公开(公告)号：DE102011112713A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：DE102011112713

申请日：2011-09-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  STRASBURG MARTIN ,  GALLER BASTIAN ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/06

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, das eine aktive Schicht mit einer Quantentopfstruktur (5) aufweist, wobei die Quantentopfstruktur (5) mindestens eine Barriereschicht (2) aus InyGa1-yN mit 0 ≤ y

公开(公告)号：DE102018125901A1

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：DE102018125901

申请日：2018-10-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WENDT MATHIAS ,  KATZ SIMEON ,  PORTEN PASCAL

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H05K3/34

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (100) umfasst einen Schritt A), in dem ein Halbleiterchip (2) mit einer Unterseite (20), mit einer Mehrzahl von Kontaktstiften (21) und mit zumindest einem Justagestift (25) bereitgestellt werden, die von der Unterseite hervorstehen. Die Kontaktstifte sind zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips eingerichtet. Der Justagestift verschmälert sich in Richtung weg von der Unterseite und steht weiter von der Unterseite hervor als die Kontaktstifte. In einem Schritt B) wird ein Anschlussträger (1) mit einer Oberseite (10), in die mehrere Kontaktvertiefungen (11) und zumindest eine Justagevertiefung (15) eingebracht sind, bereitgestellt. Die Kontaktvertiefungen sind jeweils mit einem Lötmaterial (12) zumindest teilweise gefüllt. In einem Schritt C) wird das Lötmaterial in den Kontaktvertiefungen auf eine Fügetemperatur erhitzt, bei der das Lötmaterial zumindest teilweise schmilzt. In einem Schritt D) wird der Halbleiterchip auf den Anschlussträger aufgesetzt, wobei die Kontaktstifte jeweils in eine Kontaktvertiefung und der Justagestift in die Justagevertiefung eingeführt werden. Die Kontaktstifte werden dabei in das aufgeschmolzene Lötmaterial eingetaucht.

公开(公告)号：DE102018118717A1

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102018118717

申请日：2018-08-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WENDT MATHIAS ,  KATZ SIMEON ,  PORTEN PASCAL

IPC: H01L21/60 ,  H01L27/085 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (100) einen Schritt A), in dem ein Halbleiterchip (2) mit einer Unterseite (20) und einer Mehrzahl von Kontaktstiften (21), die von der Unterseite hervorstehen, bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird ein Anschlussträger (1) mit einer Oberseite (10), in die mehrere Vertiefungen (11) eingebracht sind, bereitgestellt. Die Vertiefungen sind jeweils mit einem Lötmaterial (12) zumindest teilweise gefüllt. Die Lötmaterialien unterschiedlicher Vertiefungen hängen nicht zusammen. Die Vertiefungen weisen einen größeren Durchmesser als die Kontaktstifte auf und die Anordnung der Vertiefungen in der Oberseite des Anschlussträgers ist an die Anordnung der Kontaktstifte an der Unterseite des Halbleiterchips angepasst, so dass beim Aufsetzen des Halbleiterchips auf den Anschlussträger jeder Kontaktstift einer Ausnehmung zugeordnet werden kann. In einem Schritt C) wird das Lötmaterial in den Vertiefungen auf eine Fügetemperatur erhitzt, bei der das Lötmaterial zumindest teilweise schmilzt. In einem Schritt D) wird der Halbleiterchip auf den Anschlussträger aufgesetzt, wobei die Kontaktstifte jeweils einer Vertiefung zugeordnet werden und dabei in das aufgeschmolzene Lötmaterial eingetaucht werden.

公开(公告)号：DE102016113002A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：DE102016113002

申请日：2016-07-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRMER MARIKA ,  HUPPMANN SOPHIA ,  KATZ SIMEON

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/08

Abstract: Es wird ein Bauelement mit einem Substrat (1), einem ersten Halbleiterkörper (2), einem zweiten Halbleiterkörper (4) und eine erster Übergangszone (3), wobei eine erste aktive Schicht (23) des ersten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung erster Peakwellenlänge eingerichtet ist und eine zweite aktive Schicht (43) des zweiten Halbleiterkörpers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung zweiter Peakwellenlänge eingerichtet ist. Die erste Übergangszone ist in vertikaler Richtung zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet und grenzt unmittelbar an den ersten sowie an den zweiten Halbleiterkörper an. Die erste Übergangszone weist ein strahlungsdurchlässiges und elektrisch leitfähiges Material auf, sodass der erste Halbleiterkörper über die erste Übergangszone mit dem zweiten Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist. Außerdem weist die erste Übergangszone eine strukturierte Hauptfläche (301, 302) und/oder eine erste teilweise transparente und teilweise wellenlängenselektiv reflektierende Spiegelstruktur (33) auf. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung eines hier beschriebenen Bauelements besonders geeignet ist, bei dem der erste und der zweite Halbleiterkörper insbesondere mittels Direktbondens mechanisch und elektrisch miteinander verbunden werden.

公开(公告)号：DE102015116495A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：DE102015116495

申请日：2015-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HARTMANN RAINER ,  MANDL MARTIN ,  KATZ SIMEON ,  RÜCKERL ANDREAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (1), insbesondere in der Form eines Dünnfilmchips, umfasst einen Träger (5), sowie eine Chipvorderseite und Chiprückseite und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Dieser dient zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei der erste Kontakt (41) an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem Halbleiterkörper (2), ausgebildet ist. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist elektrisch leitend mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden und der zweite Kontakt (42) ist an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem Halbleiterkörper (2), ausgebildet. Eine elektrisch isolierende Trennschicht (6) ist zwischen elektrischer Anschlussschicht und Träger (5), im Träger oder auf der Rückseite des Trägers ausgebildet.

公开(公告)号：DE102013113106A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102013113106

申请日：2013-11-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  SPECHT HOLGER

IPC: H01L33/14 ,  H01L27/32 ,  H01L33/10 ,  H01L33/36

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist der Strahlung emittierende Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (20) zur Erzeugung einer Strahlung auf. Eine für die Strahlung durchlässige Stromaufweitungsschicht (3) befindet sich an einer Strahlungsaustrittsseite (25) der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine Isolierschicht (4) befindet sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Stromaufweitungsschicht (3). Ein Spiegel (5) für die Strahlung ist zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Stromaufweitungsschicht (3) angebracht. Eine metallische, elektrische Kontaktstruktur (6) befindet sich an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Stromaufweitungsschicht (3). Die Stromaufweitungsschicht (3) überdeckt dabei den Spiegel (5) und die Isolierschicht (4) vollständig.

公开(公告)号：DE102013112881A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102013112881

申请日：2013-11-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  HAHN BERTHOLD ,  ENGL KARL ,  BAUR JOHANNES ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  PLÖSSL ANDREAS ,  KATZ SIMEON ,  MEYER TOBIAS ,  ZINI LORENZO ,  MAUTE MARKUS

IPC: H01L33/14 ,  H01L23/60 ,  H01L27/15 ,  H01L33/22

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einem integrierten Überbrückungselement angegeben, das zum Schutz vor Überspannungen dient.

公开(公告)号：DE102016101347B4

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE102016101347

申请日：2016-01-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HUPPMANN SOPHIA ,  SCHOLZ DOMINIK ,  KATZ SIMEON

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/58 ,  H10H20/00

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen (100) mit folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Trägerverbunds (10) mit einem zusammenhängenden Grundkörper (13);- Bereitstellen eines Waferverbunds (200) mit einem zusammenhängenden Halbleiterkörperverbund (20) auf einem Substrat (9);- Verbinden des Waferverbunds mit dem Trägerverbund zur Bildung eines gemeinsamen Verbunds;- Ausbilden einer Mehrzahl von Trenngräben (60) zumindest durch den Grundkörper (13) hindurch zur Bildung einer Rasterstruktur (6), die die Dimensionen der herzustellenden Bauelemente (100) festlegt;- Ausbilden einer Passivierungsschicht (61), die Seitenflächen der Trenngräben (60) bedeckt; und- Vereinzeln des gemeinsamen Verbunds, wobei das Substrat (9) von dem Halbleiterkörperverbund (20) abgelöst wird und der gemeinsame Verbund entlang der Trenngräben (60) zu einer Mehrzahl von Bauelementen (100) vereinzelt wird, wobei- der Halbleiterkörperverbund (20) vor dem Verbinden des Waferverbunds (200) mit dem Trägerverbund (10) einstückig und frei von Mesagräben ausgebildet ist, welche die Dimensionen von auszubildenden Halbleiterkörpern (2) und somit der herzustellenden Bauelemente (100) festlegen, und eine Festlegung der Dimensionen der herzustellenden Bauelemente (100) erst bei der Erzeugung der Rasterstruktur (6) mit den sich durch den Grundkörper (13) hindurch erstreckenden Trenngräben (60) erfolgt, und- der Halbleiterkörperverbund (20) vor dem Ausbilden der Trenngräben (60) durch den Grundkörper (13) hindurch zur Bildung der Rasterstruktur (6) unstrukturiert vorliegt und erst nach der Erzeugung der Trenngräben (60) selbstjustiert zur Rasterstruktur (6) in eine Mehrzahl von Halbeiterkörpern (2) strukturiert wird.

公开(公告)号：DE102019101417A1

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：DE102019101417

申请日：2019-01-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils (1) mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen einer Trägerplatte (2), die Kontaktelemente (3) aufweist,- Aufbringen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägerplatte (2),- epitaktisches Herstellen von ersten Konversionselementen (11), und- Aufbringen der ersten Konversionselemente (11) auf den Halbleiterchip (5), wobei- der Halbleiterchip (5) Emitterbereiche (7) umfasst, die jeweils elektromagnetische Primärstrahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (8) aussenden, und- die ersten Konversionselemente (11) nach der epitaktischen Herstellung gleichzeitig auf zumindest manche der Emitterbereiche (7) aufgebracht werden. Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102018132824A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE102018132824

申请日：2018-12-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung umfasst, dass ein erster Halbleiterwafer (10) bereitgestellt wird, der eine Vielzahl von ersten optoelektronischen Halbleiterbauelementen (11) aufweist, der erste Halbleiterwafer (10) über einem Träger (20) angeordnet wird, mehrere der ersten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11) mittels einer Laserstrahlung (30) von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennt werden und auf den Träger (20) fallen, und die von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennten ersten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11) an dem Träger (20) befestigt werden.