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公开(公告)号：KR101828293B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020160095038
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C23C14/04 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/033 , H01L29/78 , G01N27/414
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
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32.发明公开진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积的混合图案形成方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及通过该方法制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012387A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
CPC classification number: G03F7/2022 , H01L21/02118 , H01L21/02315 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/203 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L29/413
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用真空沉积工艺形成金属纳米结构图案的方法，所述方法包括：第一步骤，形成暴露所述衬底的部分上表面的掩模图案层; 金属纳米第二步骤来设置真空沉积条件满足用于该结构的生长所需的金属纳米结构的最小临界半径，并在区域中的金属通过真空沉积工艺和衬底纳米的掩膜图案层上曝光 生长结构中，通过去除掩模图案层的第三步骤，第四步骤和所述金属纳米结构，以形成在所述衬底的曝光区域的金属纳米结构，以形成在衬底顶部上的金属纳米结构图案 以及第五步骤，通过使用真空气相沉积方法湿法蚀刻部分基材来形成混合图案。 而作为一个技术基础。 这种做发明是基材使用真空沉积工艺来设置真空沉积条件满足对金属纳米结构的生长所需要的金属纳米结构的最小临界半径，以形成金属纳米结构图案，以在基底顶部，并使用此 湿法蚀刻以在衬底的一部分中提供混合图案。
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公开(公告)号：KR20180012386A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR20160095039
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/042 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/5806 , C23C14/5826
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 在本发明中，作为利用真空沉积工艺形成纳米结构图案，准备基板的第一步骤中，形成掩模图案层的第二工序到所述衬底以暴露所述上，所述衬底的所述部分 第三步骤，设定真空沉积条件，该真空沉积条件满足在暴露区域和掩模图案层上生长纳米结构所需的纳米结构的最小临界半径; 在掩模图案层上生长纳米结构的第四步骤和除去掩模图案层并在衬底的暴露区域上形成纳米结构以在衬底上形成纳米结构图案的第五步骤 其中第二阶掩模图案层是在对第一步骤的衬底表面进行疏水表面处理之后或者在形成第二步骤的掩模图案层之后形成的， 和传感器元件的纳米结构的图案形成通过真空蒸发和通过该方法，其特征在于在与一个子区域的技术基础，疏水表面处理。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。
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公开(公告)号：KR101783648B1
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020150181157
申请日：2015-12-17
Applicant: (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L29/66 , H01L31/09
Abstract: 본발명은, 저암전류아발란치포토다이오드로서, 증폭층의중심부에형성되는멀티플리케이션(multiplication) 영역과그 주변에형성되는비-멀티플리케이션영역을포함하는상기증폭층; 및상기증폭층상단의수광부에배치되는전극을포함하고, 상기전극은멀티플리케이션영역및 비-멀티플리케이션영역의일부를포함하도록배치되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020170075900A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150185329
申请日：2015-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은수평방향으로굴절률이제어된양면패턴의제조방법및 그에의해제조된양면패턴에관한것으로서, 고분자기판상에미세구조체패턴및 얼라인키(align key)가형성된제1스탬프를위치시켜열간성형하여상기고분자기판에상기제1스탬프의미세구조체패턴과역상인제1패턴을각인시키고, 얼라인키를표시하는제1단계와, 상기제1패턴이각인된고분자기판에서상기제1스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에제1패턴을성형하는제2단계와, 상기제1패턴이형성된고분자기판상에유동성재료를도포하여, 상기제1패턴과역상인하측패턴을상기유동성재료하측면에형성하는제3단계와, 상기도포된유동성재료상에미세구조체패턴및 얼라인키(align key)가형성된제2스탬프를위치시켜가압하고, 경화공정을수행하여상기유동성재료상측면에상기제2스탬프의미세구조체패턴과역상인상측패턴을각인시키는제4단계및 상기타측패턴이각인된유동성재료에서상기제2스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에유동성재료로이루어진양면패턴을성형하는제5단계를포함하여이루어지되, 상기제4단계는, 상기고분자기판에표시된얼라인키와상기제2스탬프의얼라인키를정렬한후 상기유동성재료상에상기제2스탬프를위치시켜상기유동성재료의수평방향으로가해지는상기제2스탬프의가압력을제어하는것을특징으로하는수평방향으로굴절률이제어된수평방향으로굴절률이제어된양면패턴의제조방법및 이에의해제조된양면패턴을그 기술적요지로한다. 이에의해본 발명은간단한공정에의해양면패턴을동시에성형할수 있고, 특히열간성형및 임프린트공정시 얼라인키를이용함으로써, 수평방향으로의굴절률이제어된양면패턴을제공할수 있으며, 이후이종의기판또는박막에용이하게전사할수 있어다양한분야에의활용이가능한이점이있다.
Abstract translation: 制造双面图案化折射率的发明方法被控制在水平方向上，从而为在由图案精细结构的聚合物衬底上产生的图案的两侧，并对准inki（对准键）是热模压通过将形成的第一压模 到聚合物基材和雕刻微结构图案和反相摄取第一压模中的一个模式，所述第一压模中显示对齐inki的第一步骤中分离，聚合物衬底，所述第一图案被雕刻， 形成聚合物衬底上形成第一图案，所述第一液体涂覆到聚合物基材1的第二步骤中，形成在材料中的图案，形成底部表面，其中所述可流动的材料在所述第一图案和所述反相切口侧图案 第三步骤和细到所施加的流体jaeryosang结构图案和对准inki（对准键）通过将所述第二时间戳的时间戳第二到流动性jaeryosang侧压力机的精细结构图案被形成，通过进行固化处理 gwayeok 通过在第四步和另一个分离第二邮票侧面图案压印流体材料冲压印模侧图案jidoe包括形成由流体材料构成的双面的图案施加到聚合物基材上的第五步骤 和所述第四步骤中，第二压模显示在聚合物基底取向的取向inki和对准的第二印模inki置于为流动性jaeryosang第二印模变成流体材料的水平方向 秋和用于产生在水平方向上的折射率的水平方向上的折射率的方法进行控制模式控制双方，其特征在于，用于控制所述压力，并因此通过作为技术基础制造的双面图案。 此完成本发明可以在同一时间通过时对准inki使用热成形和压印工艺形成通过简单的工艺成双面图案，特别是，能提供一个双面图案在控制的水平方向上的折射率，异质衬底或后 它可以很容易地转移到薄膜上，因此可以用于各种领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101681753B1
公开(公告)日：2016-12-02
申请号：KR1020150001430
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체의제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는온도보다낮고임계경화되는온도보다높은온도로열경화를수행하는메타-열경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-열경화임프린팅과포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법을기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의온도에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
Abstract translation: 金属氧化物复合结构及其制备方法技术领域本发明涉及金属氧化物复合结构体及其制备方法，更具体地说，涉及通过间热固化压印和光刻工艺制备金属氧化物复合结构体的方法和由其制备的金属氧化物复合结构体。 根据本发明，该方法包括：在晶片或薄膜的顶部形成光敏金属 - 有机材料前体层的步骤; 一种间热固化压印步骤，其中在低于将使光敏金属 - 有机材料前体层完全固化并高于将使其敏化固化的温度的温度下进行热固化，以及具有第一图案的压印印模 用于向感光金属 - 有机材料前体层施加压力; 从感光金属 - 有机材料前体层去除印记印模的步骤; 完全固化光刻步骤，其中将具有第二图案的光掩模放置在上述图案化的感光金属 - 有机材料前体层上，然后以足够高的剂量进行UV辐射或加热以诱导完全固化，以产生金属氧化物 薄膜图案层; 将上述固化的金属氧化物薄膜图案层显影以产生具有第一和第二图案的金属氧化物复合结构的步骤。 根据本发明，可以容易地制备具有两种不同图案的金属氧化物结构，并且通过在不引起完全固化的温度下进行压印加工，随后进行完全固化，可以简化和减少工艺和成本 通过光刻工艺，并且通过执行除了蚀刻工艺之外的中间固化工艺以减少蚀刻工艺的数量。
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公开(公告)号：KR101582349B1
公开(公告)日：2016-01-05
申请号：KR1020140139834
申请日：2014-10-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/054 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은확장된광흡수영역을포함하는태양전지및 그제조방법에관한것으로서, 제1 기판을기초로생성된제1 셀, 제2 기판을기초로생성되고, 상기제1 셀보다수평면적이확장되어확장영역을갖는제2 셀, 및상기제1 셀과상기제2 셀을접착하는하나이상의본딩금속을포함하되, 상기제2 셀은상기확장영역을통해직접태양광을흡수하는것을특징으로한다. 본발명에따르면확장된광흡수영역을통해광입자를흡수함으로써, 본딩금속의면적및 하부셀결함에의해발생하는전류량손실을개선할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括扩展光吸收区域的太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括基于第一基板产生的第一单元，基于第二基板生成的具有比第一单元延伸的水平面以具有延伸区域的第二单元，以及至少一个键合金属 第一个细胞和第二个细胞。 第二个细胞通过延伸区直接吸收阳光。 根据本发明，通过扩展的光吸收区域吸收光子。 由此，可以提高接合金属的面积和由下部电池缺陷产生的电流的损失。
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公开(公告)号：KR101556089B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140174003
申请日：2014-12-05
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L27/1203
Abstract: 본발명은 SOI 기판상에고품위의반도체에피층을형성하는방법에관한것으로서, SOI(상부실리콘층/절연물/하부실리콘층) 기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, SOI(001) 기판상에에피성장이필요한부위의패터닝공정을통한상부실리콘층을제거하는제1단계와, 상기상부실리콘층을제거하고그 상층에보호막을증착하는제2단계와, 에피성장이필요한부위의패터닝공정을통해하부실리콘층의일부영역이노출되는 ART(Aspect Ratio Trapping)패턴을형성하는제3단계와, 상기 ART패턴하부에습식식각을통해하부실리콘층의 (111)면이노출되도록 AART(Arrow Aspect Ratio Trapping) 패턴을형성하는제4단계와, 상기절연물하측에상기하부실리콘층의 (111)면의노출이진행됨에따른절연물과하부실리콘층과의계면상에언더컷을형성하는제5단계및 상기 ART패턴영역과 AART패턴영역상측으로반도체층을성장시키는제6단계를포함하여이루어진것을특징으로하는 SOI(001) 기판상에반도체에피층성장방법을기술적요지로한다. 이에의해, SOI 기판상에실리콘(111)면이노출된화살표형태의트랩핑패턴을형성하여, 실리콘과반도체층간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 반도체소자를제공할수 있으며, 결함이없는(defect free) 에피층을더욱낮은두께에서얻을수 있어소자의제조가용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在SOI衬底上形成高品质的半导体外延层的方法，更具体地说，涉及在SOI（顶层硅层/绝缘材料/底部硅层）衬底上生长半导体外延层的方法 。 根据本发明实施例的用于在SOI衬底上生长半导体外延层的方法包括去除顶部硅层的第一步骤，沉积保护层的第二步骤，形成纵横比捕获的第三步骤（ ART）图案，形成箭头纵横比捕获（AART）图案的第四步骤，在底部硅层和绝缘材料的界面上形成底切的第五步骤，以及在半导体层上生长半导体层的第六步骤 AART图案区域的上侧和ART图案区域。
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公开(公告)号：KR101519995B1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130127788
申请日：2013-10-25
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 변조 적외선 컬러 영상 획득 시스템으로서, 둘 이상의 변조 적외선 파장을 피사체에 조사하는 적외선 조사 장치; 적외선 조사 장치에 의해 조사되고 피사체에 의해 반사된 둘 이상의 변조 적외선 파장을 감지하고, 둘 이상의 변조 적외선 파장을 변환 및 조합하여 컬러 영상을 획득하는 컬러 영상 획득 장치; 및 컬러 영상 획득 장치와 미리 결정된 시간에 보정 및 동기화되고, 적외선 조사 장치의 적외선 조사 시간을 파장별로 조정하는 동기화 장치를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101441634B1
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020120057159
申请日：2012-05-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/06 , H01L33/02
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 임의의 기판 위에 버퍼를 사용하는 경우, 격자 결함이 많이 형성되는 영역에 터널 다이오드를 형성하여 격자 결함으로 인한 소자 성능 저하를 최소화할 수 있는 광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 광소자는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 격자 불일치 전위 영역이 저항으로만 동작하도록 상기 격자 불일치 전위를 포함하는 박막의 상부에 형성되는 터널 다이오드와, 상기 터널 다이오드 상부에 형성되는 소자층과, 상기 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 상기 소자층 상에 형성된 상부 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
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