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公开(公告)号：KR101073485B1
公开(公告)日：2011-10-17
申请号：KR1020090022927
申请日：2009-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L2224/11472 , H01L2224/11906 , H01L2224/131 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은인쇄회로기판또는실리콘웨이퍼등과같은기판에형성되는무연솔더범프의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로기판에형성된구리포스트의전면을캡핑할수 있도록솔더를형성함으로써기계적신뢰성을향상시킬수 있는무연솔더범프의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 目的：提高机械可靠性的自由铅焊料凸块的制造方法是在基板上形成形成铜柱的前侧的焊料为封盖。 关于剪切应力的阻力增加。 构成：在基板（1）上形成铜线（2）。 光致抗蚀剂层（3）形成在铜线上。 根据光致抗蚀剂层的图案，铜柱（5）形成在铜线上。 形成光致抗蚀剂层（4）以具有与铜柱的底部的直径相同直径的图案。 焊料（10）被形成为使得铜柱的上部的正面被盖住。
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公开(公告)号：KR1020110097223A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016955
申请日：2010-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 음극전기도금 방법을 사용하여 알루미늄 박막 상에 고유전체층을 형성한 후, 양극산화 과정을 수행하여 알루미늄 상에 순차적으로 산화 알루미늄(Al
2 O
3 )층, Al-M(금속기) 산화물층 및 고유전체층을 균일한 두께로 형성할 수 있는 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법을 제공함으로써, 알루미늄 전해 콘덴서의 수명을 향상시키며, 정전용량, 내전압 및 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 자동차 분야의 전자화, 디지털 가전 분야, 반도체 공정분야 등에 사용되어 고용량 커패시터를 실현할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100987106B1
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：KR1020080072338
申请日：2008-07-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 멀티레이어 기판을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 재료의 제한 없이 멀티레이어 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 중간층 형성을 통한 선택적 도금을 이용한 멀티레이어 기판 제조방법은, 기재의 표면에 금속층을 형성하는 1단계; 상기 금속층의 표면에 제1보호피막 패턴을 형성하는 2단계; 상기 금속층을 상기 제1보호피막 패턴에 의해 선택적으로 양극산화시킨 뒤에 상기 제1보호피막을 제거하는 3단계; 상기 3단계에서 제1보호피막을 제거한 표면에 중간층을 형성하는 4단계; 상기 중간층의 표면에 제2보호피막 패턴을 형성하는 5단계; 상기 중간층을 상기 제2보호피막 패턴에 의해 선택적으로 에칭하는 6단계; 및 상기 제2보호피막을 제거하고 에칭 뒤에 남은 중간층에 도금을 실시하는 7단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 도금이 쉬운 중간층을 형성하여 선택적 도금방법으로 도금층을 형성함으로써, 간단한 공정으로 멀티레이어 기판을 제조할 수 있으며, 도금이 어려운 재료를 이용하여 멀티레이어 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.
멀티레이어 기판, 양극산화, 알루미늄, 중간층-
公开(公告)号：KR100949177B1
公开(公告)日：2010-03-23
申请号：KR1020080041159
申请日：2008-05-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 구리산화물 나노벨트를 이용한 의사커패시터 전극제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 의사(pseudo) 커패시터 전극제조방법은, 구리호일(foil)을 준비하는 단계와; 상기 구리호일의 표면을 100℃ 이하의 저온에서 산화용액에 접촉시켜, 상기 구리호일의 표면에 구리산화물 나노벨트(nano-belt)를 성장시키는 단계와; 상기 구리산화물 나노벨트가 성장된 상기 구리호일을 커패시터의 전극으로 이용하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 저렴하면서도 제조공정이 간단하고, 표면적을 극대화하여 고출력의 에너지를 공급할 수 있으며, 충전/방전시간 및 그 수명에 있어서도 월등히 우수한 값을 가지는 의사커패시터 제조가 가능한 효과가 있다.
구리산화물, 나노벨트, 의사커패시터-
公开(公告)号：KR100939273B1
公开(公告)日：2010-01-29
申请号：KR1020080029778
申请日：2008-03-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 반도체 패키징 또는 디스플레이 분야 등에 이용되는 멀티레이어에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 간단한 공정 내지 적은 비용으로 멀티레이어를 제조할 수 있는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 멀티레이어 제조방법은, 기판의 표면에 제1금속층을 형성하는 제1단계; 상기 제1금속층을 부분적으로 양극산화시킴으로써 제1부분산화영역 및 제1금속배선을 가지는 제1회로를 형성하는 제2단계; 상기 제1금속층 및 제1부분산화영역을 전면적으로 양극산화시킴으로써 층간절연층을 형성하는 제3단계; 상기 층간절연층을 부분적으로 에칭함으로써 하나 이상의 관통홀을 형성하는 제4단계; 상기 층간절연층의 표면 및 관통홀 내에 제2금속층을 형성하는 제5단계; 및 상기 제2금속층의 표면을 부분적으로 양극산화시킴으로서 제2부분산화영역 및 제2금속배선을 가지는 제2회로를 형성하는 제6단계를 포함한다.
양극산화, 멀티레이어, 관통홀, 층간절연층-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090115347A
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：KR1020080041159
申请日：2008-05-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a pseudo capacitor using a copper oxide nano belt is provided to supply high output energy by maximizing a surface area of the copper oxide by a low temperature oxide solution. CONSTITUTION: A copper foil(125) is prepared. The surface of the copper foil is activated and cleaned. A copper oxide nano belt is grown on the surface of the copper foil by contacting the surface of the copper foil with the oxide solution(115) at a low temperature below 100 degrees centigrade. The oxide solution is formed by mixing NaClO2 aqueous solution, Na3PO4 12H2O aqueous solution and NaOH aqueous solution with 1:1:1. The copper foil with the copper oxide nano belt is used as the electrode of the capacitor.
Abstract translation: 目的：提供一种使用氧化铜纳米带制造伪电容器的方法，通过使低温氧化物溶液使铜氧化物的表面积最大化来提供高输出能量。 构成：制备铜箔（125）。 铜箔的表面被激活和清洁。 通过使铜箔的表面与氧化物溶液（115）在低于100℃的低温下接触，在铜箔的表面上生长氧化铜纳米带。 通过将NaClO 2水溶液，Na 3 PO 4 12H 2 O水溶液和NaOH水溶液以1:1:1混合形成氧化物溶液。 使用具有氧化铜纳米带的铜箔作为电容器的电极。
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公开(公告)号：KR1020090105746A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：KR1020080031380
申请日：2008-04-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium is provided to reduce the noise and improve the signal to noise ratio of the medium by magnetically separating the particles in the recording layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium includes a step of laminating a soft-magnetic layer, a non magnetic middle layer, and a recording layer successively on the surface of a substrate(S1~S3), and a step of wet-etching the recording layer in order to separate the particles in it(S4). The recording layer is made of Co-Pt alloy, and nitric acid solution is used for wet-etching.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造垂直磁记录介质的方法，以通过磁记录层中的颗粒的磁分离来降低噪声并提高介质的信噪比。 构成：垂直磁记录介质的制造方法包括在基板表面上依次层叠软磁性层，非磁性中间层和记录层的工序（S1〜S3），以及湿式工序 - 记录层，以分离其中的颗粒（S4）。 记录层由Co-Pt合金制成，硝酸溶液用于湿蚀刻。
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公开(公告)号：KR1020090103535A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080029203
申请日：2008-03-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H05K9/0086 , H01J11/44 , H01J2211/446 , H05K9/0096
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an electrode for selective plating, a method for manufacturing an EMI shielding filter using the same, and an EMI shielding filter structure are provided to improve transparency and EMI shielding filtering effect by minimizing contamination, damage, or deterioration in a process. CONSTITUTION: A base substrate(100) with a mesh recess is formed in an upper part. The base substrate has an insulated transparent material. A first conductive layer is formed by depositing a first conductive material in the upper part of the base substrate. A dry etching process is performed while rotating the inclined base substrate. The first conductive layer of the remaining part except the bottom or the side of the recess is removed. An electroplating process is performed to fill a second conductive material in the recess using the first conductive layer remaining in the bottom of the recess as a seed layer.
Abstract translation: 目的：制造用于选择性电镀的电极的方法，使用其的EMI屏蔽滤波器的制造方法和EMI屏蔽滤波器结构，以通过最小化污染，损坏或劣化来提高透明度和EMI屏蔽滤波效果 处理。 构成：在上部形成具有网孔的基底基板（100）。 基底具有绝缘的透明材料。 第一导电层通过在基底衬底的上部中沉积第一导电材料而形成。 在旋转倾斜的基底基板的同时进行干蚀刻处理。 除了凹部的底部或侧面之外的剩余部分的第一导电层被去除。 执行电镀工艺以使用残留在凹槽的底部中的第一导电层作为种子层填充凹部中的第二导电材料。
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公开(公告)号：KR100905306B1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020070133560
申请日：2007-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G02F1/136 , G02F1/1345
Abstract: 본 발명은 칩온글라스기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 칩온글라스기판의 제조공정을 더욱 간단하게 할 수 있는 양극산화를 이용한 칩온그라스기판의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 칩온글라스기판의 제조방법은, 글라스기판의 표면에 알루미늄층을 형성하는 단계; 상기 알루미늄층의 표면에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 알루미늄층을 상기 포토레지스트패턴에 의해 선택적으로 양극산화시키는 단계; 및 상기 포토레지스트패턴을 제거한 후에 상기 알루미늄층의 표면에 패턴을 따라 금속층을 선택적으로 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 글라스기판의 표면에 양극산화공정을 수행함으로써 회로패턴의 형성 후에 별도의 절연층 형성 내지 에칭공정 등이 필요 없고, 더욱이 양극산화에 의해 글라스기판의 표면에 알루미늄층 및 알루미나층이 형성되어 있어 미세피치의 금속층 구현이 매우 용이한 효과가 있다.
칩온글라스기판, COG, 양극산화-
公开(公告)号：KR1020090039474A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：KR1020070105146
申请日：2007-10-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K3/4076 , H05K3/467 , H05K2201/0317 , H05K2203/0353
Abstract: A method for manufacturing a build-up printed circuit board is provided to prevent harmful by-product by selectively forming a metal layer on a base substrate by removing a mask film. A base substrate is composed of an epoxy layer(10) and a copper layer(20). The copper layer is formed on the epoxy layer. An insulating layer(30) is formed on the copper layer. The mask film is formed on the insulating layer of the base substrate. A part of the base substrate is exposed. A seed metal film(50) is formed on the exposed base substrate and the mask film. The mask film is removed from the base substrate. The seed metal film is removed from the mask film. A metal layer(55) is formed on the seed metal film in the base substrate. A conductive pattern composed of the seed metal film and the metal layer.
Abstract translation: 提供一种用于制造积层印刷电路板的方法，以通过去除掩模膜在基底基板上选择性地形成金属层来防止有害的副产物。 基底由环氧树脂层（10）和铜层（20）组成。 铜层形成在环氧树脂层上。 在铜层上形成绝缘层（30）。 掩模膜形成在基底基板的绝缘层上。 露出基底衬底的一部分。 在暴露的基底基板和掩模膜上形成种子金属膜（50）。 掩模膜从基底基材上除去。 将种子金属膜从掩模膜上除去。 在基底基板上的种子金属膜上形成金属层（55）。 由种子金属膜和金属层构成的导电图案。
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