公开(公告)号：DE102012109590A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102012109590

申请日：2012-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  MAUTE MARKUS ,  BAUR JOHANNES ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  KIESLICH ALBRECHT

IPC: H01L33/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/74

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet. Es umfasst das Verfahren die folgenden Schritte: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), – Erzeugen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf dem Aufwachssubstrat (2), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) eine n-Seite (31), eine p-Seite (33) und eine zu einer Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (33) aufweist und die aktive Schicht (32) zwischen der p-Seite (33) und der n-Seite (31) angeordnet ist und sich die n-Seite (31) dem Aufwachssubstrat (2) am Nächsten befindet, und – Dotieren der n-Seite (31) durch die aktive Schicht (32) hindurch mittels Ionenimplantation.

公开(公告)号：DE102008057350A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：DE102008057350

申请日：2008-11-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  TAEGER SEBASTIAN

IPC: H01L33/00

Abstract: A radiation-emitting component includes a carrier, a semi-conductor chip arranged on the carrier, wherein the semi-conductor chip includes an active layer to generate electromagnetic radiation and a radiation exit surface, a first and a second contact structure for the electrical contacting of the semi-conductor chip, a first and a second contact layer, wherein the semi-conductor chip is electrically conductively connected to the first contact structure via the first contact layer and to the second contact structure via the second contact layer, a passivation layer arranged on the semi-conductor chip.

公开(公告)号：WO2015124531A2

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：PCT/EP2015053218

申请日：2015-02-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL ALFRED ,  TAEGER SEBASTIAN ,  HUPPMANN SOPHIA

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/0282 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/028

Abstract: The invention relates to a laser diode chip (1) which comprises at least one laser facet (9) with a covering (10). Said covering (10) comprises at least one inorganic layer (14, 15, 16, 17, 18) and at least one organic layer (20, 21, 22).

Abstract translation: 将描述的激光二极管芯片（1），一涂层，该涂层的至少一个激光器端面（9）（10）。 所述涂层（10）包括至少一个无机层（14，15，16，17，18）和至少一个有机层（20，21，22）。

公开(公告)号：DE102013114226B4

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102013114226

申请日：2013-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TAEGER SEBASTIAN ,  BACHMANN ALEXANDER

IPC: H01S5/20 ,  H01L23/36 ,  H01S5/024

Abstract: Halbleiterlaserdiode, aufweisendeine Halbleiterschichtenfolge (1) mit vertikal übereinander aufgebrachten Halbleiterschichten mit einer aktiven Schicht (11), die im Betrieb Laserstrahlung über eine Strahlungsauskoppelfläche abstrahlt, wobei die Strahlungsauskoppelfläche durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet wird und mit einer gegenüberliegenden Rückseitenfläche der Halbleiterschichtenfolge einen Resonator in einer longitudinalen Richtung bildet, undeine Wärmebarrierenschicht (2) und eine metallische Kontaktschicht (5) lateral zueinander benachbart auf einer Hauptoberfläche (12) der Halbleiterschichtenfolge (1),wobei die Wärmebarrierenschicht (2) durch ein elektrisch isolierendes poröses Material (9) gebildet wird undwobei die Kontaktschicht (5) streifenförmig auf der Hauptoberfläche (12) der Halbleiterschichtenfolge (1) ausgebildet ist, an mindestens zwei Seitenflächen an die Wärmebarrierenschicht (2) angrenzt und als longitudinaler Streifen ausgebildet ist, der die Wärmebarrierenschicht (2) in zwei Bereiche unterteilt, die in einer transversalen Richtung auf beiden Seiten des Streifens angeordnet sind.

公开(公告)号：DE112015000938A5

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：DE112015000938

申请日：2015-02-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL ALFRED ,  TAEGER SEBASTIAN ,  HUPPMANN SOPHIA

IPC: H01S5/028

公开(公告)号：DE102013100818A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE102013100818

申请日：2013-01-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EIBL JOHANN ,  TAEGER SEBASTIAN ,  HÖPPEL LUTZ ,  ENGL KARL ,  RAMMELSBERGER STEFANIE ,  MAUTE MARKUS ,  HUBER MICHAEL ,  HARTMANN RAINER ,  HARTUNG GEORG

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit – einem Halbleiterkörper (40), der einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (42) umfasst, – eine erste Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, – einer ersten Verkapselungsschicht (31), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und – einem Träger (10), der dazu vorgesehen ist, die erste Verkapselungsschicht (31), die erste Spiegelschicht (21) und den Halbleiterkörper (40) mechanisch zu stützen, wobei – die erste Spiegelschicht (21) zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (40) angeordnet ist, – die erste Verkapselungsschicht (31) zwischen dem Träger (10) und der ersten Spiegelschicht (21) angeordnet ist, und – die erste Verkapselungsschicht (31) eine ALD-Schicht ist.

公开(公告)号：DE102012108704A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：DE102012108704

申请日：2012-09-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL ION ,  TAEGER SEBASTIAN ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  GEYER GUDRUN ,  HARTAUER STEFAN

IPC: H01L33/50 ,  C25D13/02 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip (2) angeben, das die folgenden Schritte aufweist: – Bereitstellen eines Halbleiterwafers (1), wobei der Halbleiterwafer (1) ein Trägersubstrat (5) und wenigstens einen Halbleiterchip (2) aufweist, wobei der Halbleiterchip (2) eine aktive Zone zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweist, und wobei an einer dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche (4) des Halbleiterchips (2) wenigstens einen Kontaktbereich (3) ausgebildet ist, – elektrophoretisches Abscheiden eines Materials (7) auf der dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche (4) des Halbleiterchips (2) zur Ausbildung der elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht, wobei ein Abscheiden des Materials (7) auf dem wenigstens einen Kontaktbereich (3) verhindert wird, – Aufbringen eines anorganischen Matrixmaterials (8) auf wenigstens einen Teilbereich einer dem Trägersubstrat (5) abgewandten Oberfläche des Halbleiterwafers (1) zur Fixierung des Materials (7) auf dem Halbleiterchip (2). Ferner wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102011109942A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：DE102011109942

申请日：2011-08-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MAUTE MARKUS ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

IPC: H01L33/60

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (1a) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen und enthält eine TCO-Schicht (2a).