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    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    21.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018234154A1

    公开(公告)日：2018-12-27

    申请号：PCT/EP2018/065842

    申请日：2018-06-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE, Tansen

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24

    CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/156 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507

    Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauelement (20) zur Emission mehrfarbiger Strahlung (R, G, B), mit - einer Vielzahl nebeneinander angeordneter aktiver Bereiche (10a, 10b, 10c), die als Mikro- oder Nanostäbe ausgebildet sind und zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung (B) eingerichtet sind, wobei - einer ersten Gruppe der aktiven Bereiche (10a) in einer Abstrahlrichtung jeweils ein erstes Lumineszenzkonversionselement (21) nachfolgt, das zur Konvertierung der Primärstrahlung (B) in eine erste Sekundärstrahlung (R) geeignet ist, und - einer zweiten Gruppe der aktiven Bereiche (10b) in der Abstrahlrichtung jeweils ein zweites Lumineszenzkonversionselement (22) nachfolgt, das zur Konvertierung der Primärstrahlung (B) in eine zweite Sekundärstrahlung (G) geeignet ist, wobei die Primärstrahlung (B), die erste Sekundärstrahlung (R) und die zweite Sekundärstrahlung (G) verschiedene Farben aufweisen.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    22.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2014128003A1

    公开(公告)日：2014-08-28

    申请号：PCT/EP2014/052336

    申请日：2014-02-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK, Stefan ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  SABATHIL, Matthias ,  SCHWARZ, Thomas ,  VARGHESE, Tansen

    IPC: H01L33/48

    CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Trägeroberfläche, wobei ein erster lateraler Abschnitt der Trägeroberfläche gegenüber einem zweiten lateralen Abschnitt der Trägeroberfläche erhaben ist, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche auf der Trägeroberfläche, wobei die erste Oberfläche der Trägeroberfläche zugewandt wird, und zum Ausbilden eines Formkörpers mit einer der Trägeroberfläche zugewandten Oberseite und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite, wobei der Halbleiterchip zumindest teilweise in den Formkörper eingebettet wird.

    Abstract translation: 一种制造光电器件的方法包括，相对于支撑表面的第二侧部的支撑表面的第一侧部上升时，提供具有支撑表面的支撑的步骤的配置具有所述支撑表面上的第一表面和第二表面的光电子半导体芯片 其中，所述支撑表面的第一表面朝向，以及用于形成具有面向上侧的支承面的模制体和上侧相对的下侧，其中，所述半导体芯片是至少部分地嵌入到模制体。

    OPTOELECTRONIC COMPONENT, COMPONENT UNIT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
    25.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC COMPONENT, COMPONENT UNIT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023036543A1

    公开(公告)日：2023-03-16

    申请号：PCT/EP2022/072437

    申请日：2022-08-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE, Tansen ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  LEX, Andreas

    IPC: H01L33/20 ,  H01L33/40 ,  H01L33/54 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08

    Abstract: An optoelectronic component (1) is described comprising - at least one semiconductor body (2) including a first semiconductor region (3), a second semiconductor region (5) and an active region (4) therebetween, - a cover element (6), which laterally surrounds the at least one semiconductor body (2) and has at least one patterned side surface (6A) facing away from the at least one semiconductor body (2), - a reflection element (7), which at least partly covers the at least one patterned side surface (6A), wherein the active region (4) is at least partly laterally surrounded by the first semiconductor region (3). Moreover, a component unit (19) comprising at least two optoelectronic components (1) and a method for producing a plurality of optoelectronic components (1) or at least one component unit (19) are described.

    BAUELEMENT MIT REDUZIERTER ABSORPTION UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS
    26.
    发明申请
    BAUELEMENT MIT REDUZIERTER ABSORPTION UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021028185A1

    公开(公告)日：2021-02-18

    申请号：PCT/EP2020/070786

    申请日：2020-07-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE, Tansen ,  SUNDGREN, Petrus

    IPC: H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/22

    Abstract: Es wird ein Bauelement (10) mit einem Träger (1), einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2), einer zumindest bereichsweise zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper angeordneten Zwischenschicht (3, 31, 32) und einer ersten Kontaktstruktur (41) angegeben, bei dem der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine aktive Zone (23) aufweist, die in vertikaler Richtung zwischen den Halbleiterschichten (21, 22) angeordnet und zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Die aktive Zone weist entlang lateraler Richtungen lokal deaktivierte Bereiche (23D, 23E) auf, die nicht zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sind. Der Halbleiterkörper weist eine Öffnung (2R) auf, die sich durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Zone hindurch zur ersten Halbleiterschicht hin erstreckt, wobei die Öffnung verschieden von den deaktivierten Bereichen der aktiven Zone ist und teilweise mit einem Material der Zwischenschicht aufgefüllt ist. Zudem ist die erste Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht eingerichtet und überlappt in Draufsicht mit der Öffnung. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
    28.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020156922A1

    公开(公告)日：2020-08-06

    申请号：PCT/EP2020/051619

    申请日：2020-01-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BEHRINGER, Martin Rudolf ,  VARGHESE, Tansen ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine halbleitende Rekombinationsschicht (1) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung durch Ladungsträgerrekombination, eine Mehrzahl von ersten Kontaktelementen (31) auf einer ersten Seite (11) der Rekombinationsschicht, zumindest ein zweites Kontaktelement (32) auf der ersten Seite der Rekombinationsschicht, eine Mehrzahl halbleitender erster Anschlussbereiche (21) und zumindest einen halbleitenden zweiten Anschlussbereich (22). Die ersten Anschlussbereiche sind jeweils zwischen einem ersten Kontaktelement und der ersten Seite der Rekombinationsschicht angeordnet. Der zweite Anschlussbereich ist zwischen dem zweiten Kontaktelement und der ersten Seite der Rekombinationsschicht angeordnet. Die ersten Anschlussbereiche weisen eine Dotierung erster Art auf und der zweite Anschlussbereich weist eine zur Dotierung erster Art komplementäre Dotierung zweiter Art auf. Die ersten Kontaktelemente sind einzeln und unabhängig voneinander elektrisch kontaktierbar.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    30.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019012084A1

    公开(公告)日：2019-01-17

    申请号：PCT/EP2018/069035

    申请日：2018-07-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE, Tansen ,  ILLEK, Stefan

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper (10), einen ersten Bereich (101) eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Bereich (102) eines zweiten Leitungstyps und einen aktiven Bereich (103) umfasst. Der aktive Bereich (103) ist zwischen dem ersten Bereich (101) und dem zweiten Bereich (102) angeordnet. Im ersten Bereich (101) des Halbleiterkörpers (10) befindet sich eine Aussparung (160), mit einem an die Aussparung (160) angrenzenden Kontaktbereich (170). Der aktive Bereich (103) ist zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet. Der Halbleiterkörper (10) besitzt eine erste Strahlungsaustrittsfläche (10A) an einer dem aktiven Bereich (103) abgewandten Hauptfläche des zweiten Bereich (102), und ein Teil der im Betrieb erzeugten elektromagnetischen Strahlung verlässt den Halbleiterkörper (10) durch diese erste Strahlungsaustrittsfläche (10A). Der Halbleiterkörper (10) weist eine erste elektrische Anschlussschicht (121) und eine zweite elektrische Anschlussschicht (122) auf, wobei die zweite elektrische Anschlussschicht (122) zumindest teilweise in der Aussparung (160) angeordnet ist. Der ersten Strahlungsaustrittsfläche (10A) ist ein strahlungsdurchlässiger Träger(140) nachgeordnet, der mittels einer strahlungsdurchlässigen, Verbindungsschicht (132) mit dem Halbleiterkörper (10) stoffschlüssig verbunden ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements (1) angegeben.

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