公开(公告)号：KR101294009B1

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：KR1020120000560

申请日：2012-01-03

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 정상현 ,  김창환 ,  신현범 ,  강호관 ,  이재진 ,  고철기

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/042 ,  H01L33/22

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 광전자 소자의 활성층을 요철 또는 만곡형상으로 형성하여 활성층의 표면적을 증가시키고, 광 추출 효율 및 광 흡수 효율을 향상시키는 나노 그레이스케일 패턴의 활성층을 포함하는 광전자 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 도전성 기판 상에 형성된 반도체 층. 반도체 층 상에 형성되며, 상부가 요철 또는 만곡 구조으로 이루어진 n형 반도체 층, n형 반도체 층 상에 형성되며, 요철 또는 만곡 구조으로 이루어진 활성층 및 활성층 상에 형성된 p형 반도체 층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 본 발명에 따른 나노 그레이스케일 패턴의 활성층을 포함하는 광전자 소자 제조방법은 기판 상에 형성된 반도체 층의 상부에 n형 반도체 층을 형성하는 단계, n형 반도체 층의 상부에 레지스트(Resist)를 코팅하는 단계, 리소그래피(Lithography) 공정으로 레지스트를 요철 또는 만곡 구조로 패터닝하는 단계, 패터닝된 레지스트를 식각하여 n형 반도체 층에 요철 또는 만곡형상을 형성한 후, 버퍼 층을 형성하는 단계, 버퍼 층의 상부에 요철 또는 만곡 구조의 활성층을 형성하는 단계 및 활성층의 상부에 p형 반도체 층을 형성하여 나노 그레이스케일 패턴의 활성층을 포함하는 광전자 소자를 취득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020130053121A

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020110118674

申请日：2011-11-15

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  송근만 ,  신현범 ,  신찬수 ,  강호관 ,  고철기

IPC: H01L21/20 ,  B29C59/06 ,  H01L33/00

Abstract: PURPOSE: A method for growing a nitride semiconductor with high quality and a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device using the same are provided to reduce manufacturing costs by manufacturing a vertical LED without a surface texturing process. CONSTITUTION: A dielectric mask layer(20) is formed on a substrate(10) or a thin film. A polymer layer is formed on the dielectric mask layer. A pattern layer made of resins or metal organic precursors is formed on the polymer layer. The polymer layer is etched on the lower side of the pattern layer by a dry etching process. A pattern of the dielectric mask layer is formed to expose a part of the substrate or the thin film. The polymer layer and the pattern layer are removed from the upper side of the pattern of the dielectric mask layer. A nitride semiconductor layer(60) is laterally grown on the upper side of the partially exposed substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于生长具有高质量的氮化物半导体的方法和使用其的氮化物半导体发光器件的制造方法，以通过制造没有表面纹理化处理的垂直LED来降低制造成本。 构成：在基板（10）或薄膜上形成介电掩模层（20）。 在介电掩模层上形成聚合物层。 在聚合物层上形成由树脂或金属有机前体制成的图案层。 通过干式蚀刻工艺在聚合物层的下侧蚀刻聚合物层。 形成介电掩模层的图案以暴露基板或薄膜的一部分。 聚合物层和图案层从电介质掩模层的图案的上侧去除。 氮化物半导体层（60）在部分曝光的衬底的上侧横向生长。

公开(公告)号：KR1020130015091A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：KR1020110076919

申请日：2011-08-02

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김창환 ,  박형호 ,  강호관 ,  이종근 ,  고철기

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/2012

Abstract: PURPOSE: A micro-nano hybrid stamp using a micro patterned stamp for imprint lithography and a manufacturing method thereof are provided to remove an additional stamp by easily changing the linewidth, depth or shape of a multilevel pattern through the thermal process of a metal-organic precursor layer. CONSTITUTION: A substrate(105) for a stamp is made of polymer. A UV curable resin(106) is deposited or coated on the upper side of the substrate for the stamp. A micro-nano hybrid stamp(107) is obtained by forming a multilevel stamp on the upper side of the UV curable resin. A micro patterned stamp for imprint lithography is formed by thermally processing a metal-organic precursor layer buried in a pattern region. An engraved or embossed multilevel pattern(108) is formed by an imprint lithography process.

Abstract translation: 目的：提供使用用于压印光刻的微图案印模的微纳米混合印模及其制造方法，以通过容易地通过金属有机物的热过程改变多层图案的线宽，深度或形状来移除附加印模 前体层。 构成：用于印章的基板（105）由聚合物制成。 紫外线固化树脂（106）沉积或涂覆在用于印模的基板的上侧。 通过在UV固化树脂的上侧形成多层印模获得微纳米混合印模（107）。 用于压印光刻的微图案印模通过热处理掩埋在图案区域中的金属有机前体层形成。 通过压印光刻工艺形成雕刻或压花多层图案（108）。

公开(公告)号：KR1020130005353A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：KR1020110066691

申请日：2011-07-06

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 황선용 ,  박형호 ,  강호관 ,  이종근 ,  고철기

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/2012 ,  H01L21/0275

Abstract: PURPOSE: A patterning method using an imprint lithography and a multilayer thin film and a semiconductor device manufactured by the same are provided to reduce a patterning process by forming a pattern of a nanosize once. CONSTITUTION: A pattern is formed on the upper side of a substrate(102) for a mold. A sacrificial layer is deposited and coated on the upper side of a substrate. Resin for imprint is coated on the upper side of the sacrificial layer. A multistage pattern is formed on the upper side of the resin for the imprint. A metal layer(105) is deposited on the surface of the resin for imprint.

Abstract translation: 目的：提供使用压印光刻和多层薄膜的图案形成方法及其制造的半导体器件，以通过形成纳米尺寸图案来减少图案化过程一次。 构成：在用于模具的基板（102）的上侧形成图案。 牺牲层被沉积并涂覆在基板的上侧。 用于印记的树脂涂覆在牺牲层的上侧。 在用于印记的树脂的上侧形成多级图案。 金属层（105）沉积在用于印记的树脂的表面上。

公开(公告)号：KR101180894B1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：KR1020110008715

申请日：2011-01-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 정상현 ,  강호관 ,  이재진 ,  신현범

IPC: H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 전자 수용층과 전자 도너층의 계면 면적을 증가시켜 높은 에너지 변환효율을 가지는 유기 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 유기 태양전지는 양극; 상기 양극 상에 형성되고 상면에 규칙적인 패턴이 형성된 전자 수용층; 상기 전자 수용층 상에 형성된 전자 도너층; 및 상기 전자 도너층 상에 형성된 음극을 포함하고, 상기 패턴은 2개의 단으로 이루어지고 단면 형상이 T자인 복수의 기둥을 포함한다.

公开(公告)号：KR101105249B1

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：KR1020090111008

申请日：2009-11-17

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 유승환 ,  강호관 ,  박형호 ,  오일환 ,  신기수

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 패터닝된 그래핀을 원하는 위치에 전사할 수 있고, 그라파이트화 촉매의 식각에 따른 오염 문제가 없는 그래핀 패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성방법은 그라파이트(graphite)화 촉매로 이루어지고, 패터닝되어 있는 임프린트(imprint) 스탬프를 제조한 후, 임프린트 스탬프 상에 그래핀(graphene)을 형성하고, 임프린트 방법을 이용하여 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 기판 상에 전사한다.

公开(公告)号：KR101068176B1

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：KR1020100054210

申请日：2010-06-09

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송호영 ,  오일환 ,  강호관 ,  신기수

IPC: H01L29/866

CPC classification number: H01L29/866 ,  H01L25/167

Abstract: 본 발명은 발광 소자 패키지에 장착되는 제너 다이오드에 있어, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 제너 다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 제너 다이오드는 측면이 바닥면과 경사지게 형성되며 제1 도전형으로 도핑되어 있는 기판과, 기판의 바닥면에 형성되어 있는 하부 전극과, 기판의 상부에 형성되며 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑되어 있는 활성 영역과, 활성 영역 상에 형성되어 있는 상부 전극과, 기판의 측면과 상면에 형성되어 있는 절연막과, 절연막 상에 형성되되 상부 전극과 전기적으로 연결되지 않도록 형성되어 있는 반사막을 구비한다.

公开(公告)号：KR101068173B1

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：KR1020100001528

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박상혁 ,  김창주 ,  박용민 ,  신현범 ,  신흥수 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/306

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 윈도우층의 산화를 방지하고, 캡층 제조시 윈도우층이 식각되지 않는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 기판 상에 형성되며 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, 광전 변환셀 상에 형성되며 알루미늄을 포함한 화합물 반도체로 이루어진 제1 윈도우층(window layer)과, 제1 윈도우층 상에 형성되며 내산화성을 갖는 물질로 이루어진 제2 윈도우층과, 제2 윈도우층 상에 형성되는 캡층(cap layer)과, 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과 캡층 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다. 그리고 제2 윈도우층은 캡층과 서로 다른 식각 선택비(etch selectivity)를 갖는 물질로 이루어진다.

Abstract translation: 本发明涉及防止窗层氧化并且在盖层制造期间不蚀刻窗口层的太阳能电池。 根据本发明的太阳能电池包括：光电转换单元，形成在基板上并将光信号转换为电信号;第一窗口层，形成在光电转换单元上并由含有铝的化合物半导体制成; 第二窗口层，其形成在第一窗口层上并由具有抗氧化性的材料制成;盖层，其形成在第二窗口层上;下部电极，其形成在衬底的下部上; 设置有电极。 并且第二窗口层由与盖层具有不同蚀刻选择性的材料制成。

公开(公告)号：KR1020100044369A

公开(公告)日：2010-04-30

申请号：KR1020080103477

申请日：2008-10-22

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  강호관 ,  신현범 ,  김창주 ,  전영진

IPC: H01L31/054

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/054

Abstract: PURPOSE: A solar cell is provided to collect the every wavelength of sunlight in order to absorb the sunlight by arranging a photoelectric conversion layer which absorbs a long wavelength and a short wavelength on the front and the rear end of a light collecting unit. CONSTITUTION: A first photoelectric conversion layer(230) absorbs incident sunlight and converts the sunlight to electrical signal. A second photoelectric conversion layer(260) is arranged on the front end of the first photoelectric conversion layer. The second photoelectric conversion layer absorbs the sunlight and converts the sunlight to the electrical signal. A light collection unit(210) is arranged between the first photoelectric conversion layer and the second photoelectric conversion layer.

Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池，用于通过布置在聚光单元的前端和后端上吸收长波长和短波长的光电转换层来收集每一个波长的阳光以吸收太阳光。 构成：第一光电转换层（230）吸收入射的太阳光并将太阳光转换成电信号。 第二光电转换层（260）布置在第一光电转换层的前端。 第二光电转换层吸收太阳光并将太阳光转换成电信号。 第一光电转换层和第二光电转换层之间布置有光收集单元（210）。

公开(公告)号：KR101866298B1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：KR1020160184218

申请日：2016-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 강호관 ,  정상현 ,  김창주 ,  신현범 ,  김영조 ,  김강호 ,  박경호 ,  박원규

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/055 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/055 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

Abstract: 본발명은양면수광형태양전지의제조방법및 그에의한양면수광형태양전지에관한것으로서, 지지기판상부에제1태양전지셀을형성하는제1단계와, 상기제1태양전지셀상부에오믹접촉층을형성하는제2단계와, 상기오믹접촉층상부에제2태양전지셀을형성하는제3단계와, 상기지지기판을제거하는제4단계와, 상기지지기판을제거한후, 상기제1태양전지셀의전면에제1전극을형성하는제5단계와, 상기제1전극의형성후 메사에칭에의한상기오믹접촉층하부에제2전극을형성하는제6단계와, 상기제2태양전지셀의전면에제3전극을형성하는제7단계및 상기제3전극의형성후 메사에칭에의한상기오믹접촉층상부에제4전극을형성하는제8단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는양면수광형태양전지의제조방법및 그에의한양면수광형태양전지를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은기존의양면수광형태양전지의구조에서탈피하여, 전면과후면태양전지셀이상호대칭되게형성되도록하여전면과후면태양전지셀의효율차이가없어양면수광형태양전지의효율을개선시킨이점이있다.