公开(公告)号：TW578212B

公开(公告)日：2004-03-01

申请号：TW091118370

申请日：2002-08-15

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 奧利 凱爾培拉 OLLI KILPELA ,  薇爾 薩琳娜 VILLE SAANILA ,  偉民李 WEI-MIN LI ,  凱艾瑞克 愛爾斯 KAI-ERIK ELERS ,  朱哈娜 寇斯塔摩 JUHANA KOSTAMO ,  艾維 瑞傑馬克斯 IVO RAAI JMAKERS ,  恩斯特 葛蘭尼門 ERNST GRANNEMAN

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509

Abstract: 揭露各種用氣相反應劑在表面上交替重複進行表面反應，以在基底的表面上製作薄膜的反應器。在一個實施例中，反應器包括定義出反應空間的反應室；有一個沖洗頭平板將反應空間隔成上下兩部分；第一前驅物會直接被供應到反應室的下半部，而第二前驅物會直接供應到反應室的上半部，基底會放置在反應室的下部分，沖洗頭平板包括複數個通道可以使反應室的上半部分與下半部分相溝通。在另一個設計上，反應室的上半部定義出一個電漿穴，在其中會形成臨場電漿。在另一種設計中，反應室包括一個百葉窗板，可以選擇性的開關沖洗頭平板中的通道。在其他設計中，沖洗頭平板被設計用來改善流經過反應室的氣流之局部流動圖案。

Abstract in simplified Chinese: 揭露各种用气相反应剂在表面上交替重复进行表面反应，以在基底的表面上制作薄膜的反应器。在一个实施例中，反应器包括定义出反应空间的反应室；有一个冲洗头平板将反应空间隔成上下两部分；第一前驱物会直接被供应到反应室的下半部，而第二前驱物会直接供应到反应室的上半部，基底会放置在反应室的下部分，冲洗头平板包括复数个信道可以使反应室的上半部分与下半部分相沟通。在另一个设计上，反应室的上半部定义出一个等离子穴，在其中会形成临场等离子。在另一种设计中，反应室包括一个百叶窗板，可以选择性的开关冲洗头平板中的信道。在其他设计中，冲洗头平板被设计用来改善流经过反应室的气流之局部流动图案。

公开(公告)号：TWI515816B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW099101229

申请日：2010-01-18

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 里德 約瑟夫C ,  REED, JOSEPH C. ,  雪洛 艾立克 ,  SHERO, ERIC

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68764 ,  H01L21/68742

公开(公告)号：TW201601216A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104131335

申请日：2010-01-21

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 米利根羅伯特B. ,  MILLIGAN,ROBERT B. ,  李東 ,  LI,DONG ,  馬庫斯史蒂芬 ,  MARCUS,STEVEN

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/562 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供使用電漿加強原子層沈積（PEALD）在介電層上形成導電金屬層的方法，以及相關組合物及結構。在藉由PEALD沈積所述導電層之前，藉由非電漿原子層沈積（ALD）製程將電漿障壁層沈積於所述介電層上。所述電漿障壁層減少或防止所述PEALD製程中之電漿反應物對所述介電層之有害影響，且可加強黏合。可在所述非電漿ALD製程及所述PEALD製程兩者中使用相同的金屬反應物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供使用等离子加强原子层沉积（PEALD）在介电层上形成导电金属层的方法，以及相关组合物及结构。在借由PEALD沉积所述导电层之前，借由非等离子原子层沉积（ALD）制程将等离子障壁层沉积于所述介电层上。所述等离子障壁层减少或防止所述PEALD制程中之等离子反应物对所述介电层之有害影响，且可加强黏合。可在所述非等离子ALD制程及所述PEALD制程两者中使用相同的金属反应物。

公开(公告)号：TWI511222B

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW098118569

申请日：2009-06-04

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾格渥 拉敏德 ,  AGGARWAL, RAVINDER ,  海洛 鮑勃 ,  HARO, BOB

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C16/46

公开(公告)号：TWI509108B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW099112156

申请日：2010-04-19

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 瑞格哈瓦 斯里尼 ,  RAGHAVAN, SRINI ,  雪洛 艾立克 ,  SHERO, ERIC ,  維埃茲 莫西斯 ,  VERGHESE, MOHITH

IPC: C23F1/32 ,  C23F1/36 ,  C23F1/38 ,  C23F11/06

CPC classification number: C09K13/02 ,  C11D7/06 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4407 ,  C23C16/45525 ,  C23G1/18 ,  C23G1/205 ,  C23G1/22

公开(公告)号：TWI499686B

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：TW099127595

申请日：2010-08-18

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 雪洛 艾立克J ,  SHERO, ERIC J. ,  維埃茲 莫西斯 ,  VERGHESE, MOHITH ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31645

公开(公告)号：TWI488990B

公开(公告)日：2015-06-21

申请号：TW098112674

申请日：2009-04-16

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 李 東 ,  LI, DONG ,  馬庫斯 史蒂芬 ,  MARCUS, STEVEN ,  賀加 蘇維P ,  HAUKKA, SUVI P. ,  林偉民 ,  LI, WEI-MIN

IPC: C23C16/32 ,  H01L21/283

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L29/4966

公开(公告)号：TWI443713B

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW097141223

申请日：2008-10-27

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 托馬西尼 皮爾瑞 ,  TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 ,  CODY, NYLES

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/22

CPC classification number: H01L29/167 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636

公开(公告)号：TWI443221B

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW096139836

申请日：2007-10-24

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ,  ELERS, KAI-ERIK ,  威爾克 葛嵐 ,  WILK, GLEN ,  馬庫斯 史蒂芬 ,  MARCUS, STEVEN

IPC: C23C16/32

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/515

公开(公告)号：TWI412063B

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：TW095101879

申请日：2006-01-18

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬伊夫 維基 ,  VERGHESE, MOHITH ,  雪洛 艾立克 ,  SHERO, ERIC ,  貝比克 達寇 ,  BABIC, DARKO ,  特后司特 赫伯特 ,  TERHORST, HERBERT ,  沛薩 瑪寇 ,  PEUSSA, MARKO ,  洋 敏 ,  YAN, MIN

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4586 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68742