电路板及其制造方法
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103582295A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310322371.7

    申请日:2013-07-29

    Abstract: 本发明涉及一种电路板及其制造方法。电路板具有:芯绝缘层,其具有第一面和其相反侧的第二面;通孔导体,其形成于芯绝缘层;第一导体层,其形成于芯绝缘层的第一面上,包括通孔导体的第一连接盘;以及第一层叠部,其由形成于芯绝缘层的第一面上和第一导体层上的至少一组层间绝缘层和导体层以及形成于该层间绝缘层的通路导体构成,其中,通孔导体以及在第一连接盘上堆叠的第一层叠部的最下层的通路导体构成堆叠结构的至少一部分,在堆叠结构中,与第一连接盘相连接的通孔导体的第一端面的宽度大于第一层叠部的最下层的通路导体的底面的宽度且小于第一层叠部的最下层的通路导体的上端面的宽度。

    CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER (CMUT) WITH THROUGH-SUBSTRATE VIA (TSV) SUBSTRATE PLUG
    36.
    发明申请
    CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER (CMUT) WITH THROUGH-SUBSTRATE VIA (TSV) SUBSTRATE PLUG 审中-公开
    具有通过(TSV)基板插入的基板的电容式微机械超声波传感器(CMUT)

    公开(公告)号:WO2014134296A1

    公开(公告)日:2014-09-04

    申请号:PCT/US2014/018998

    申请日:2014-02-27

    Abstract: A capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) device 100 includes at least one CMUT cell 100a including a first substrate 101 of a single crystal material having a top side including a patterned dielectric layer thereon including a thick 106 and a thin 107 dielectric region, and a through- substrate via (TSV) 111 extending a full thickness of the first substrate. The TSV is formed of the single crystal material, is electrically isolated by isolation regions 131 in the single crystal material, and is positioned under a top side contact area 102a of the first substrate. A membrane layer 120b is bonded to the thick dielectric region and over the thin dielectric region to provide a movable membrane over a microelectromechanical system (MEMS) cavity 114. A metal layer 161 is over the top side substrate contact area and over the movable membrane including coupling of the top side substrate contact area to the movable membrane.

    Abstract translation: 电容微加工超声波换能器(CMUT)装置100包括至少一个CMUT单元100a,其包括单晶材料的第一基板101,其具有包括厚的106和薄的107电介质区域的图案化介电层的顶侧, 贯通衬底通孔(TSV)111延伸第一衬底的整个厚度。 TSV由单晶材料形成,通过单晶材料中的隔离区域131电隔离,并且位于第一基板的顶侧接触区域102a的下方。 膜层120b结合到厚的电介质区域和薄的电介质区域上,以在微机电系统(MEMS)空腔114上提供可移动的膜。金属层161在顶侧衬底接触区域之上并且在可移动膜上方包括 将顶侧基板接触区域耦合到可移动膜。

    配線基板およびこれを用いた実装構造体
    39.
    发明申请
    配線基板およびこれを用いた実装構造体 审中-公开
    接线板和安装结构

    公开(公告)号:WO2014157342A1

    公开(公告)日:2014-10-02

    申请号:PCT/JP2014/058548

    申请日:2014-03-26

    Abstract:  本発明の一形態における配線基板3は、厚み方向に貫通したビア孔Vを有する無機絶縁層13と、無機絶縁層13上に配された導電層11と、ビア孔Vの内壁Wに被着しているとともに導電層11に接続したビア導体12とを備え、無機絶縁層13は、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子16および無機絶縁粒子16同士の間隙17に配された樹脂部18を含む第1部分33と、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子16および無機絶縁粒子16同士の間隙17に配されたビア導体12の一部からなる導体部19を含むとともに第1部分33とビア導体12との間に介在した第2部分34とを有する。

    Abstract translation: 在本发明的一个方面中的布线基板(3)具有:具有在厚度方向上延伸穿过该孔的通孔(V)的无机绝缘层(13) 设置在无机绝缘层(13)上的导电层(11); 以及沉积在通孔(V)的内壁(W)上并连接到导电层(11)的通孔导体(12)。 无机绝缘层(13)具有:第一部分(33),其包括多个彼此连接的部分的无机绝缘颗粒(16)和设置在无机绝缘体(17)中的间隙(17)中的树脂部分(18) 颗粒(16); 以及第二部分(34),其包括导体部分(19),所述导体部分(19)包括多个彼此连接的部分的无机绝缘颗粒(16)和设置在间隙(17)中的通孔导体(12)的一部分 ),并且介于第一部分(33)和通孔导体(12)之间。

    多層配線基板の製造方法
    40.
    发明申请
    多層配線基板の製造方法 审中-公开
    制造多层布线基板的方法

    公开(公告)号:WO2015053084A1

    公开(公告)日:2015-04-16

    申请号:PCT/JP2014/075257

    申请日:2014-09-24

    Inventor: 吉田 信之

    Abstract:  コンフォーマル工法又はダイレクトレーザ工法を用いて、上層配線用の金属箔から内層配線に到るビアホール用穴を設ける工程(1)と、前記ビアホール用穴内に、電解フィルドめっき層を形成することによって、ビアホールを形成する工程(2)とを有し、前記工程(2)における、電解フィルドめっき層の形成が、電解フィルドめっきの電流密度を電解フィルドめっきの途中で一旦低下させた後に再び増加させる電流密度変化を、前記電解フィルドめっき層が前記ビアホール用穴の開口部を塞ぐ前に、2回以上繰り返して行われる多層配線基板の製造方法。

    Abstract translation: 一种多层布线基板的制造方法,其特征在于,具有:使用保形法或直接激光法从上层布线的金属箔向内层布线提供通孔的开口的工序(1) 以及通过在用于通孔的开口中形成电解填料镀层来形成通孔的工序(2)。 步骤(2)中的电解填料镀层的形成通过在电解填料电镀之前重复两次或更多次降低电解填料电镀期间电解填料电镀的电流密度,然后提高电流密度的操作 层闭合用于通孔的开口的开口部分。

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