Abstract:
The purpose of the present invention is to improve the temperature control performance of a temperature control solution when the temperature control solution is supplied onto the second surface of a substrate and a process solution is supplied to the first surface of the substrate in order to process the substrate. A substrate processing apparatus comprises a substrate maintaining part (10), a process solution nozzle (44) which supplies a process solution onto the first surface of a substrate (W) having a pattern, and a temperature control solution nozzle (54A) which supplies a temperature control solution as a mixed solution which includes DI water and an organic solvent which is well mixed with the DI water and has lower surface tension compared to that of the DI water, onto the second surface facing the first surface of the substrate.
Abstract:
The purpose of the present invention is to provide a high-pressure container which can form a process space having high cleanliness. A high-pressure container for performing a process using high pressure fluid on a substrate forms a hollow part by processing one surface except the widest surface of a flat rectangular parallelepiped block (5) made of metal. A container body is formed by forming a rare metal plating (7) on the inner wall surface facing the hollow part. When the hollow part functions as a through hole, a cover for opening/closing the hollow part is installed on one surface of the through hole. A second block for sealing the hollow part is installed on the other surface.
Abstract:
The purpose of the present invention is to provide a substrate processing method etc. capable of suppressing the volatilization of a fluorine-containing organic solvent for dry prevention until a substrate is carried into a processing container, and the decomposition of the fluorine-containing organic solvent within the processing container. A substrate (W) in which the surface is covered by a first fluorine-containing organic solvent is carried into a processing container (31). A high pressure fluid made of a second fluorine-containing organic solvent in which the boiling point is lower than the first fluorine-containing organic solvent is provided to the processing container (31). A high pressure fluid condition of a compound of the first and second fluorine-containing organic solvents is formed within the processing container (31). The first fluorine-containing organic solvent which covers the surface of the substrate is removed. A dried substrate (W) is obtained by discharging the fluid within the processing container (31) as the state of the high pressure fluid or gas. [Reference numerals] (321) Feeding unit; (5) Control unit
Abstract:
유체 가열기(20)는, 가열 대상의 유체가 흐르는 유로관(26)과, 유로관(26)을 가열하는 가열부(23)를 구비하고 있다. 유로관(26)의 내부에는, 하나 또는 복수의 충전재(30)가 마련되어 있다. 기판 처리 장치(60)는, 휘발성을 갖는 유기 용제의 액체를 공급하는 공급원(92)과, 공급원(92)에 의해 공급되는 유기 용제의 액체를 가열하여 유기 용제의 증기를 생성하는 상술한 유체 가열기(20)와, 기판(W)을 수용하고, 이 수용된 기판(W)의 건조를 행하는 챔버(65)이며, 유체 가열기(20)에 의해 생성된 유기 용제의 증기가 공급되는 챔버(65)를 구비하고 있다.
Abstract:
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 세정, 건조시키기 위한 기판 처리 장치는 저류된 순수에 기판을 침지시켜 처리하는 액 처리부와, 액 처리부의 위쪽에 마련되어 기판을 건조시키는 건조 처리부와, 액 처리부와 건조 처리부 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치와, 순수의 수증기 또는 미스트와 휘발성 유기 용제의 증기 또는 미스트로 이루어진 혼합 유체를 상기 건조 처리부에 공급하는 유체 공급 기구와, 혼합 유체의 공급을 제어하는 제어부를 포함한다.
Abstract:
액 처리 장치는 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸며, 기판과 함께 회전 가능한 회전 컵과, 회전 컵 및 기판 유지부를 일체적으로 회전시키는 회전 기구와, 적어도 기판의 표면에 처리액을 공급하는 액 공급 기구와, 회전 컵으로부터 외부로 배기 및 배액하는 배기·배액부와, 표면이 기판 표면과 대략 연속하도록 기판의 외측에 설치되고, 기판 유지부 및 회전 컵과 함께 회전하며, 기판 표면에 공급되어 기판으로부터 털어진 처리액을 그 표면을 통해 회전 컵으로부터 배기·배액부에 안내하는 안내 부재를 구비한다.
Abstract:
본 발명의 액 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 기판과 함께 회전 가능한 회전 컵과, 회전 컵 및 기판 유지부를 일체적으로 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 액 공급 기구와, 회전 컵의 배기 및 배액을 행하는 배기·배액부를 포함한다. 배기·배액부는 주로 기판으로부터 털어진 처리액을 받아들여 배액하는 환형을 이루는 배액 컵과, 배액 컵의 외측을 둘러싸도록 설치되며, 회전 컵 및 그 주위로부터의 주로 기체 성분을 받아들여 배기하는 배기 컵을 포함하며, 배액 컵으로부터의 배액과 배기 컵으로부터의 배기를 독립적으로 실행한다.
Abstract:
PURPOSE: A supercritical processing apparatus, a substrate processing system, and a supercritical processing method are provided to improve throughput by rapidly raise the temperature of a processing fluid without on and off state of a heating unit. CONSTITUTION: A carrier(C) in which a plurality of wafers(W) is loaded is arranged on a carrier loading part(11). A transferring part(12) pulls a wafer from the carrier, and a conveying part(13) conveys the wafer into a liquid processing system. In the liquid processing system, the wafer is successively transferred through a liquid processing machine(2) and a supercritical processing apparatus(3).
Abstract:
현상처리시에 현상액과 현상액보다 비중이 작은 용액이 교반되어 이루어지는 혼합액을 기판의 표면에 공급하여 일정시간 동안 방치한다. 혼합액이 하층은 현상액, 상층은 용액인 2층으로 분리된 뒤에, 현상이 기판의 표면 전체에서 일괄적으로 이루어진다. 이렇게 함으로써 기판 표면 내에서 현상시작의 시간 차이가 발생하지 않고 균일하게 현상할 수 있어 기판 표면 내의 레지스트 패턴막의 선폭 균일성을 향상시킬 수 있다.