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公开(公告)号：KR101762921B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明稠合形式阳光涉及一种发电的方法和系统，所述方法包括：计算一个太阳能黄道调整根据太阳能跟踪方法的太阳能电池板，集中构成太阳能面板上的一个或更多个单元模块的太阳光 使用安装在单元模块上的温度传感器测量温度分布，并且根据测量的温度分布结果校正一个或多个单元模块。
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公开(公告)号：KR101758306B1
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020150055383
申请日：2015-04-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은제1TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제1볼로미터; 및상기제1볼로미터와상이한제TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제2볼로미터를포함하는것을특징으로하는볼로미터어레이시스템을제공한다. 본발명에의하면, 볼로밑터가측정한현재온도의오차를줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170080968A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：KR1020150191134
申请日：2015-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은마이크로히터의제조방법및 이에의해제조된마이크로히터에관한것으로서, 기판상에멤브레인을형성할물질을증착하고, 이를패터닝하여캐버티형(cavity type) 멤브레인을형성하는제1단계와, 상기멤브레인상에전극을형성할물질을증착하고, 이를패터닝하여전극패턴을형성하는제2단계와, 상기전극패턴을패터닝하여상기전극패턴에상기멤브레인의캐버티와연통하는상부벤트홀(top vent-hole)을형성하는제3단계및 상기기판의뒷면을패터닝하여에칭하여상기상부벤트홀과연통하는하부벤트홀(bottom vent-hole)을형성하는제4단계를포함하여이루어진것을특징으로하는벤트홀이형성된마이크로히터의제조방법및 이에의해제조된마이크로히터를기술적요지로한다. 이에의해마이크로히터의탑(top) 부분에상부벤트홀(top vent-hole)을형성하여온도변화에따른캐버티(cavity) 내부의절대압력변화에의한구조적안정성을향상시키고, 상부벤트홀을멤브레인이아닌전극이나금속요소에형성함으로써, 멤브레인에작용하는물리적인스트레스를최소화하여온도및 압력이급격하게변하는환경등에서도널리활용할수 있는마이크로히터를제공하는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101749511B1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：KR1020160041683
申请日：2016-04-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: A61B5/0478 , A61B5/04 , A61B5/00
CPC classification number: A61B5/00 , A61B5/04 , A61B5/0478 , A61B5/0006 , A61B5/04004 , A61B2562/166
Abstract: 박막형유연기재; 상기박막형유연기재상에형성된전도성물질, 접지전극, 기록전극및 상호접속패드; 제1 커넥터또는제1 무선통신모듈; 및제1 PCB 기판을포함하며, 상기접지전극과상기기록전극은상기전도성물질을통해상기상호접속패드에연결되고, 상기상호접속패드는상기제1 PCB 기판의일면에고정되어상기제1 커넥터또는제1 무선통신모듈과연결되는, EEG 측정용다채널미세전극이제공된다. 본발명에따르면, 마이크로미터수준두께의박막형유연기재로만들어진미세전극을탈착의염려없이커넥터에연결할수 있어, 피검체의움직임에구애받지않고안정적으로 EEG를측정할수 있다.
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公开(公告)号：KR101673971B1
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020150001431
申请日：2015-01-06
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는도즈보다낮고임계경화되는도즈보다높은도즈로광경화를수행하는메타-광경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-광경화임프린팅공정과완전경화포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법을기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의도즈에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160110742A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150033954
申请日：2015-03-11
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: B82B3/0019 , B82B1/001 , B82B3/0014 , H01L21/02601 , H01L21/0274
Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构，本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构，其中该方法包括：第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤，暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔（c），宽度（a）和高度（b）的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤，用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔（e），（f）和尺寸（d）的金属氧化物纳米颗粒结构，所述区间（c），宽度（a）和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此，通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案，以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构， 本发明提供了制造微图案的有利方法，其中可以容易地控制纳米颗粒的位置，尺寸和排列间隔。
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67.发明公开
公开(公告)号：KR1020160024062A
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：KR1020140109707
申请日：2014-08-22
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은마이크로유체채널에관한것으로서, 마이크로유체채널의제조방법에있어서, 기판상에패터닝에의한채널부와밸브부를형성하는제1단계와, 상기기판전면에산화막층을형성하여상기채널부는실링시키고, 상기밸브부는오픈시켜상기채널부내부는친수성영역이확보되도록하는제2단계와, 상기기판전면을표면처리하여상기밸브부내부는소수성영역이확보되도록하는제3단계와, 상기기판전면에폴리머코팅하여상기밸브부를실링하고상기채널부및 밸브부를본딩하는제4단계와, 상기기판에마이크로유체채널분리를위한패턴을형성하는제5단계와, 상기기판상에서마이크로유체채널을분리하는제6단계를포함하여이루어진것을특징으로하는친수성및 소수성영역이선택적으로구현된마이크로유체채널의제조방법및 이에의해제조된마이크로유체채널을그 기슬적요지로한다. 이에의해선택적으로표면화학적성질(surface chemistry)을용이하게변경할수 있어, 복잡한공정설계가필요없어제 비용의절감및 수율을상승시키고, 친수성및 소수성영역에대한재현성이우수하여고집적도의정밀한유체의흐름을제어할수 있어신뢰성있는마이크로유체채널을제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 微流体通道及其制造方法技术领域本发明涉及微流体通道及其制造方法。 更具体地，本发明涉及一种具有选择性形成的亲水和疏水区域的微流体通道的制造方法，其包括：通过图案化在基底上形成通道和阀的第一步骤; 在衬底的整个表面上形成氧化膜层并在打开阀门的同时密封通道以将通道内的亲水区域固定的第二步骤; 表面处理基板的整个表面以将阀内的疏水区域固定的第三步骤; 在基板的整个表面上涂覆聚合物的第四步骤，密封阀并粘合通道和阀; 形成用于分离衬底上的微流体通道的图案的第五步骤; 以及分离基板上的微流体通道的第六步骤和通过该方法制造的微流体通道。 根据本发明，有利地，该方法易于选择性地改变表面化学，因此不需要设计复杂的工艺来降低成分成本并提高产量，由于亲水和疏水区域的高再现性而控制流体的高集成精确流动，并且 从而提供可靠的微流体通道。
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68.发明公开전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법 및 이에 의해 제조된 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 이용한 트랜지스터 有权使用自控MOS2单层的电镀方法和晶体管自控MOS2单层的合成方法
公开(公告)号：KR1020150078876A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130168674
申请日：2013-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은단일층이황화몰리브덴합성방법에관한것으로서, 전기도금공정을이용하여음극에자기제어이황화몰리브덴(MoS) 단일층(self controlled MoSsingle layer)을증착시키는제1단계와, 상기자기제어이황화몰리브덴단일층의증착후 상기자기제어이황화몰리브덴단일층을결정화하는제2단계를포함하여구성된것을특징으로하는전기도금공정을이용한자기제어이황화몰리브덴단일층의합성방법및 이에의해제조된자기제어이황화몰리브덴단일층을이용한트랜지스터를기술적요지로한다. 이에의해기존의단일층(single layer) 형성방법이아닌전기도금공정에의해자기제어방식으로이황화몰리브덴단일층이합성되도록하여, 저비용으로이황화몰리브덴단일층을용이하게구현할수 있으며, 균일도가개선되어대면적, 고품질의이황화몰리브덴단일층을제공할수 있으며, 트랜지스터재료에적용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及合成自控MoS2单层的方法。 该方法包括通过使用电镀工艺在阴极上沉积自我控制的MoS2单层的第一步骤; 以及在自控MoS2单层沉积之后使自我控制的MoS2单层结晶的第二步骤。 本发明的技术要点是通过使用电镀工艺合成自控MoS2单层的方法和使用由其制造的自我控制的MoS2单层的晶体管。 因此，MoS2单层通过电镀工艺的自控方法而不是现有的单层形成方法合成，因此容易以低成本形成MoS2单层，大而高质量的MoS2单层为 具有改进的等同性，并且MoS2单层能够应用于晶体管材料。
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公开(公告)号：KR1020150077843A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166728
申请日：2013-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L23/48 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/308 , H01L21/4867 , H01L21/76877
Abstract: 본발명은비아홀 콘택형성을위한비아홀 제조방법및 이에의해제조된비아홀이형성된반도체소자에관한것으로서, 특히반도체소자의비아홀 제조방법에있어서, 기판을준비하는제1단계와, 상기기판의상면및 하면각각에비아홀 형성을위한패턴을형성하는제2단계와, 상기기판의상측과하측에서식각공정을수행하여, 상기패턴에대응되는기판의상면과하면이관통하는비아홀을형성하는제3단계와, 상기비아홀에전도성페이스트를충진하여비아홀 콘택을형성하는제4단계를포함하여이루어진것을특징으로하는비아홀 콘택형성을위한비아홀 제조방법및 이에의한비아홀이형성된반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해비아홀에전도성페이스트를충진하는방법으로비아홀 콘택을형성함으로써, 전도성페이스트와기판사이의우수한접착력을얻을수 있어, 비아홀에서발생하는노이즈를줄여전기적접속및 반도체소자의테스트시오류를최소화하는비아홀의신뢰성을향상시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造用于形成通孔接触的通孔的方法和由其制造的具有通孔的半导体器件。 特别是在制造半导体装置的通孔的方法中，本发明公开了一种用于形成通孔接触的通孔的制造方法和由此制造的具有通孔的半导体装置。 该方法包括：制备衬底的第一步骤; 在基板的上表面和下表面上分别形成用于形成通孔的图案的第二步骤; 在基板的上侧和下侧进行蚀刻处理以形成穿过与图案对应的基板的上表面和下表面的通孔的第三步骤; 以及通过用导电浆填充通孔来形成通孔接触的第四步骤。 因此，本发明可以通过用导电膏填充通孔的方法形成通孔接触来获得导电糊和基片之间的极好的粘合性，并且通过减少产生的噪声来最小化测试电连接和半导体器件的误差 在通孔中，从而提高通孔的可靠性。
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公开(公告)号：KR1020150074321A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020130161950
申请日：2013-12-24
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 본발명에따르면, 기판상에반도체층을형성하는반도체층형성단계; 레이저리프트오프공정을통해제1유연필름으로상기반도체층을전사하는제1전사단계; 및상기제1유연필름으로부터상기반도체층을제2유연필름으로전사하는제2전사단계;를포함하는것을특징으로하는레이저리프트오프공정과이중전사를이용한반도체소자의제조방법을제공한다. 상기구성에의한본 발명은, 반도체층을성장시킬때 드러났던표면이외부에노출되도록반도체층을분리할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用激光剥离工艺和双重转移制造半导体元件的方法，包括：在衬底上形成半导体层的步骤; 通过激光剥离工艺将半导体层转移到第一柔性膜的第一转移步骤; 以及将半导体层从第一柔性膜转移到第二柔性膜的第二转移步骤。 根据该结构，本发明可以使半导体层分离，使得在暴露于外部的半导体层生长时具有已经看到的表面。
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