公开(公告)号：KR101084261B1

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：KR1020100023901

申请日：2010-03-17

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이동현 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757

Abstract: 박막 트랜지스터, 이를 구비한 표시 장치, 및 그 제조 방법들에서, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 액티브층과, 상기 액티브층의 일부 영역 위에 형성된 게이트 절연막 패턴과, 상기 게이트 절연막 패턴의 일부 영역 위에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 절연막 패턴 및 상기 게이트 전극을 덮는 식각 방지막 패턴, 그리고 상기 액티브층 및 상기 식각 방지막 패턴 위에 형성된 소스 부재 및 드레인 부재를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110113024A

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020100032337

申请日：2010-04-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정윤모 ,  박병건 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L27/1214

Abstract: 본 발명은 비정질 실리콘막의 결정화 방법, 그리고 이를 적용한 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 결정화 방법은, 비정질 실리콘막을 형성하는 단계, 비정질 실리콘막 위에 서로 이격되도록 결정화 촉매 입자들을 위치시키는 단계, 비정질 실리콘막에서 결정화 촉매 입자들을 선택적으로 제거하는 단계 및 비정질 실리콘막을 열처리에 의해 결정화하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110107189A

公开(公告)日：2011-09-30

申请号：KR1020100026403

申请日：2010-03-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  이탁영 ,  박종력 ,  정재완

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L51/0081 ,  H01L29/458 ,  H01L27/1214 ,  H01L51/105

Abstract: 본 발명의 일 실시예는 이온 도핑 공정없이도 제조할 수 있는 박막 트랜지스터를 갖는 기판, 이의 제조 방법, 및 상기 박막 트랜지스터를 갖는 기판을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR1020110103736A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：KR1020100022944

申请日：2010-03-15

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이탁영 ,  박병건 ,  정윤모 ,  박종력 ,  이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78645 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696

Abstract: 온전류의 크기를 유지하면서 누설전류를 줄일 수 있는 박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터는 기판; 양끝단의 소스 영역 및 드레인 영역, 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역에 인접한 저농도 도핑영역, 적어도 둘 이상의 채널영역, 상기 채널영역 사이의 고농도 도핑영역을 포함하는 상기 기판 위의 활성층; 상기 활성층 위의 게이트 절연막; 적어도 둘 이상의 개별 게이트 전극을 포함하고, 상기 개별 게이트 전극 아래에 채널영역이 위치하고, 최외각의 상기 개별 게이트 전극의 바깥쪽으로 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역이 위치한 상기 게이트 절연막 위의 다중 게이트 전극; 상기 다중 게이트 전극 위의 제1 층간 절연막; 및 상기 제1 층간 절연막을 관통하여 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극; 을 포함한다.

公开(公告)号：KR101049810B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020080137240

申请日：2008-12-30

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  이길원 ,  이동현 ,  안지수 ,  이기용 ,  정윤모 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 제 1 금속촉매 결정화 영역으로 이루어진 채널영역 및 제 1 금속촉매 결정화영역과 제 2 금속촉매 결정화 영역을 포함하는 소스/드레인 영역으로 이루어진 반도체층; 상기 반도체층의 채널영역에 대응하게 위치하는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키기 위하여 상기 반도체층과 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 콘택층을 통하여 상기 소스/드레인 영역과 전기적으로 각각 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
또한, 기판을 형성하고, 제 1 금속촉매 결정화 영역으로 이루어진 채널영역 및 제 1 금속촉매 결정화영역과 제 2 금속촉매 결정화 영역을 포함하는 소스/드레인 영역으로 이루어진 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층의 채널영역에 대응하게 위치하는 게이트 전극을 형성하고, 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키기 위하여 상기 반도체층과 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 게이트 절연막을 형성하고, 상기 소스/드레인 영역과 전기적으로 각각 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하는 것을 포함하는 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.

SGS 결정화, 박막트랜지스터

Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示器。 包括沟道区的半导体层，所述沟道区包括第一金属催化剂结晶区和包括第一金属催化剂结晶区和第二金属催化剂结晶区的源极/漏极区; 栅电极，其对应于半导体层的沟道区而定位; 位于所述半导体层和所述栅电极之间以使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层; 以及源电极/漏电极，与栅电极电绝缘并通过接触层电连接到源/漏区。

公开(公告)号：KR101041141B1

公开(公告)日：2011-06-13

申请号：KR1020090018200

申请日：2009-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  조수범 ,  이동현 ,  이길원 ,  리사첸코,막심 ,  정윤모 ,  최보경 ,  박종력 ,  이기용

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/3265 ,  H01L2227/323

Abstract: 본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로써, 박막트랜지스터 영역 및 캐패시터 영역을 포함하는 기판: 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하며, 상기 박막트랜지스터 영역에 위치하는 금속촉매를 이용하여 결정화된 반도체층 패턴; 상기 반도체층 패턴을 포함하는 상기 기판 상에 위치하는 게이트 절연막: 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층 패턴의 일정 영역에 대응되는 영역에 위치하는 게이트 전극 및 캐패시터 영역에 위치하는 캐패시터 하부 전극; 상기 게이트 전극 및 캐패시터 하부 전극을 포함하는 상기 기판 상에 위치하는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층 패턴과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극 및 상기 캐패시터 하부전극에 대응되는 캐패시터 상부전극; 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 소오스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층을 포함하는 유기막층; 및 상기 유기막층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며, 상기 캐패시터 영역에 대응하여 위치하는 상기 버퍼층의 일정영역, 상기 게이트 절연막의 일정영역, 상기 층간 절연막의 일정영역, 상기 캐패시터 하부 전극, 및 상기 캐패시터 상부전극의 표면에는 상기 반도체층 패턴을 형성하는 결정립의 결정립계 및 시드의 형상과 일치하는 형상의 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
다결정 실리콘, 금속촉매 결정화 법

公开(公告)号：KR1020110057465A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020090113887

申请日：2009-11-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양태훈 ,  이기용 ,  서진욱 ,  박병건 ,  정윤모 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  백원봉 ,  소병수 ,  홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  마이단축이반 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3438

Abstract: PURPOSE: A sputtering device for depositing a metal catalyst is provided to improve the uniformity of metal catalyst of the extreme low density on a substrate by minimizing the deposition of metal catalyst discharged from a metal target in a pre-sputtering process. CONSTITUTION: A metal target(120) is located in a process chamber(110). A target transfer unit(130) includes a first shield(150) to control the progressing direction of a metal catalyst discharged from the metal target. A substrate holder(140) faces the metal target. The difference between the length of the first shield and the distance between the substrate and the metal target is 3 cm or less.

Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积金属催化剂的溅射装置，通过在预溅射过程中使从金属靶排出的金属催化剂的沉积最小化来改善金属催化剂在基板上的极低密度的均匀性。 构成：金属靶（120）位于处理室（110）中。 目标传送单元（130）包括用于控制从金属靶排出的金属催化剂的前进方向的第一屏蔽（150）。 衬底保持器（140）面向金属靶。 第一屏蔽的长度与基板与金属靶之间的距离之差为3cm以下。

公开(公告)号：KR1020110039920A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020090096978

申请日：2009-10-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양태훈 ,  이기용 ,  서진욱 ,  박병건 ,  정윤모 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  백원봉 ,  소병수 ,  홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  마이단축이반 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34

Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided to uniformly deposit metallic catalyst of very low density on a substrate by reducing the unevenness of a metallic catalyst which is deposited at the edge of the substrate. CONSTITUTION: In a sputtering apparatus, a metal target(120) is arranged in a reaction chamber. The area of the metal target is at least 1.3 times larger than that of the substrate mounted in a substrate holder. A substrate holder(130) is arranged to be faced with the metal target. A vacuum pump(140) is connected to the exhaust pipe of the reaction chamber. A first shield(160) controls the progressive direction of the metallic catalyst discharged from the metal target.

Abstract translation: 目的：提供一种溅射装置，通过减少沉积在基板边缘的金属催化剂的不均匀性，在基板上均匀沉积非常低密度的金属催化剂。 构成：在溅射装置中，金属靶（120）布置在反应室中。 金属靶的面积比安装在衬底保持器中的衬底的面积大至少1.3倍。 衬底保持器（130）布置成面对金属靶。 真空泵（140）连接到反应室的排气管。 第一屏蔽（160）控制从金属靶排出的金属催化剂的行进方向。

公开(公告)号：KR1020100099617A

公开(公告)日：2010-09-13

申请号：KR1020090018200

申请日：2009-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  조수범 ,  이동현 ,  이길원 ,  리사첸코,막심 ,  정윤모 ,  최보경 ,  박종력 ,  이기용

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/3265 ,  H01L2227/323

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a fabricating method of the same are provided to form a semiconductor layer including a polycrystalline silicon layer by crystallizing an amorphous silicon layer through a metallic catalyst. CONSTITUTION: A substrate(100) comprises an TFT area and a capacitor region. A buffer layer(110) is located on the substrate. The semiconductor pattern is crystallized by using metallic catalyst on the TFT area. A gate insulating layer(130) is located on the substrate including a semiconductor layer pattern. The gate electrode(140) corresponds to a certain area of the semiconductor pattern. A capacitor lower electrode(145) is located in the capacitor region. An inter-layer insulating film(150) is located on the substrate. A part of source / drain electrodes(160a,160b) is connected to the semiconductor layer pattern.

Abstract translation: 目的：提供有机发光显示装置及其制造方法，以通过金属催化剂使非晶硅层结晶而形成包括多晶硅层的半导体层。 构成：衬底（100）包括TFT区域和电容器区域。 缓冲层（110）位于基板上。 半导体图案通过在TFT区域上使用金属催化剂结晶。 栅极绝缘层（130）位于包括半导体层图案的衬底上。 栅电极（140）对应于半导体图案的特定区域。 电容器下电极（145）位于电容器区域中。 层间绝缘膜（150）位于基板上。 源极/漏极（160a，160b）的一部分连接到半导体层图案。

公开(公告)号：KR1020100020291A

公开(公告)日：2010-02-22

申请号：KR1020080079003

申请日：2008-08-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: F27D11/12 ,  F27B9/20 ,  F27B9/36 ,  F27D9/00 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/324

Abstract: PURPOSE: Inline thermal process equipment and a wafer thermal processing method using the same are provided to increase the crystallinity of polysilicon by rapidly heat-treating a substrate at a high temperature more than a strain point of substrate. CONSTITUTION: A rapid thermal anneal part comprises a rapid high temperature annealing unit(600), a heating source(610) and a second controller. The heating source is installed inside the rapid high temperature annealing unit. The second controller controls the temperature value of the heating source. The second controller controls the operation of the heating source in order to heat the substrate(10) with rapid annealing temperature value.

Abstract translation: 目的：提供在线热处理设备和使用其的晶片热处理方法，以通过在高于衬底的应变点的高温下快速热处理衬底来提高多晶硅的结晶度。 构成：快速热退火部件包括快速高温退火单元（600），加热源（610）和第二控制器。 加热源安装在快速高温退火单元的内部。 第二控制器控制加热源的温度值。 第二控制器控制加热源的操作，以便以快速退火温度值加热基板（10）。