公开(公告)号：DE102007018837A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：DE102007018837

申请日：2007-04-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY ,  FISCHER HELMUT ,  WEININGER IRENE

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50

公开(公告)号：DE102005061797A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：DE102005061797

申请日：2005-12-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STREUBEL KLAUS ,  WIRTH RALPH ,  HAHN BERTHOLD ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  ALBRECHT TONY ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/42

Abstract: A luminescence diode chip has a semiconductor layer sequence suitable for generation of electromagnetic radiation, and at least one current barrier which is formed of semiconductor material of the epitaxial semiconductor layer sequence and of material of the current expansion layer and/or by a boundary surface between the semiconductor layer sequence and the current expansion layer. An independent claim is included for a method for fabricating a luminescence diode chip.

公开(公告)号：DE102004052686A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：DE102004052686

申请日：2004-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID WOLFGANG ,  REILL WOLFGANG ,  ALBRECHT TONY ,  STEEGMUELLER ULRICH

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/04 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187

Abstract: A semiconductor element comprises a curved mirror integrated into a monolithic semiconductor body (1). Preferably the curved mirror is a Bragg mirror and the semiconductor body is on a planar carrier (4). An independent claim is also included for a production process for the above.

公开(公告)号：DE50200364D1

公开(公告)日：2004-05-27

申请号：DE50200364

申请日：2002-02-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/183 ,  H01L33/00

公开(公告)号：DE10234976A1

公开(公告)日：2004-02-12

申请号：DE10234976

申请日：2002-07-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRELLER UDO ,  PLASS WERNER ,  JUNG CHRISTIAN ,  ALBRECHT TONY

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/183

Abstract: Surface emitting semiconductor laser chip comprises a semiconductor body (1) having a crystal structure with main directions (7), a radiation collision surface (4) and side surfaces (5) laterally delimiting the semiconductor body. At least one side surface is arranged at a slanted angle to the crystal main directions. An Independent claim is also included for a process for the production of the surface emitting semiconductor laser chip.

公开(公告)号：DE10108079A1

公开(公告)日：2002-09-12

申请号：DE10108079

申请日：2001-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/34 ,  H01S5/40 ,  H01S3/0941

Abstract: The laser device has at least one pumping radiation source for optically pumping a radiation-emitting quantum pot-type structure (11) provided by an edge-emitting semiconductor structure (30), containing at least one ring laser, both structures epitaxially applied to a common substrate (1). An Independent claim for a manufacturing method for a semiconductor laser device is also included.

公开(公告)号：DE10048443A1

公开(公告)日：2002-04-18

申请号：DE10048443

申请日：2000-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY ,  JACOB ULRICH ,  JANES STEFAN ,  HOFMANN JOSEF

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/183

公开(公告)号：DE102005061797B4

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102005061797

申请日：2005-12-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STREUBEL KLAUS DR ,  WIRTH RALPH DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  ALBRECHT TONY ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/42

Abstract: Lumineszenzdiodenchip, der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete epitaktische Halbleiterschichtenfolge (1), einen elektrischen Anschlusskörper (2), eine mit dem Anschlusskörper elektrisch leitend verbundene strahlungsdurchlässige Stromaufweitungsschicht (3) mit einem TCO, und mindestens eine Strombarriere (4) aufweist, die geeignet ist, die Erzeugung der Strahlung in einem vom Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern,wobei die Strombarriere durch eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und der Stromaufweitungsschicht (3) gebildet ist,wobei eine Außenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1), die durch eine Kontaktschicht (15) gebildet ist, in einem Teilbereich (150) aufgeraut ist mit einer Größe von Strukturelementen und mit einer Strukturtiefe von kleiner als 200 nm, sodass in dem Teilbereich (150) kein elektrisch leitfähiger Kontakt oder ein elektrisch leitfähiger Kontakt mit einer Leitfähigkeit von weniger als einem Zehntel der elektrischen Leitfähigkeit des Kontaktes in verbleibenden Bereichen der Stromaufweitungsschicht (3) und der Halbleiterschichtenfolge (1) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102014110470A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：DE102014110470

申请日：2014-07-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY ,  LAMFALUSI TAMAS ,  SCHULZ ROLAND ,  SINGER FRANK ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L25/075 ,  F21K99/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Beleuchtungsmodul (1) mit einem Montagekörper (3), der sich zwischen einer Rückseite (31) und einer der Rückseite gegenüberliegenden Vorderseite (30) erstreckt, und mit einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (2), die zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen sind, angegeben, wobei – der Montagekörper an der Rückseite eine Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, in denen die Halbleiterbauelemente angeordnet sind, – der Montagekörper für die in den Halbleiterbauelementen erzeugte Strahlung durchlässig ist und die Strahlung an der Vorderseite des Montagekörpers austritt, – auf der Rückseite des Montagekörpers eine Kontaktschicht (5) angeordnet ist, mit der die Halbleiterbauelemente über Verbindungsleitungen elektrisch leitend verbunden sind, und – auf der Rückseite des Montagekörpers eine Reflektorschicht (6) angeordnet ist, die zumindest die Ausnehmungen vollständig überdeckt.

公开(公告)号：DE102013102482A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：DE102013102482

申请日：2013-03-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMIDTKE KATHY ,  STOLL ION ,  ALBRECHT TONY ,  KLEIN MARKUS

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement umfassend einen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (20), die zur Emission von elektromagnetischer Primärstrahlung eingerichtet und auf dem Träger (10) angeordnet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (20) eine dem Träger (10) abgewandte Strahlungshauptseite (21) aufweist, eine Verbindungsschicht (30), die zumindest auf der Strahlungshauptseite (21) der Halbleiterschichtenfolge (20) direkt aufgebracht ist, ein Konversionselement (40), das zur Emission von elektromagnetischer Sekundärstrahlung eingerichtet und direkt auf der Verbindungsschicht (30) angeordnet ist, wobei das Konversionselement (40) als vorgefertigter Körper ausgeformt ist, wobei die Verbindungsschicht (30) zumindest einen anorganischen Füllstoff (31), eingebettet in einem Matrixmaterial (32), aufweist, wobei die Verbindungsschicht (30) mit einer Schichtdicke von kleiner oder gleich 2 µm ausgeformt ist, wobei der vorgefertigte Körper mittels der Verbindungsschicht (30) an der Halbleiterschichtenfolge (20) befestigt ist, wobei die Verbindungsschicht (30) derart eingerichtet ist, einen kurzwelligen Anteil der elektromagnetischen Primärstrahlung herauszufiltern.