公开(公告)号：DE112018005416T5

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：DE112018005416

申请日：2018-11-02

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  LI NING ,  LEE KO-TAO ,  SADANA DEVENDRA ,  YU ROY

IPC: A61B5/00

Abstract: Es werden technische Lösungen zum Realisieren einer Optogenetikbehandlung unter Verwendung einer Sonde und einer Sondensteuerung beschrieben. Eine Sondensteuerung steuert eine Sonde, das Verfahren durchzuführen, welches Emittieren einer Lichtwelle durch eine Lichtquelle der Sonde umfasst, wobei die Sonde in ein Gewebe einbettbar ist, um mit einer entsprechenden Chemikalie in einer oder mehreren Zellen in dem Gewebe zu interagieren. Das Verfahren umfasst ferner Aufnehmen einer Spektroskopie der Lichtwelle, die mit der entsprechenden Chemikalie interagiert, durch einen Sensor der Sonde. Das Verfahren umfasst ferner Senden der Spektroskopie an ein Analysesystem durch die Sonde. Das Verfahren umfasst ferner Empfangen angepasster Parameter für die Lichtquelle von dem Analysesystem durch die Sonde und Anpassen von Einstellungen der Lichtquelle gemäß den empfangenen angepassten Parametern durch eine Steuerung der Sonde, um eine andere Lichtwelle zum Interagieren mit der entsprechenden Chemikalie zu emittieren.

公开(公告)号：DE102016105377A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016105377

申请日：2016-03-22

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  GALLAGHER WILLIAM J ,  KELLOCK ANDREW JOHN ,  O'SULLIVAN EUGENE J ,  ROMANKIW LUBOMYR T ,  WANG NAIGANG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/08

Abstract: Eine magnetische Struktur auf einem Chip beinhaltet ein magnetisches Material, das Cobalt in einem Bereich von etwa 80 bis etwa 90 Atom-% (At.-%) auf Grundlage der Gesamtzahl von Atomen des magnetischen Materials, Wolfram in einem Bereich von etwa 4 bis etwa 9 At.-% auf Grundlage der Gesamtzahl von Atomen des magnetischen Materials, Phosphor in einem Bereich von etwa 7 bis etwa 15 At.-% auf Grundlage der Gesamtzahl von Atomen des magnetischen Materials und Palladium im Wesentlichen im gesamten magnetischen Material verteilt aufweist.

公开(公告)号：GB2498879A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：GB201305111

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: C25D3/54 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749

Abstract: Photovoltaic devices and methods for preparing a p-type semiconductor layer for the photovoltaic devices generally include electroplating a layer of gallium or a gallium alloy onto a conductive layer by contacting the conductive layer with a plating bath free of complexing agents including a gallium salt, methane sulfonic acid or sodium sulfate and an organic additive comprising at least one nitrogen atom and/or at least one sulfur atom, and a solvent; adjusting a pH of the solution to be less than 2.6 or greater than 12.6. The photovoltaic device includes an impurity in the p-type semiconductor layer selected from the group consisting of arsenic, antimony, bismuth, and mixtures thereof. Various photovoltaic precursor layers for forming CIS, CGS and CIGS p-type semiconductor structures can be formed by electroplating the gallium or gallium alloys in this manner. Also disclosed are processes for forming a thermal interface of gallium or a gallium alloy with the electroplating process.

公开(公告)号：DE102012216026A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：DE102012216026

申请日：2012-09-11

Applicant: IBM

Inventor： DELIGIANNI HARIKLIA ,  GUO LIAN ,  HOPSTAKEN MARINUS JOHANNES PETRUS ,  MASON MAURICE ,  ROMANKIW LUBOMYR T

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Photovoltaik-Dünnschichtzelle mit einer Eisendiffusionsbarriereschicht. Das Verfahren umfasst das Folgende: Bereitstellen eines Foliensubstrats, welches Eisen umfasst; Bilden einer Eisendiffusionsbarriereschicht auf dem Foliensubstrat, wobei die Eisendiffusionsbarriereschicht verhindert, dass das Eisen diffundiert; Bilden einer Elektrodenschicht auf der Eisendiffusionsbarriereschicht; und Bilden mindestens einer Lichtabsorptionsschicht auf der Elektrodenschicht. Es wird auch eine flexible Photovoltaik-Dünnschichtzelle bereitgestellt, welche das Folgende umfasst: ein Foliensubstrat, welches Eisen umfasst; eine Eisendiffusionsbarriereschicht, welche auf dem Foliensubstrat ausgebildet ist, um zu verhindern, dass das Eisen diffundiert; eine Elektrodenschicht, welche auf der Eisendiffusionsbarriereschicht ausgebildet ist; und mindestens eine Lichtabsorptionsschicht, welche auf der Elektrodenschicht ausgebildet ist.

公开(公告)号：AT445034T

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：AT03783387

申请日：2003-11-14

Applicant: IBM

Inventor： ECONOMIKOS LAERTIS ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  COTTE JOHN ,  GRABARZ HENRY ,  CHEN BOMY

IPC: C25D5/22 ,  C25D5/48 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

Abstract: A method and apparatus are described for performing both electroplating of a metal layer and planarization of the layer on a substrate. Electroplating and electroetching of metal (such as copper) are performed in a repeated sequence, followed by chemical-mechanical polishing. An electroplating solution, electroetching solution, and a non-abrasive slurry are dispensed on a polishing pad in the respective process steps. The substrate is held against the pad with a variable force in accordance with the process, so that the spacing between substrate and pad may be less during electroplating than during electroetching.

公开(公告)号：DE60300981D1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：DE60300981

申请日：2003-02-10

Applicant: ERICSSON TELEFON AB L M ,  IBM

Inventor： MEIXNER MICHAEL ,  BUCHWALTER PAIVIKKI ,  LUND LOUISE ,  DELIGIANNI HARIKLIA

IPC: B81B3/00 ,  H01H59/00

Abstract: The device has a base element and a switch element with auxiliary electrodes in the lateral direction. A voltage is applied to electrodes and the auxiliary electrodes to open switch contacts so the electrodes and auxiliary electrodes have first and second potentials, resulting in electrode and auxiliary electrode surface areas with positive and negative charge carriers in the lateral direction and equal charge carriers in the orthogonal direction. The device has a base element and a switch element with auxiliary electrodes (EG,ES) in the lateral direction to which a voltage can be applied. The voltage is applied to electrodes (HG,HS) and the auxiliary electrodes to open switch contacts so the electrodes have a first potential (U1) and the auxiliary electrodes a second potential (U2), resulting in surface areas on the electrodes and auxiliary electrodes with positive and negative charge carriers in the lateral direction and with equal charge carriers in the orthogonal direction. AN Independent claim is also included for the following: a portable terminal with an inventive device.

公开(公告)号：AU2003290804A1

公开(公告)日：2004-06-15

申请号：AU2003290804

申请日：2003-11-14

Applicant: IBM

Inventor： ECONOMIKOS LAERTIS ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  COTTE JOHN M ,  GRABARZ HENRY J ,  CHEN BOMY

IPC: C25D5/48 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  C25D5/22 ,  C25D17/00

Abstract: A method and apparatus are described for performing both electroplating of a metal layer and planarization of the layer on a substrate. Electroplating and electroetching of metal (such as copper) are performed in a repeated sequence, followed by chemical-mechanical polishing. An electroplating solution, electroetching solution, and a non-abrasive slurry are dispensed on a polishing pad in the respective process steps. The substrate is held against the pad with a variable force in accordance with the process, so that the spacing between substrate and pad may be less during electroplating than during electroetching.