公开(公告)号：CN104415902B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201410379432.8

申请日：2014-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑秉吉 ,  洪硕佑

IPC: B06B1/06 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00888 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  H04R19/005

Abstract: 本发明提供了一种电容式微机械加工的超声换能器(CMUT)及其分割方法。分割CMUT可以包括：在器件晶片的限定多个超声换能器结构的区域中形成第一沟槽，器件晶片包括多个超声换能器结构；通过接合供应电到多个超声换能器的电极垫晶片和器件晶片来形成具有多个超声换能器的超声换能器晶片；以及通过切割在第一沟槽上的多个超声换能器结构和在第一沟槽下面的电极垫晶片，将超声换能器晶片切割成块以形成多个超声换能器。

公开(公告)号：CN106898579B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201610264180.3

申请日：2016-04-26

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李文喆 ,  金德焕 ,  李玲揆 ,  李在昌 ,  金泰润 ,  闵庆福

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/561 ,  H01L23/00 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3114

Abstract: 提供一种晶圆级封装件及其制造方法，所述晶圆级封装件包括：晶圆构件，具有设置了电路元件的内腔；元件壁构件，设置在晶圆构件的内表面上且包围设置了所述电路元件的元件部分；以及间隙壁构件，布置在所述元件壁构件的外表面上且将所述元件部分之间的空间划分成间隙部分。

公开(公告)号：CN107963607A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711036185.1

申请日：2017-10-30

Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司

Inventor： 黄向向 ,  杨敏 ,  道格拉斯.雷.斯巴克斯 ,  关健

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81C3/001

Abstract: 一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件及其封装方法，全覆盖吸气剂晶圆级电子元件的基本构成单元包含下述几个部分：器件晶圆(1)、腔体晶圆(2)；其二者通过键合工艺使两个晶圆键合成为一体，键合工艺通过键合层(5)来实现，在二者之间还设置有腔体(3)；腔体(3)内的腔体晶圆(2)内表面或是在器件晶圆(1)表面覆盖有一层有活性的覆盖层即吸气层结构(4)；吸气层结构(4)的成分为下述几种元素之一或其组合及其氧化物：Ti，Co，Zr，Fe；吸气层结构(4)的厚度范围在500nm-2um。吸气层结构(4)的制备应用物理气相沉积工艺：溅射或蒸发或二者的组合。本发明结构和工艺简单，成本低，技术效果优良；具有可预期的较为巨大的经济和社会价值。

公开(公告)号：CN107176587A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201611039292.5

申请日：2016-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘育嘉 ,  朱家骅 ,  郑钧文

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B7/0051 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/112 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  B81C1/00261

Abstract: 本发明涉及一种制造微机电系统MEMS装置的方法，该方法包含：在衬底上方沉积绝缘材料；在所述绝缘材料的第一组层中形成导电通路；及在所述绝缘材料的第二组层中形成金属结构。所述第一组层与所述第二组层交替地交错。提供虚拟绝缘层作为所述第一组层的最上部层。蚀刻所述第一组层及所述第二组层的部分以在所述绝缘材料中形成空隙区域。在所述绝缘材料的顶部表面上及其中形成导电垫。利用囊封结构密封所述空隙区域。所述囊封结构的至少一部分横向邻近所述虚拟绝缘层，且位于所述导电垫的顶部表面上面。执行蚀刻以移除所述虚拟绝缘层的至少一部分。

公开(公告)号：CN105917193B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201480073695.4

申请日：2014-10-21

Applicant: 萨甘安全防护公司

Inventor： A·金洛伊 ,  P·恩夫罗伊

IPC: G01C19/574 ,  B81B3/00

CPC classification number: G01C19/574 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/013 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5769

Abstract: 本发明涉及一种惯性传感器，包括框架和换能器，至少两个激振体通过弹性装置被连接到该框架以便在悬挂平面中是可移动的，所述换能器保持激振体振动并确定激振体相对于彼此的相对移动，其特征在于，所述激振体具有单一形状和单一质量，并且所述激振体包括互锁部件，这样激振体在彼此内部嵌套，同时在悬挂平面中相对于其他激振体是可移动的，同时激振体具有彼此重合的重心。本发明还涉及一种用于制造这种传感器的方法。

公开(公告)号：CN106877837A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610412729.9

申请日：2016-06-13

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 俞一善

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H9/02244 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2207/015 ,  G01C19/5719 ,  G01P15/097 ,  H03H9/02393 ,  H03H2009/02165 ,  H03H2009/02291 ,  H03H9/17 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明提供一种MEMS谐振器包括：主基板，其在所述主基板的中心形成接收部；质量体，其具有通过主基板的两侧弹性支承的一个端部和中心部；驱动单元，其配置在主基板上的接收部的一侧，并且通过施加至质量体的一个端部的两侧的电压产生驱动扭矩，从而相对于主基板移动质量体的位置；以及，调谐部，其包括相对于第二弹性构件对称设置的一对调谐单元，并且具有梁构件，上述梁构件通过驱动每个调谐单元的操作来改变第二弹性构件的长度，从而控制频率。

公开(公告)号：CN106471821A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580036170.8

申请日：2015-07-07

Applicant: W.L.戈尔及同仁股份有限公司

Inventor： A·J·霍利达

IPC: H04R19/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00285 ,  H04R1/023 ,  H04R1/086 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种用于微-电子-机械系统的保护盖以及相关方法，其中所述系统具有超声换能器和邻近所述换能器的保护盖，并且具有小于或等于3g/sm的质量/面积比。

公开(公告)号：CN106082108A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510736299.1

申请日：2015-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彥 ,  詹志仁 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  谢元智

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。

公开(公告)号：CN105917192A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073568.4

申请日：2014-11-20

Applicant: 萨甘安全防护公司

Inventor： A·金洛伊 ,  P·恩夫罗伊

IPC: G01C19/574 ,  B81B3/00 ,  G01P15/097

CPC classification number: G01C19/574 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00658 ,  G01P15/097 ,  G01P2015/084

Abstract: 本发明涉及一种MEMS惯性传感器，包括：通过弹性装置被连接到其以便在悬挂平面中可移动的至少第一激振体和第二激振体的框架、将激振体保持振动并确定激振体在悬挂平面内的移动的换能器以及通过导电体装置被连接到换能器的控制单元。换能器包括刚性连接到第一激振体的至少一个电极和连接到第二激振体的至少一个电极，这两个电极被如此安置以允许激振体相对于彼此在悬挂平面中的相对移动的直接测量。

公开(公告)号：CN105731362A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510968124.3

申请日：2015-12-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 王诗男 ,  濑户本丰

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: G01N29/2406 ,  B06B1/0292 ,  B06B1/0644 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00158 ,  G01N29/2418 ,  G01N29/2437 ,  B81C1/00301 ,  B81B7/0006

Abstract: 本发明涉及一种器件的制作方法。包括半导体基板、元件单元、贯通布线和布线部分的电子器件的制作方法包括：在基板的第一表面中形成非贯通的通路孔；在通路孔的内壁上形成第一绝缘膜；从基板的第二表面形成到达通路孔的底部的第一绝缘膜的开口；在开口的底部上形成第二绝缘膜；在通路孔中形成贯通布线；形成与贯通布线电连接的元件单元；从第二表面减小基板的厚度，使得第二表面变得与开口的底部的第二绝缘膜齐平；和在第二绝缘膜上形成与贯通布线电连接的布线部分。