公开(公告)号：DE102004025269A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：DE102004025269

申请日：2004-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER MICHAEL ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  THEUSS HORST ,  HAGEN ROBERT

IPC: C12Q1/68

Abstract: A biochip cell (A) comprises a biochip substrate (1) and a cover (2), for reception and analysis of biological samples. A biochip cell (A) comprises: (a) a biochip substrate (1) having, on its upper surface, many spatially separated and uniformly distributed analytical islands (6) and at least one analytical region (7) for receiving the sample material; (b) at least one plastic frame (9), made of rubber-like material, that is arranged on the upper surface and defines a region (7) containing a limited number of (6); and (c) a cover (2), adhesive on one side and having an area that matches that of (1) or (7), to provide hermetic sealing of (7). An independent claim is also included for a method for preparing (A).

公开(公告)号：DE10325541A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：DE10325541

申请日：2003-06-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JEREBIC SIMON ,  POHL JENS ,  THEUSS HORST

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/00 ,  H01L23/482 ,  H01L23/32

Abstract: An electronic component includes a semiconductor chip with a chip topside, an integrated circuit, and a chip backside. The chip backside includes a magnetic layer. The electronic component further includes a chip carrier with a magnetic layer on its carrier topside. At least one of the two magnetic layers is permanently magnetic such that the semiconductor chip is magnetically fixed on the chip carrier.

公开(公告)号：DE10322071A1

公开(公告)日：2004-09-02

申请号：DE10322071

申请日：2003-05-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WIETSCHORKE HELMUT ,  THEUSS HORST ,  DANGELMAIER JOCHEN

IPC: G02B6/42 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/147

Abstract: A housing (2) contains at least one opto-electronic component (3) and associated opto-electronic circuitry (4). The housing is at least partially formed as a molded interconnect device (MID) (5). A three-dimensional conductor structure (6) is provided for making electrical connections between the circuitry and the opto-electronic component. An independent claim is included for a method of manufacturing a micro-optical module.

公开(公告)号：DE10205544A1

公开(公告)日：2003-05-15

申请号：DE10205544

申请日：2002-02-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AUBURGER ALBERT ,  THEUSS HORST ,  KILGER THOMAS

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L23/48 ,  H01L23/055

Abstract: Production of an electronic semiconductor component, comprises placing and joining together insulating layers, applying a semiconductor chip to the uppermost layer, joining the contact surfaces, and encapsulating the chip and uppermost layer. Production of an electronic semiconductor component having a three dimensional wiring structure comprises: (a) placing and joining together insulating layers having passages in the form of conducting structures; (b) applying a semiconductor chip to the uppermost layer; (c) joining the contact surfaces using contact connecting surfaces of the wiring structure; and (d) encapsulating the semiconductor chip and uppermost insulating layer. An Independent claim is also included for the electronic semiconductor component produced by the above process. Preferably the lowermost insulating layer is applied on and joined to the upper surface (41) of a metallic substrate (4). After encapsulation, the substrate is removed from the lowermost insulating layer. The passages are filled with a metallic wiring structure using a galvanic method. The insulating layers are made from polyimide layers and/or films. The wiring structure is made from Ni, Ag and/or Cu.

公开(公告)号：DE102023126506A1

公开(公告)日：2025-04-03

申请号：DE102023126506

申请日：2023-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEUSS HORST ,  SCHALLER RAINER

IPC: H01L23/488 ,  B81B7/02 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Es werden eine Sensorvorrichtung sowie ein Verfahren zu deren Herstellung beschrieben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst die Sensorvorrichtung einen Chipträger, einen auf dem Chipträger montierten Halbleiterchip sowie elektrische Verbindungen zwischen Anschlussflächen des Halbleiterchips und korrespondierenden Anschlussflächen des Chipträgers. Die Sensorvorrichtung umfasst weiter einen auf dem Halbleiterchip angeordneten Sensorchip mit einem Sensorelement. Der Sensorchip weist Trenches auf, die das Sensorelement mechanisch von dem übrigen Sensorchip entkoppelt. Das Chip-Gehäuse bildet eine Mold-Masse, die den Halbleiterchip und die elektrischen Verbindungen zumindest teilweise einkapselt und die eine Öffnung im Bereich des Sensorelements aufweist, sodass dieses mit einem die Sensorvorrichtung umgebenden Medium wechselwirken kann. Die Mold-Masse deckt den Halbleiterchip bis hin zum Sensorchip ab.

公开(公告)号：DE102022107944A1

公开(公告)日：2023-10-05

申请号：DE102022107944

申请日：2022-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELIAN KLAUS ,  MERBELER FABIAN ,  SCHALLER RAINER MARKUS ,  THEUSS HORST ,  EBERL MATTHIAS

IPC: H04R1/00 ,  H03K17/96

Abstract: Vorgeschlagen wird ein Ultraschallwandler (910) mit wenigstens einem Ultraschallwandlerelement, mit wenigstens einem Halbleiterchip (911), wobei der Halbleiterchip (911) das Ultraschallwandlerelement aufweist, mit wenigstens einem Gehäuse (912), wobei der Halbleiterchip (911) in dem Gehäuse (912) angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip (911) in einer formstabilen Einkapselung (913) eingebettet ist, wobei eine Kontaktfläche (914) der Einkapselung (913) zur akustischen Ankopplung des Ultraschallwandlers (910) an eine Verkleidung (920) eingerichtet ist. Vorgeschlagen wird weiter ein Ultraschallwandlersystem und ein Verfahren zum Anbringen des Ultraschallwandlers bzw. Ultraschallwandlersystems.

公开(公告)号：DE102021102228A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102021102228

申请日：2021-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  ELIAN KLAUS ,  ERDOEL TUNCAY ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  RIEDER BERNHARD ,  SCHALLER RAINER MARKUS ,  THEUSS HORST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01P1/06

Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Leiterplatte und ein auf der Leiterplatte montiertes Hochfrequenz-Package mit einem Hochfrequenz-Chip und einem Hochfrequenz-Strahlungselement. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein Wellenleiter-Bauteil mit einem Wellenleiter, wobei das Hochfrequenz-Strahlungselement dazu ausgelegt ist, in den Wellenleiter Sendesignale einzustrahlen und/oder über den Wellenleiter Empfangssignale zu empfangen. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner einen zwischen einer ersten Seite des Hochfrequenz-Package und einer zweiten Seite des Wellenleiter-Bauteils angeordneten Spalt und eine Abschirmstruktur, welche dazu ausgelegt ist: eine relative Bewegung zwischen dem Hochfrequenz-Package und dem Wellenleiter-Bauteil in einer ersten Richtung senkrecht zur ersten Seite des Hochfrequenz-Package zuzulassen, und die Sendesignale und/oder die Empfangssignale derart abzuschirmen, dass eine Ausbreitung der Signale über den Spalt abgeschwächt oder verhindert wird.

公开(公告)号：DE102017217595B4

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：DE102017217595

申请日：2017-10-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  OFNER GERALD ,  SCHERL PETER ,  BRADL STEPHAN ,  MIETHANER STEFAN ,  HEINRICH ALEXANDER ,  THEUSS HORST

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/50 ,  H01L21/677

Abstract: Verfahren zum Produzieren von Halbleitervorrichtungen im Gehäuse, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen einer ersten Gehäusesubstratplatte;Bereitstellen einer zweiten Gehäusesubstratplatte; undBewegen der ersten und der zweiten Gehäusesubstratplatte durch eine Fertigungsstraße, die mehrere Gehäusefertigungswerkzeuge umfasst, unter Verwendung eines Steuermechanismus,wobei Halbleitervorrichtungen im Gehäuse vom ersten Typ auf der ersten Gehäusesubstratplatte gebildet werden und Halbleitervorrichtungen im Gehäuse vom zweiten Typ auf der zweiten Gehäusesubstratplatte gebildet werden, wobei die Halbleitervorrichtungen im Gehäuse vom zweiten Typ ein anderer Gehäusetyp sind als die Halbleitervorrichtungen im Gehäuse vom ersten Typ, undwobei der Steuermechanismus sowohl die erste als auch die zweite Gehäusesubstratplatte durch die Fertigungsstraße auf nichtlineare Weise bewegt.

公开(公告)号：DE102020122812A1

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE102020122812

申请日：2020-09-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEUSS HORST ,  SCHALLER RAINER MARKUS

IPC: G01N21/17 ,  B81B7/02

Abstract: Ein photoakustischer Sensor umfasst eine erste Schicht mit einem optischen MEMS-Emitter, eine über der ersten Schicht gestapelte zweite Schicht mit einem MEMS-Druckaufnehmer und einem optisch transparenten Fenster, wobei der MEMS-Druckaufnehmer und das optisch transparente Fenster lateral zueinander versetzt angeordnet sind, und eine über der zweiten Schicht gestapelte dritte Schicht mit einem Hohlraum für ein Referenzgas. Der optische MEMS-Emitter ist dazu ausgelegt, optische Strahlung entlang eines optischen Pfads zu übertragen, wobei der optische Pfad durch das optisch transparente Fenster und den Hohlraum für das Referenzgas verläuft, und wobei der MEMS-Druckaufnehmer außerhalb des Verlaufs des optischen Pfads angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102020110790B4

公开(公告)日：2022-01-05

申请号：DE102020110790

申请日：2020-04-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHALLER RAINER MARKUS ,  ELIAN KLAUS ,  THEUSS HORST

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Sensorvorrichtung, umfassend:einen Sensorchip (2) mit einer MEMS-Struktur (8), wobei die MEMS-Struktur (8) bei einer Hauptfläche (4) des Sensorchips (2) angeordnet ist; undeinen über der Hauptfläche (4) des Sensorchips (2) angeordneten gasdurchlässigen Deckel (20), welcher die MEMS-Struktur (8) abdeckt und eine Kavität (22) über der MEMS-Struktur (8) ausbildet, wobei der gasdurchlässige Deckel (20) aus zumindest einem von einem Photolack, einem Polyimid oder einem Polybenzoxazol gefertigt ist;eine Umverdrahtungsschicht (26), welche elektrische Kontakte (12) des Sensorchips (2) mit peripheren Verbindungselementen (34) der Sensorvorrichtung elektrisch koppelt, wobei die Umverdrahtungsschicht (26) über der Hauptfläche (4) des Sensorchips (2) angeordnet ist, wobei entweder der gasdurchlässige Deckel (20) aus einem Teil der Umverdrahtungsschicht (26) gefertigt ist oder die Umverdrahtungsschicht lateral versetzt zu dem gasdurchlässigen Deckel (20) angeordnet ist.