公开(公告)号：KR1020080090559A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：KR1020087021299

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  이케다다로 ,  요코야마오사무 ,  마츠다츠카사 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: Provided is a technology of embedding a recessed section formed on the surface of a subject to be processed, such as a semiconductor wafer (W), especially a fine hole or a trench having a diameter or a width of 100nm or less, only by plasma sputtering, with a metal, especially copper. A film forming step of depositing a small quantity metal film in the recessed section and a diffusion step of moving the deposited metal film toward the bottom section of the recessed section are alternately performed plurality of times. In the film forming step, bias power to be applied to a placing table for supporting the wafer (W) is set so that on the surface of the wafer (W), the deposition rate of the metal deposition generated due to metal particle drawing is substantially balanced with the etching rate of sputter etching generated by plasma. In the diffusion step, the wafer (W) is maintained at a temperature which permits surface diffusion of the metal film deposited in the recessed section to be generated.

Abstract translation: 本发明提供一种将半导体晶片（W），特别是具有直径或宽度为100nm以下的细孔或沟槽的半导体晶片（W）的表面上形成的凹部嵌入仅通过等离子体 用金属，特别是铜溅射。 在凹部中沉积少量金属膜的成膜步骤和使沉积的金属膜向凹部的底部移动的扩散步骤交替进行多次。 在成膜步骤中，设置施加到用于支撑晶片（W）的放置台的偏置功率，使得在晶片（W）的表面上，由于金属粒子绘制而产生的金属沉积物的沉积速率为 基本上与由等离子体产生的溅射蚀刻的蚀刻速率平衡。 在扩散步骤中，晶片（W）保持在允许沉积在凹部中的金属膜的表面扩散以产生的温度。

公开(公告)号：KR1020070055603A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020077008713

申请日：2005-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체의 상면과, 이 상면에 개구된 오목부의 표면에 대해, 플라즈마 스퍼터링 기법에 의해 금속의 박막을 형성하기 위한 기술에 관한 것이다. 본 발명의 성막방법은 처리용기내에서 방전가스의 플라즈마에 의해 금속타겟을 스퍼터하여 금속이온을 발생시킴과 동시에, 피처리체의 상면에 있어서 금속이온의 인입에 의한 금속막의 퇴적과 방전가스의 플라즈마에 의한 스퍼터 에칭이 동시에 생기도록 바이어스 전력을 탑재대에 가하는 것에 의해 오목부의 측벽에 금속막을 형성하는 성막공정임을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020070051944A

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：KR1020077008812

申请日：2005-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C03C17/09 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: 플라즈마에 의해 금속타겟(56)을 이온화시켜서 금속이온을 발생시키고, 금속이온을 처리용기내의 탑재대(20)상에 탑재한 피처리체 S에 바이어스 전력에 의해 끌어당기고, 오목부(2)가 형성되어 있는 피처리체에 금속막(74)을 퇴적시켜서 오목부를 매립하는 방법이 개시된다. 피처리체 표면에 있어서, 금속이온의 끌어당김에 의한 금속퇴적 레이트와 플라즈마 스퍼터 에칭의 에칭 레이트가 대략 균형을 이루는 바와 같은 상태가 실현되도록, 바이어스 전력을 설정한다. 이것에 의해, 보이드 등의 결함을 생기게 하는 일 없이 피처리체의 오목부에 금속을 매립할 수 있다.

公开(公告)号：KR101662421B1

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：KR1020147028904

申请日：2013-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  미즈사와야스시

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4412 ,  B01D8/00 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  F15D1/0005 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32844 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 처리용기로부터의배기가스를흘려보내는배기통로의도중에개설되는하우징과, 상기하우징안에설치되고상기배기가스의흐름방향에대해서주 트랩면이평행하게되도록배치되며상기배기가스의흐름방향과직교하는방향으로서로소정의간격을두고설치된복수의트랩판을가지는트랩유닛을구비하며, 상기트랩유닛을, 상기배기가스의흐름방향을따라서복수개 마련하는것을특징으로하는트랩장치가제공된다.

公开(公告)号：KR101662369B1

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：KR1020130093526

申请日：2013-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  도시마히로유키 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02104 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 보이드등을발생시키지않고, 또한, 복잡한공정을거치거나배선간의리크전류의증대를수반하는일 없이, 일렉트로마이그레이션내성이높은 Cu 배선을얻을수 있는 Cu 배선의형성방법을제공한다. 트렌치를갖는웨이퍼 W의전면에배리어막을형성하는공정과, 배리어막위에 Ru막을형성하는공정과, Ru막위에 PVD에의해 Cu막을형성해서트렌치에 Cu막을매립하는공정과, Cu막위에, 부가층을형성하는공정과, CMP에의해전면을연마해서트렌치에 Cu 배선을형성하는공정과, 웨이퍼 W 전면에산화망간막으로이루어지는메탈캡을형성하는공정과, 메탈캡 위에유전체캡을형성하는공정을갖는다.

公开(公告)号：KR1020140128347A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：KR1020147023484

申请日：2013-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/02 ,  C23C16/16 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3105 ,  H01L23/532 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76879 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/16 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: SiCOH막으로 이루어지는 층간 절연막에 형성된 매립용의 오목부에 구리재를 매립하여 도전로를 형성함에 있어, 도전로의 저항을 낮게 하는 것이다.
SiCOH막(1)에 플라즈마에 의해 오목부를 형성할 때에 막으로부터 C가 이탈하여 손상층이 형성되지만, 이것을 불화수소산 등으로 제거하면 표면이 소수성으로 된다. 이 SiCOH막(1)에 대해서 붕소 화합물 가스, 실리콘 화합물 가스 혹은 트리메틸 알루미늄을 포함하는 가스를 공급함으로써, B, Si 혹은 Al을 SiCOH막(1)상에 흡착시킨다. 이들 원자가 Ru와 결합하므로 SiCOH막상으로의 Ru막(4)의 형성이 용이하게 된다. 그 다음에, 예를 들면, Ru
3 (CO)
12 가스와 CO 가스를 이용하여 CVD에 의해 Ru막(4)을 성막하고, 그 후 구리(5)를 매립하고, CMP 처리를 행하여 상층측의 배선 구조를 형성한다.

Abstract translation: 通过将铜材料嵌入由SiCOH膜制成的层间绝缘膜中形成的用于嵌入的凹槽中，导电路径的电阻在形成导电路径时降低。

公开(公告)号：KR101396624B1

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：KR1020097026131

申请日：2008-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 오목부(6)를 갖는 절연층(4)이 표면에 형성된 피처리체 W에 대하여 박막을 형성하는 성막 방법이 개시된다. 오목부 내의 표면을 포함하는 피처리체의 표면에 Ti 함유 배리어층(12)을 형성하는 배리어층 형성 공정과, 배리어층상에 Ru 함유 시드층(16)을 CVD에 의해 형성하는 시드층 형성 공정과, 시드층상에 Cu 함유 보조 시드층(164)을 스퍼터링에 의해 형성하는 보조 시드층 형성 공정을 순차적으로 실행한다. 이에 따라, 피처리체 전면에 걸쳐, 선폭 또는 홀 직경이 작은 오목부 혹은 어스펙트비가 높은 오목부에 대하여 충분한 패딩을 행하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR101372793B1

公开(公告)日：2014-03-14

申请号：KR1020087025052

申请日：2007-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  미즈사와야스시

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45574

Abstract: 본원에는 증착 시스템(1)에 있어서 기판(25)의 파티클 오염을 저감하기 위한 방법 및 시스템이 기술되어 있다. 증착 시스템 내에는 하나 이상의 파티클 디퓨저(47)가 배치되는데, 이 파티클 디퓨저는 막 전구체 파티클의 통과를 방지 혹은 부분적으로 방지하거나, 막 전구체 파티클을 파괴 혹은 부분적으로 파괴하도록 구성되어 있다. 파티클 디퓨저는 막 전구체 증발 시스템(50), 증기 이송 시스템(40), 혹은 증기 분배 시스템(30), 또는 이들 중 2곳 이상에 설치될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130095283A

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：KR1020137010785

申请日：2011-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  후쿠시마도시히코 ,  도시마히로유키 ,  가와마타마사야 ,  미즈사와야스시 ,  가토다카라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR101291917B1

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：KR1020087002231

申请日：2006-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다타로 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/321 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

Abstract: 본 발명은 처리 용기 내의 탑재대 상에, 표면에 오목부가 형성된 피처리체를 탑재하는 공정과, 처리 용기 내를 진공화하는 공정과, 진공화된 처리 용기내에서, 불활성 가스를 플라즈마화하여 형성된 플라즈마에 의해서, 금속 타겟을 이온화시켜 금속 이온을 포함하는 금속 입자를 발생시키는 공정과, 상기 탑재대 상에 탑재된 상기 피처리체에 바이어스 전력을 인가하여, 상기 플라즈마 및 상기 금속 입자를 그 피처리체에 인입함으로써, 상기 오목부의 바닥부를 깎아서 깎여진 오목부를 형성함과 아울러, 상기 오목부 및 상기 깎여진 오목부 내의 표면을 포함하는 상기 피처리체의 표면 전체에 금속막 성막하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 금속막의 성장 방법이다.