公开(公告)号：KR1020050065899A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097061

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김약연 ,  장문규 ,  신재헌 ,  이성재

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L31/108

CPC classification number: H01L29/47

Abstract: 본 발명은 SOI 기판을 이용한 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법으로, 종래의 불순물을 주입하여 소스 및 드래인 영역을 구성하는 방식의 전계효과 트랜지스터 대신에 소스 및 드레인을 실리콘과 금속의 반응 물질인 실리사이드로 대체하여 금속-반도체간에 형성되는 쇼트키 장벽을 이용하여 제작하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터를 제공한다.

公开(公告)号：KR100482914B1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：KR1020020071277

申请日：2002-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  송현우 ,  주영구 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 하부거울층, 하부거울층 상부에 위치하여 전류 및 열방출의 경로가 되는 열방출층, 열방출층 상부에 위치하여 공진하는 레이저빔이 광이득을 얻는 활성층, 활성층 상부에 위치하며 양 측면에 공기층 구경을 갖는 구경형성층, 구경형성층 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 상부거울층, 상부거울층, 구경형성층 및 활성층의 측면과 상기 열방출층의 상부에 위치하는 절연층 및 상부거울층의 상부에 위치하는 전극을 포함한다. 따라서 기계적으로 안정적이고 효과적인 전류유도를 할 수 있으며, 단일 횡모드 발진이 가능하고 구동전력이 적고 동작속도가 빠른 통신용 장파장 광원의 공급이 가능해지는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020040042694A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020071277

申请日：2002-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  송현우 ,  주영구 ,  김종희 ,  한원석 ,  권오균

IPC: H01S5/183

Abstract: PURPOSE: A vertical cavity surface emission layer structure provided with an air gap aperture and a method for manufacturing the same are provided to effectively induce the current by making the etching depth of the air gap aperture shallow. CONSTITUTION: A vertical cavity surface emission layer structure provided with an air gap aperture includes an air gap aperture provided with a substrate(100), a bottom mirror layer(102), a heat emission layer(104), an active layer(106), an aperture formation layer(108), a top mirror layer(110), an insulation layer(112) and an electrode(114). The heat emission layer(104) is positioned at the top of the bottom mirror layer(102) and is a role of the path of the current and the heat dissipation. The active layer(106) is positioned at the top of the heat emission layer(104) to obtain the optical gain of the laser. The aperture formation layer(108) is positioned on the top of the active layer and the top mirror layer(110) is formed on the top of the aperture formation layer(108), wherein the top mirror layer is formed by alternatively growing two layers. The insulation layer(112) is formed on the sides of the top mirror layer(110), the aperture formation layer(108) and the active layer(106) and the top of the heat emission layer(104). And, the electrode is formed on the top of the top mirror layer(110).

Abstract translation: 目的：提供具有气隙孔的垂直腔表面发射层结构及其制造方法，以通过使气隙孔的蚀刻深度变浅而有效地引起电流。 构造：设置有气隙孔的垂直腔表面发射层结构包括设置有衬底（100）的气隙孔，底镜层（102），发热层（104），有源层（106） ，孔形成层（108），顶镜层（110），绝缘层（112）和电极（114）。 发热层（104）位于底部镜层（102）的顶部，并且是电流和散热的路径的作用。 活性层（106）位于发热层（104）的顶部，以获得激光的光学增益。 孔径形成层（108）位于有源层的顶部上，顶部镜层（110）形成在孔形成层（108）的顶部上，其中顶部镜层是通过交替生长两层形成的 。 绝缘层（112）形成在顶镜层（110），孔形成层（108）和有源层（106）和发热层（104）的顶部的侧面上。 并且，电极形成在顶镜层（110）的顶部。

公开(公告)号：KR1020030094711A

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：KR1020020031972

申请日：2002-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한원석 ,  유병수 ,  권오균 ,  노정래 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/18

Abstract: PURPOSE: An anti-guide type surface emitting laser and a method for manufacturing the same are provided to realize a high power with a low current at a single mode since the output light is small in size and it scarcely diverges, thereby reducing the manufacturing cost thereof. CONSTITUTION: An anti-guide type surface emitting laser includes a lower Bragg mirror layer(102), a resonance layer(103), a beam width control layer(113) and an upper Bragg mirror layer(109). The beam width control layer(113) formed on top of the resonance layer(103) includes a first thin film(104) defining the central portion as a current injection region, a second thin film layer(105) for generating an effective refraction index difference between the peripheral portion and the central portion and a third thin film(107) formed between the first thin film(104) and the second thin film(105). The lower Bragg mirror layer(102) is formed on a semiconductor substrate and the resonance layer(103) is formed on top of the lower Bragg mirror layer(102). The upper Bragg mirror layer(109) formed on top of the beam width control layer(113) has a step at a boundary between the edge portion and the central portion by the second thin film(105).

Abstract translation: 目的：提供反导型表面发射激光器及其制造方法，由于输出光的尺寸小，几乎不发散，因此以单模的低电流实现高功率，从而降低制造成本 它们。 反导型表面发射激光器包括下布拉格镜层（102），谐振层（103），光束宽度控制层（113）和上布拉格镜层（109）。 形成在谐振层（103）的顶部的光束宽度控制层（113）包括限定中心部分作为电流注入区域的第一薄膜（104），用于产生有效折射率的第二薄膜层（105） 周边部分和中心部分之间的差异以及形成在第一薄膜（104）和第二薄膜（105）之间的第三薄膜（107）。 下半布拉格镜层（102）形成在半导体衬底上，共振层（103）形成在下布拉格镜层（102）的顶部。 形成在光束宽度控制层113的顶部的上部布拉格镜层109通过第二薄膜105在边缘部和中央部之间的边界处具有台阶。

公开(公告)号：KR100304369B1

公开(公告)日：2001-11-05

申请号：KR1019990052687

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  백종협

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본발명은 InP 반도체기판위에 InAlAs, InGaAs, InP 등의에피층이길러진구조물을매우안정적이고도부드럽게식각할수 있는새로운활성이온식각법(RIE: Reactive Ion Etching)에관한것이다. 본발명에서제시하는 RIE 식각법은적절한비율의 BCl, Cl, CH, H혼합플라즈마를발생시킨후 적절한진공도에서식각을진행하는것이다. 본발명의특징적작용효과는 100℃이하의낮은온도에서도깨끗한식각이가능하며그렇기때문에용융점이낮은기존의포토리지스트도마스크물질로사용할수 있다는사실이다. 또한마스크물질로서일반적으로많이사용되는실리콘질화물(SiNx)의경우에도 InAlAs 식각속도의약 1/9에불과하다. 본발명의또 다른장점은 InAlAs, InGaAs, InP 세가지물질시스템에있어서거의비슷한식각속도를준다는점과식각면이매우부드럽다는점이다. 이러한장점을가진본 발명은앞으로수요가확대되고있는광통신용광소자의제작에있어서필수적인공정으로사용되어질 것이다.

公开(公告)号：KR101978835B1

公开(公告)日：2019-05-15

申请号：KR1020120027365

申请日：2012-03-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정우석 ,  신재헌 ,  정승묵 ,  박장우 ,  김상희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR101221873B1

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：KR1020090026258

申请日：2009-03-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  신재헌 ,  김남제 ,  이철욱 ,  심은덕 ,  한상필 ,  백용순

IPC: H01S5/12

Abstract: 다중 분포귀환 레이저 소자를 제공한다. 이 레이저 소자는 제1 분포귀환 영역, 변조 영역 및 제2 분포귀환 영역의 기판 상에 배치된 활성층, 제1 분포귀환 영역의 활성층과 커플된 제1 회절격자, 제2 분포귀환 영역의 활성층과 커플된 제2 회절격자를 포함한다. 또한, 이 레이저 소자는 제1 회절 격자에 열을 공급하는 제1 마이크로 히터, 및 제2 회절 격자에 열을 공급하는 제2 마이크로 히터를 포함한다. 제1 마이크로 히터 및 제2 마이크로 히터는 서로 독립적으로 제어된다.

公开(公告)号：KR1020120132130A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：KR1020110050764

申请日：2011-05-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정승묵 ,  정우석 ,  신재헌 ,  홍찬화

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to increase productivity by forming an amorphous oxide semiconductor of an active layer with a low temperature deposition process at 300 degrees centigrade. CONSTITUTION: A gate electrode(170) is formed on a substrate(110). A gate insulation layer(120) is formed on the gate electrode. An active layer(160) is formed on the gate insulation layer. The active layer is made of the amorphous oxide semiconductor. The amorphous oxide semiconductor is doped with metal dielectric. A source electrode(130) and a drain electrode(150) are formed on both sides of the active layer.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以通过在300摄氏度的低温沉积工艺形成有源层的无定形氧化物半导体来提高生产率。 构成：在基板（110）上形成栅电极（170）。 栅极绝缘层（120）形成在栅电极上。 在栅极绝缘层上形成有源层（160）。 有源层由无定形氧化物半导体制成。 非晶氧化物半导体掺杂有金属电介质。 源极电极（130）和漏电极（150）形成在有源层的两侧。

公开(公告)号：KR101127153B1

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：KR1020090036470

申请日：2009-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경현 ,  김남제 ,  신재헌 ,  심은덕 ,  이철욱 ,  백용순 ,  한상필 ,  오광룡

IPC: H01S3/067

Abstract: 본 발명은 이중 모드 광섬유 레이저 모듈을 제공한다. 이 이중 모드 광섬유 레이저 모듈은 광섬유 레이저, 광섬유 레이저에 제1 인젝션 락킹을 제공하는 제1 인젝션 락킹부, 및 광섬유 레이저에 제2 인젝션 락킹을 제공하는 제2 인젝션 락킹부를 포함하되, 제1 인젝션 락킹부의 제1 파장과 상기 제2 인젝션 락킹부의 제2 파장은 서로 다르고, 제1 인젝션 라킹부 및 제2 인젝션 락킹부는 광섬유 레이저에서 이중 모드를 발진시킨다.
테라헤르츠 파, 인젝션 락킹, 주파수 도메인, 주파수 가변

公开(公告)号：KR100996644B1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：KR1020080024208

申请日：2008-03-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  황치선 ,  변춘원 ,  양신혁 ,  이정익 ,  조두희 ,  신재헌 ,  유민기 ,  윤성민 ,  정우석 ,  권오상 ,  박은숙 ,  추혜용

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 ZnO TFT의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 ZnO TFT의 제조방법은 최적의 공정 조건하에서 아연 전구체와 산소 전구체를 이용하여 원자층 증착법을 통해 이상적인 조성의 ZnO 반도체막을 형성하는 단계를 포함하며, 또한 원자층 증착법을 이용하여 플라즈마 발생을 포함하는 공정을 사용하지 않는 공정으로 일차 절연막을 형성함에 따라 소자의 성능, 특히 이동도와 신뢰성을 개선시킬 수 있다.
산화아연, 원자층 증착법, 반도체막, 일차 절연막