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    VORRICHTUNG ZUM AUFSCHLÄMMEN EINER SUSPENSION UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER VORRICHTUNG
    34.
    发明专利
    VORRICHTUNG ZUM AUFSCHLÄMMEN EINER SUSPENSION UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER VORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102017129997B3

    公开(公告)日：2019-06-13

    申请号：DE102017129997

    申请日：2017-12-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： DIMMELMEIER HARALD ,  BARTHEL STEFAN ,  JEREBIC SIMON ,  BEER BENEDIKT ,  LAUX HARALD

    IPC: B01F25/64

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung (100) zum Aufschlämmen einer Suspension einen Mischbehälter (1) mit einer Einlassöffnung (10), über die die Suspension in den Mischbehälter eingebracht werden kann. Die Vorrichtung umfasst ferner ein Verteilerelement (2) mit einem Auffangbehälter (20) und einem an dem Auffangbehälter befestigten Auslassarm (21) sowie eine Welle (3) mit einer Längsachse. Die Welle und das Verteilerelement sind im Inneren des Mischbehälters angeordnet. Das Verteilerelement ist frei rotierbar um die Welle gelagert. Der Auffangbehälter umfasst eine Auffangöffnung (22), über die die Suspension von der Einlassöffnung in das Verteilerelement gelangen kann. Der Auslassarm umfasst eine Ausströmöffnung (23), über die die Suspension das Verteilerelement verlassen kann. Der Auslassarm ist so ausgebildet, dass die Suspension ausgehend vom Auffangbehälter über den Auslassarm und die Ausströmöffnung aus dem Verteilerelement ausströmen kann und ein solcher Strom der Suspension auf das Verteilerelement ein eine Rotation um die Welle unterstützendes Drehmoment bewirkt.

    Anordnung mit Träger und optoelektronischem Bauelement
    35.
    发明专利
    Anordnung mit Träger und optoelektronischem Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102016116298A1

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：DE102016116298

    申请日：2016-09-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEISEN DANIEL ,  PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON

    IPC: H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L33/52

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Träger (1), wobei auf dem Träger (1) ein optoelektronisches Bauelement (3) angeordnet ist, wobei ein Material (5) auf dem Träger (1) angeordnet ist, wobei der Träger (1) wenigstens ein Strukturelement (13, 14, 15) aufweist, das ein Fließen des Materials (5) in einer Fließrichtung (10) erschwert, wobei sich das Strukturelement (13, 14, 15) quer zu der Fließrichtung (10) erstreckt, wobei das Strukturelement (13, 14, 15) einen Verrundungsradius (19) in einer Ebene der Fließrichtung (10) aufweist, der kleiner als 20 µm ist.

    Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
    36.
    发明专利
    Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102014111483A1

    公开(公告)日：2016-02-18

    申请号：DE102014111483

    申请日：2014-08-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PINDL MARKUS ,  BRANDL MARTIN ,  JEREBIC SIMON

    IPC: H01L33/48 ,  H01L21/48 ,  H01L21/52 ,  H01L23/043 ,  H01L23/06

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Bei dem Verfahren wird ein Leiterrahmen bereitgestellt, und wird ein mit dem Leiterrahmen verbundener Gehäusekörper ausgebildet, welcher eine den Leiterrahmen an einer Vorderseite freistellende Ausnehmung aufweist. Des Weiteren wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip in der Ausnehmung des Gehäusekörpers auf dem Leiterrahmen angeordnet. In einer Ausgestaltung ist der Gehäusekörper ein pulverspritzgegossener keramischer Gehäusekörper. In einer weiteren Ausgestaltung ist der Gehäusekörper ein spritzgegossener Glasgehäusekörper. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement.

    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
    37.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102013112886A1

    公开(公告)日：2015-05-21

    申请号：DE102013112886

    申请日：2013-11-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  PINDL MARKUS ,  SINGER FRANK ,  JEREBIC SIMON

    IPC: H01L33/46 ,  H01L31/10 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Befestigen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (4) auf dem Hilfsträger, wobei die Halbleiterchips in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet sind; c) Ausbilden einer reflektierenden Schicht (6) zumindest in Bereichen (22) zwischen den Halbleiterchips; d) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (8), der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips angeordnet ist; e) Entfernen des Hilfsträgers; und f) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes Halbleiterbauelement zumindest einen Halbleiterchip, einen Teil der reflektierenden Schicht und einen Teil des Gehäusekörperverbunds als Gehäusekörper (82) aufweist. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (100) angegeben.

    Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
    40.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102010031945A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：DE102010031945

    申请日：2010-07-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GAERTNER CHRISTIAN DR ,  HEINEMANN ERIK ,  JEREBIC SIMON ,  MARKYTAN ALES DR

    IPC: H01L33/46

    Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, das zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) und einen Anschlussträger (5) mit einer Anschlussfläche (53), auf der der Halbleiterchip (2) angeordnet ist, aufweist. Auf dem Anschlussträger (5) ist eine Reflektorschicht (4) und eine Begrenzungsstruktur (3) ausgebildet ist, wobei die Begrenzungsstruktur (3) den Halbleiterchip (2) in lateraler Richtung zumindest bereichsweise umläuft und die Reflektorschicht (4) in lateraler Richtung zumindest bereichsweise zwischen einer Seitenfläche (21) des Halbleiterchips und der Begrenzungsstruktur (3) verläuft. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.

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