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    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
    31.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102012107001A1

    公开(公告)日：2014-02-06

    申请号：DE102012107001

    申请日：2012-07-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  ZINI LORENZO ,  AHL JAN-PHILIPP ,  FREY ALEXANDER

    IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst zumindest die folgenden Schritte in der angegebenen Reihenfolge: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer Aufwachsseite (20), B) Abscheiden mindestens einer auf AlxGa1-xOyN1-y basierenden Nukleationsschicht (3) an der Aufwachsseite (20), C) Abscheiden und Strukturieren einer Maskierungsschicht (4), D) optionales Aufwachsen einer auf GaN basierenden Anwachsschicht (5) in nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen an der Nukleationsschicht (3), E) teilweises Entfernen der Nukleationsschicht (3) und/oder der Anwachsschicht (5) in nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen oder Aufbringen einer zweiten Maskierungsschicht (7) auf der Nukleationsschicht (3) oder auf der Anwachsschicht (5) in den nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen, und F) Aufwachsen einer auf AlInGaN basierenden Halbleiterschichtenfolge (6) mit mindestens einer aktiven Schicht (65).

    Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
    32.
    发明专利
    Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers 未知

    公开(公告)号：DE102017120302A1

    公开(公告)日：2019-03-07

    申请号：DE102017120302

    申请日：2017-09-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： DRAGO MASSIMO ,  FREY ALEXANDER ,  HERTKORN JOACHIM ,  KOSLOW INGRID

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

    Abstract: Halbleiterkörper (10) basierend auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (100), bei dem- der p-leitende Bereich (100) eine Barrierezone (110) und eine Kontaktzone (120) aufweist, wobei- die Barrierezone (110) eine erste Magnesiumkonzentration (M110) und eine erste Aluminiumkonzentration (A110) aufweist,- die Kontaktzone (120) eine zweite Magnesiumkonzentration (M120) und eine zweite Aluminiumkonzentration (A120) aufweist,- die erste Aluminiumkonzentration (A110) größer als die zweite Aluminiumkonzentration (A120) ist,- die erste Magnesiumkonzentration (M110) kleiner als die zweite Magnesiumkonzentration (M120) ist,- die Kontaktzone (120) eine nach außen freiliegende Fläche (10a) des Halbleiterkörpers (10) bildet, und- die Barrierezone (110) an die Kontaktzone (120) angrenzt.

    Optoelektronischer Halbleiterkörper und Leuchtdiode
    33.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterkörper und Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE102016111929A1

    公开(公告)日：2018-01-04

    申请号：DE102016111929

    申请日：2016-06-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERGBAUER WERNER ,  HERTKORN JOACHIM ,  WALTER ALEXANDER

    IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (10) angegeben, mit – einem aktiven Bereich (1) umfassend einen Quantentopf (1a), der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, – einem ersten Bereich (2), der dazu ausgebildet ist, den Durchtritt von Ladungsträgern aus dem aktiven Bereich (1) zu behindern, – einem zweiten Bereich (4), der dazu ausgebildet ist, den Durchtritt von Ladungsträgern aus dem aktiven Bereich (1) zu behindern, wobei – der Halbleiterkörper (10) auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert, – der erste Bereich (2) p-seitig direkt an den aktiven Bereich (1) grenzt.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement
    34.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015109786A1

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：DE102015109786

    申请日：2015-06-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KATZ SIMEON ,  GEHRKE KAI ,  DRAGO MASSIMO ,  HERTKORN JOACHIM

    IPC: H01L33/42

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: – Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1), aufweisend eine lichtemittierende und/oder -absorbierende aktive Zone (12) und eine der aktiven Zone (12) in einer senkrecht zu einer Haupterstreckungseben der Halbleiterschichtenfolge (1) verlaufenden Stapelrichtung (z) nachgeordnete Deckfläche (1a), – Aufbringen eines Schichtenstapels (2) auf die Deckfläche (1a), wobei der Schichtenstapel (2) eine Oxidschicht (20), die Indium enthält, und eine der Deckfläche (2a) in der Stapelrichtung (z) nachgeordnete Zwischenfläche (2a) umfasst, – Aufbringen einer Kontaktschicht (3), die mit Indiumzinnoxid gebildet ist, auf die Zwischenfläche (2a), wobei – der Schichtenstapel (2) im Rahmen der Herstellungstoleranzen frei von Zinn ist.

    Optoelektronisches Bauelement
    36.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102012217644A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE102012217644

    申请日：2012-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  AHL JAN-PHILIPP ,  ZINI LORENZO ,  PETER MATTHIAS ,  MEYER TOBIAS ,  FREY ALEXANDER

    IPC: H01L33/06 ,  H01L21/20 ,  H01L33/18

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats, zum Aufbringen einer Nukleationsschicht auf einer Oberfläche des Substrats, zum Aufbringen und Strukturieren einer Maskenschicht auf der Nukleationsschicht, zum Aufwachsen eines Nitridhalbleiters in einem ersten Wachstumsschritt, wobei Stege angelegt werden, die ein laterales Gitter bilden, wobei die Stege in Wachstumsrichtung abschnittsweise trapezförmige Querschnittsflächen aufweisen, und zum lateralen Überwachsen der Stege mit einem Nitridhalbleiter in einem zweiten Wachstumsschritt, um Freiräume zwischen den Stegen zu schließen.

    Halbleiterkörper
    40.
    发明专利
    Halbleiterkörper 未知

    公开(公告)号：DE112018001095B4

    公开(公告)日：2025-05-15

    申请号：DE112018001095

    申请日：2018-02-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  EICHFELDER MARCUS

    IPC: H10H20/816 ,  H10D62/85 ,  H10F77/124 ,  H10H20/811 ,  H10H20/815 ,  H10H20/825

    Abstract: Halbleiterkörper (10) mit:- einem p-dotierten Bereich (20),- einem aktiven Bereich (30),- einer Zwischenschicht (40), und- einem Schichtenstapel (41), der Indium enthält, wobei sich die Indium-Konzentration im Schichtenstapel (41) entlang einer Stapelrichtung (z) ändert, und der Schichtenstapel (41) abgesehen von Dotierstoffen mit genau einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial gebildet ist, wobei- die Zwischenschicht (40) nominell frei von Indium ist, zwischen dem Schichtenstapel (41) und dem aktiven Bereich (30) angeordnet ist und direkt an den Schichtenstapel (41) angrenzt,- die Zwischenschicht (40) und/oder der Schichtenstapel (41) zumindest stellenweise n-dotiert sind,- die Dotierstoffkonzentration des Schichtenstapels (41) wenigstens 5 * 10171/cm3und höchstens 2 * 10181/cm3beträgt, und- die Dotierstoffkonzentration der Zwischenschicht (40) wenigstens 2 * 10181/cm3und höchstens 3 * 10191/cm3beträgt.

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