an electron acceptor and the other an electron donor, the codopant is bonded to the semiconductor material and/or arranged at interstitial sites, and the codopant at least partly forms no bonding complexes with the dopant.

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