公开(公告)号：DE10253160A1

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：DE10253160

申请日：2002-11-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STREUBEL KLAUS ,  PIETZONKA INES ,  KARNUTSCH CHRISTIAN

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

Abstract: Electromagnetic radiation-emitting semiconductor component comprises a semiconductor sequence (14) having an active layer (22) emitting photons, and an electrically conducting covering layer (16) made from InxGayAl1-x-yP (where y = 0-1; x = 0-1; and x + y = not more than 1), especially GaP, arranged on the layer sequence and permeable for the photons emitted by the active layer. The covering layer is p-doped using carbon to produce good electrical conductivity. An Independent claim is also included for a process for the production of an electromagnetic radiation-emitting semiconductor component.

公开(公告)号：DE102011077542B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102011077542

申请日：2011-06-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  DINI DIMITRI DR ,  PIETZONKA INES

IPC: H01S5/34 ,  H01L33/12 ,  H01S5/22

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterkörper (100)- mit einem Substrat (102, 132, 202),- mit einer verspannten Schicht (104, 134, 160), die in einem ersten Epitaxieschritt auf dem Substrat (102, 132, 202) aufgebracht ist, wobei die verspannte Schicht (104, 134, 160) mindestens eine vertikal in der verspannten Schicht gebildete Ausnehmung (106, 110) aufweist und wobei auf die verspannte Schicht (104, 134, 160) in einem zweiten Epitaxieschritt eine weitere Schicht (108, 136, 168) aufgebracht ist, die die mindestens eine Ausnehmung (106, 110) auffüllt und die verspannte Schicht (104, 134, 160) zumindest bereichsweise bedeckt, wobei die Gitterkonstante der verspannten Schicht (104, 134, 160) kleiner ist als die Gitterkonstante des Substrats und zugleich die Gitterkonstante der weiteren Schicht (108, 136, 168) größer ist als die Gitterkonstante des Substrats.

公开(公告)号：DE102011077542A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102011077542

申请日：2011-06-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  DINI DIMITRI DR ,  PIETZONKA INES

IPC: H01S5/34 ,  H01L33/12 ,  H01S5/22

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (100) mit einem Substrat (102, 132, 202) weist eine verspannte Schicht (104, 134, 160) auf, die in einem ersten Epitaxieschritt auf das Substrat (102, 132, 202) aufgebracht ist. Die verspannte Schicht (104, 134, 160) weist eine vertikal in der verspannten Schicht gebildete Ausnehmung (106, 110) auf. Auf die verspannte Schicht (104, 134, 160) ist in einem zweiten Epitaxieschritt eine weitere Schicht (108, 136, 168) aufgebracht, die die Ausnehmung (106, 110) auffüllt und die verspannte Schicht (104, 134, 160) zumindest bereichsweise bedeckt.

公开(公告)号：DE502004007853D1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：DE502004007853

申请日：2004-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  LINDER NORBERT ,  MAYER BERND ,  PIETZONKA INES

IPC: H01L33/02 ,  H01S5/30

Abstract: The component has n- and p-doped confinement layers (14,22) and n active, photon emitting layer (18) between them. The n-doped confinement layer is doped with a first n-doping material to produce high active doping and/or a sharp doping profile and the active layer is doped with a second different doping material to improve the layer quality of the active layer.

公开(公告)号：DE10329515A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：DE10329515

申请日：2003-06-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH REINER ,  PIETZONKA INES ,  STAUSS PETER ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

Abstract: A semiconductor layer row (8) having electromagnetic radiation discharging zone and outer layer (7) with n-conductivity type aluminum gallium indium phosphide (AlGaInP) or aluminum gallium indium arsenide (AlGaInAs) base, is formed by epitaxial growth. An electric contact (2) made of gold doped with germanium (Ge), silicon (Si), tin (Sn) or tellurium (Te) is adhered on outer layer and the outer layer is tempered. An independent claim is also included for thin-film LED.

公开(公告)号：DE10308322A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：DE10308322

申请日：2003-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS ,  ILLEK STEFAN ,  STAUSS PETER ,  WEGLEITER WALTER ,  WIRTH RALPH ,  STEIN WILHELM ,  PIETZONKA INES ,  DIEPOLD GUDRUN

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L21/283

Abstract: A process for preparation of an electrical contact region on an n-conductive AlGaInP-based layer by:application of an electrical contact material containng Au and at least one doping material, i.e. an element from the group Ge, Si, Sn, and Te, and of tempering the n-conductive AlGaInP-based layer. An independent claim is included for a structural element having an epitaxial semiconductor layer series with an electromagnetic radiation emitting active zone.

公开(公告)号：DE102004004780A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：DE102004004780

申请日：2004-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  PLOESL ANDREAS ,  STAUSS PETER ,  DIEPOLD GUDRUN ,  PIETZONKA INES ,  STEIN WILHELM ,  WIRTH RALPH ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

Abstract: Preparation of a structural element with an electrical contact region by:preparation of an epitaxially grown semiconductor series including an n-conductive AlGaIlP or AlGaInSAs-based external layer with an active zone emitting electromagnetic radiation, and application of an electrical contact material, which includes Au and doping material to the external layer, this material containing at least one of Ge, Si, Sn, and Te, and tempering of the external layer. An independent claim is included for a structural element as described above.